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[发明专利]一种长波长VCSEL的结构及其制备方法-CN202111248342.1有效
发明人： 唐先胜;韩丽丽;王兆伟;宫卫华;王纪强;刘统玉 -专利权人：山东省科学院激光研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及VCSEL制备技术领域，特别涉及一种长波长VCSEL的结构及其制备方法，VCSEL的热沉的底部贴合有第一接触金属，第一接触金属的底部贴合有底DBR，底DBR的底部贴合有第一ITO，第一ITO的底部贴合有介质钝化层，介质钝化层的底部贴合有N/P型层，N/P型层的底部贴合有有源区，有源区的底部贴合有P/N型层，P/N型层的底部贴合有第二ITO，第二ITO底部贴合顶DBR，顶DBR的底部贴合有第二接触金属。本发明解决了目前工艺复杂，制备困难的问题，适用于大功率的VCSEL器件的制备，长波长VCSEL的制备。
一种波长 vcsel 结构及其制备方法

[发明专利]一种长波长VCSEL的制备方法及结构-CN202310484180.4在审
发明人： 唐先胜;韩丽丽;王兆伟;宫卫华;张伟;翟瑞占;贾中青 -专利权人：山东省科学院激光研究所
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，提供了一种长波长VCSEL的制备方法，包括：在N‑InP衬底上，依次层叠生长N‑InP缓冲层、底DBR结构和N‑InP空间层，形成第一外延片；取出第一外延片，以光刻胶为掩膜，利用离子注入技术，向N‑InP空间层注入H离子，进而钝化部分N‑InP空间层，形成钝化区，未被钝化的N‑InP空间层形成发光区；去除掩膜，得到第二外延片；对第二外延片退火处理，以及清洗表面；在第二外延片的N‑InP空间层上依次层叠生长P‑InAlAs空间层、量子阱区、N‑InAlAs空间层和顶DBR结构，形成第三外延片；利用常规光电器件制备方法，制备第三外延片得到长波长VCSEL器件。工艺简单。
一种波长 vcsel 制备方法结构

[发明专利]一种柔性光电器件及其制备方法-CN202310544552.8在审
发明人： 唐先胜;丁丁;郭家平;韩丽丽;王兆伟;宫卫华;张伟;翟瑞占;贾中青 -专利权人：山东省科学院激光研究所
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请涉及LED芯片技术领域。本申请提供了一种柔性光电器件及其制备方法，柔性光电器件的制备方法包括利用光刻胶将晶圆的功能层的一侧粘贴至PET衬底，并在第一预设温度下加热烘烤；利用化学腐蚀技术，去除所述晶圆背离于所述PET衬底一侧的牺牲层，并暴露所述功能层；利用光刻技术，在所述功能层背离所述PET衬底的一侧定义发光区；利用化学蚀刻技术在所述发光区形成隔离沟道；利用光刻技术在所述发光区定义电极位置及图形；利用电子束蒸发技术在所述电极位置形成电极。本申请提供的一种柔性光电器件及其制备方法能够便于实现柔性光电器件的制备，并提高制备效率，保持柔性光电器件稳定性。
一种柔性光电器件及其制备方法

[发明专利]一种提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法-CN202310382122.0在审
发明人： 唐先胜;刘伟业;谭新辉;韩丽丽;王兆伟;宫卫华;张伟 -专利权人：山东省科学院激光研究所
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请涉及LED芯片技术领域。一种提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法包括清理AlGaInP基红色LED的晶圆表面的油污；利用等离子体增强化学沉积，在晶圆的表面沉积预设厚度的二氧化硅；将稀释的光刻胶涂覆在晶圆表面，在第一预设温度下烘烤；利用干涉曝光，对晶圆进行第一次曝光，调整晶圆角度，再对调整角度后的晶圆进行第二次曝光；将第二次曝光后的晶圆，在第二预设温度下烘烤，使光刻胶在晶圆表面形成半球形阵列图形；利用等离子体刻蚀，将半球形阵列图形的光刻胶转移至二氧化硅上；利用LED制备方法制成LED芯片。本申请具备纳米级二氧化硅半球阵列的LED芯片的光提取效率得到提高，且不会影响器件的电学特性。
一种提高效率 led 芯片表面结构制备方法

[发明专利]DFB激光器制备方法和DFB激光器-CN202211507721.2在审
发明人： 唐先胜;韩丽丽;王兆伟;宫卫华;张伟 -专利权人：山东省科学院激光研究所
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种DFB激光器制备方法和DFB激光器，在外延片上刻蚀脊型波导结构；在脊型波导结构的垂直方向上依次沉积不同的介质材料，形成光栅结构；在脊型波导结构和光栅结构的垂直方向上分别制备表面电极，得到DFB激光器。由此可见，本申请采用介质材料依次沉积的方法代替直接刻蚀来制备光栅结构，可以降低制备方法对生长工艺和制备工艺设备的依赖程度，降低工艺门槛，从而提高DFB激光器的制备效率和成品率。
dfb 激光器制备方法

[发明专利]一种纳米级线宽的垂直结构半导体器件及其制备方法-CN202110870553.2在审
发明人：贾海强;陈弘;唐先胜 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米级线宽的垂直结构半导体器件及其制备方法。本发明提供的方法可以通过传统的薄膜制备工艺，实现纳米级线宽的垂直结构的半导体器件，不仅可以避开高端光刻机的使用，同时提供了一种制备器件的新思路。
一种纳米级线宽垂直结构半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种纳米级线宽的垂直结构半导体器件及其制备方法-CN202110870574.4在审
发明人：贾海强;陈弘;唐先胜 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米级线宽的垂直结构半导体器件及其制备方法。本发明提供的方法可以通过传统的薄膜制备工艺，实现纳米级线宽的垂直结构的半导体器件，不仅可以避开高端光刻机的使用，同时提供了一种制备器件的新思路。
一种纳米级线宽垂直结构半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种高反射率的复合金属电极制备方法-CN202210437172.X在审
发明人：韩丽丽;唐先胜;王兆伟;宫卫华;刘统玉 -专利权人：山东省科学院激光研究所
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种高反射率的复合金属电极制备方法，包括以下制备步骤：步骤1）提供一个GaAs基光电器件外延片，所述GaAs基光电器件外延片的结构其从下至上依次包括GaAs衬底，缓冲层，n‑GaAs欧姆接触层，有源层，p‑GaAs，p‑GaP欧姆接触层；步骤2）对所述GaAs基光电器件外延片进行清洗；步骤3）在清洗后的GaAs基光电器件的p‑GaP欧姆接触层上采用电子束蒸发的镀膜技术蒸镀第一电极层，电极膜层的先后顺序为Zn/Au；步骤4）对Zn/Au电极进行快速热退火；步骤5）在退火后的Zn/Au电极上再次蒸镀第二电极层，电极膜层的先后顺序为Ti/Au。
一种反射率复合金属电极制备方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202110088742.4在审
发明人：贾海强;陈弘;唐先胜 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)的制备方法。本发明的方法可以简化VCSEL的制备工艺，提高其输出功率，提高其散热能力，进而提升器件的性能。
垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202110093829.0在审
发明人：贾海强;陈弘;唐先胜 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)的制备方法。本发明的方法可以简化VCSEL的制备工艺，提高其输出功率，提高其散热能力，进而提升器件的性能。
一种垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]一种纳米图形的制备方法-CN202110020058.2在审
发明人：贾海强;陈弘;唐先胜 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米图形的制备方法，所述方法通过薄膜沉积技术制备纳米图形，所述方法可以简化纳米尺度的栅的制备，精确控制栅长尺寸，并实现纳米图形器件的制备，进而提升电子器件的性能。
一种纳米图形制备方法

[发明专利]一种纳米图形的制备方法、结构及器件-CN202110020079.4在审
发明人：贾海强;陈弘;唐先胜 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米图形的制备方法，还提供了通过该方法制备的纳米图形和器件。本发明的方法可以简化纳米尺度的图形的制备，精确控制图形长尺寸，并实现纳米图形器件的制备，进而提升电子器件的性能。
一种纳米图形制备方法结构器件

[发明专利]一种纳米图形的制备方法和应用-CN202110018555.9在审
发明人：贾海强;陈弘;唐先胜 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米图形的制备方法，还提供了通过该方法制备的纳米图形和器件。本发明的方法可以简化纳米尺度的图形的制备，精确控制图形长尺寸，并实现纳米图形器件的制备，进而提升电子器件的性能。
一种纳米图形制备方法应用

[发明专利]一种纳米栅结构及其制备方法和应用-CN202011269807.7在审
发明人：贾海强;唐先胜;陈弘 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米栅结构，所述纳米栅结构包括晶圆(1)及在晶圆上水平相间排列的第一介质隔离层(3C)与第二介质隔离层(4C)和第三介质隔离层(5C)以及第四介质隔离层(6)形成第一复合介质隔离层、纳米栅(10)、第一介质隔离层(3C)以及第二介质隔离层(4B)形成的第二复合介质隔离层、纳米栅(10)、第五介质隔离层(7B)、纳米栅(10)、第五介质隔离层(7A)与第六介质隔离层(8C)以及第七介质隔离层(9)形成的第三复合隔离层，还提供了其制备方法和应用。本发明的方法可以简化纳米尺度的栅的制备，精确控制栅长尺寸，并实现纳米栅器件的制备，进而提升电子器件的性能。
一种纳米结构及其制备方法应用

[发明专利]一种提高HIT电池效率的结构和方法-CN202210406789.5在审
发明人： 唐先胜;韩丽丽;王兆伟;宫卫华 -专利权人：山东省科学院激光研究所
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高HIT电池效率的结构和方法，其结构从下到上包括Al电极、N型硅片、纳米金、本征非晶硅层、P型非晶硅层、P型透明导电层和Ag电极。其方法为：S1，将N型硅片进行RCA清洗；S2，在N型硅片的抛光面进行制绒处理；S3，在硅片的制绒面定义图形；S4，沉积金层；S5，在剥离掉无用区域的金后，进行退火处理；S6，在制绒面沉积本征非晶硅层；S7，沉积P型非晶硅层；S8，沉积P型透明导电层；S9，制备P面Ag电极和N面Al电极。本发明简单易行，方便可靠，重复性好，应用范围广，可适用于其他类型的太阳能电池。
一种提高 hit 电池效率结构方法

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