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[发明专利]一种带有空气隙DBR的VCSEL结构及其制备方法-CN201811245161.1有效
发明人： 周广正;黄瑞;代京京 -专利权人：创智联慧（重庆）科技有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种带有空气隙DBR的VCSEL结构，包括背面设有N面电极的导电衬底，导电衬底的表面自下而上依次生长有N型GaAs缓冲层、N型DBR和量子阱有源区，量子阱有源区表面一区域生长有氧化限制层，氧化限制层的外周同层设有铝氧化产物AlxOy圆环，氧化限制层和铝氧化产物AlxOy的表面设有平面圆形的P型DBR，在铝氧化产物AlxOy和P型DBR同层外周的量子阱有源区表面设有SiO2填充层，P型DBR的表面设有空气隙DBR，SiO2填充层的表面设有P面电极。本发明还提供一种前述VCSEL结构的制备方法，其空气隙DBR是通过氧化和腐蚀工艺，在出光孔处形成AlGaAs/air材料的DBR结构，且在两侧留有未被氧化和腐蚀的高Al组分AlGaAs作为支撑材料。本申请通过采用空气隙结构DBR，增大了DBR材料的折射率差。
一种带有空气 dbr vcsel 结构及其制备方法

[发明专利]一种新型离子注入型PD SOI器件及其制备方法-CN201811242517.6有效
发明人：黄瑞;周广正;代京京 -专利权人：创智联慧（重庆）科技有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种新型离子注入型PD SOI器件，包括从下往上依次层叠由底部硅层、中间BOX埋层和顶层硅膜组成的SOI衬底，顶层硅膜两侧形成有浅槽隔离层，顶层硅膜中注入有P离子形成P型硅，顶层硅膜上表面依次设有栅极氧化物和栅电极并以此组成Y型分布栅极，栅极正下方顶层硅膜中注入金属离子形成金属层，栅极两侧源漏区掺杂形成有源漏区超浅结，栅极周围形成有栅极侧墙，源漏区超浅结下方离子注入形成有源漏区晕环区，源栅漏区表面形成有硅化物，源漏极硅化物表面形成有源漏电极。本发明还提供一种前述器件制备方法。本申请通过向顶层硅膜中注入金属离子形成金属层，有效减轻PD SOI器件中浮体效应，且Y型栅可以减少占用芯片面积，增加栅极接触面积。
一种新型离子注入 pd soi 器件及其制备方法

[实用新型]一种氨氮水质分析仪-CN202223568558.9有效
发明人：韩峰;周广正;李娜;刘洋;王福强 -专利权人：山东汇氏环境科技集团有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N33/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水质分析仪，特别涉及一种氨氮水质分析仪，包括：箱体，所述箱体包括上箱体和下箱体，所述上箱体上连接有第一导管，所述第一导管上连接有第二导管，所述第一导管上还连接有第一软管，所述第一导管和第一软管中相对滑动的设置有取水器。使用时，分别通过开闭吹风机和真空泵来调节上箱体内的空气的压强，进而带动取水器在第一导管和第二软管内滑动，当取水器滑动到最底端时，取水器上的开口和第一软管上的第一开口相连通，用于取水，当取水器滑动到最顶端时，取水器上的开口与第二导管相连通，用于将取水器中的水放入到烧杯中，使用方便，节约能源。
一种水质分析

[实用新型]一种APD光电探测器-CN202223179197.9有效
发明人：阮鑫栋;刘超;周广正;蔡晓明;许燕丽;肖春平 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种APD光电探测器，包括自下而上设置的衬底、P‑InP接触层、第一过渡层、第一i‑InGaAs吸收层、P‑InAlAs电荷调节层、i‑InAlAs倍增层、N型InAlAs层、第三过渡层、N‑InP接触层、第二i‑InGaAs吸收层、第二过渡层、N‑InP电荷调节层、InP倍增层、P型InP层和P‑InGaAs接触层；还包括N电极和P电极，N‑InP接触层与N电极电连接，P‑InGaAs接触层、P‑InP接触层分别与P电极电连接。本实用新型形成P‑i‑N‑i‑P双异质结双增益结构，可以提高APD光电探测器的增益带宽积。
一种 apd 光电探测器

[发明专利]一种光电器件及其制备方法-CN202211334668.0在审
发明人：阮鑫栋;刘超;周广正;蔡晓明 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种光电器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请的光电器件的制备方法，包括：提供外延片，外延片包括衬底以及依次生长在衬底上的N型层、本征层和接触层；刻蚀接触层形成扩散窗口并通过扩散窗口对本征层进行离子扩散掺杂，在本征层内形成P型扩散区；刻蚀扩散窗口的侧壁使其增大为二次窗口；在接触层上形成环形电极，且环形电极与P型扩散区连接，环形电极围合形成光窗口，光窗口与P型扩散区同轴设置，且光窗口的内径大于P型扩散区的外径。本申请提供的光电器件及其制备方法，能够减小PN结的电容同时增大光吸收区域，提升光电器件的性能。
一种光电器件及其制备方法

[实用新型]一种垂直腔面发射激光器结构-CN202122923021.9有效
发明人：蔡文必;周广正;张建;刘超;阮鑫栋;许燕丽;林石林 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供一种垂直腔面发射激光器结构，包括依次叠设的n型电极、GaAs衬底、n型DBR层、MQW层、p型DBR层和p型电极，p型电极为环状中间的镂空形成出光窗口，在MQW层与p型DBR层之间具有GaAs保护层和GaAs电流扩展层，GaAs保护层设于MQW层一侧，GaAs电流扩展层设于p型DBR层一侧，绝缘层设于GaAs电流扩展层下方，其为环状并包裹GaAs保护层和MQW层的侧面，绝缘层中间的镂空形成发光窗口，在保持垂直腔面发射激光器较低的阈值电流、较小的发散角同时，可以降低垂直腔面发射激光器的串联电阻，提高转换效率。
一种垂直发射激光器结构

[实用新型]一种全天候分层水质监测装置-CN202122756031.8有效
发明人： 周广正 -专利权人：甘肃国信润达分析测试中心
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01N33/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种全天候分层水质监测装置，包括船体和壳体，所述船体上方安装有壳体，所述壳体顶部安装有太阳能电池板，所述壳体内设置有监测装置控制箱、监测装置配电箱、内外环境监测传感器和太阳能电池组，所述船体底部设置有多参数水质传感器，且多参数水质传感器有多组，所述多参数水质传感器之间均通过连接杆相连接，所述船体内开设有功能仓和烘干仓，所述功能仓内设置有动力机构，所述动力机构由电机A、齿轮A、齿轮B、转轴A、功能箱、电机B、转轮、传动带、同步轮、转轴B和螺旋桨组成，通过动力机构来对全天候分层水质监测装置进行动力支持，促使监测装置能根据监测所需求来变更位置，以求监测到更为精准的数据，减小误差。
一种全天候分层水质监测装置

[实用新型]一种水质微生物活体采集低温收集装置-CN202122781237.6有效
发明人： 周广正 -专利权人：甘肃国信润达分析测试中心
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C12M1/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种水质微生物活体采集低温收集装置,包括：箱体、箱盖、泡棉等；所述箱体的上端设置有箱盖，且箱体与箱盖通过合页相连接；所述箱体的内部设置有泡棉，且箱体与泡棉通过嵌入方式相连接；所述箱盖的内壁的两侧设置有卡箍，且箱盖与卡箍通过螺栓相连接；所述泡棉的上端开设有凹槽，且泡棉与凹槽为一体式结构；所述泡棉的内部放置有收集瓶；所述收集瓶下部的一侧设置有单向阀,且收集瓶与单向阀通过嵌入方式相连接；通过对一种水质微生物活体采集低温收集装置在结构上的改进，具有采集水样方便快捷易于操作、满足不同水位采样需求和减震、保持水温等优点，从而有效的解决了现有装置中出现的问题和不足。
一种水质微生物活体采集低温收集装置

[实用新型]一种水质监测深层水体取样装置-CN202122034371.X有效
发明人： 周广正 -专利权人： 周广正
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G01N1/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种水质监测深层水体取样装置，包括：桶体、顶盖、提柄；所述桶体的整体外观呈圆桶状，且顶盖安装在桶体的顶端，顶盖与桶体通过铰接方式连接；所述提柄插接安装在桶体两侧的上部；所述出水嘴位于桶体的下部，且出水嘴与桶体为一体式结构；所述底座嵌入安装在桶体的底部；所述第一配重块、第二配重块扣合安装在桶体的下部，且第一配重块与第二配重块通过转轴连接；本实用新型通过对水质监测深层水体取样装置的改进，具有结构设计合理，配重块方便安装与拆卸、便于更换，适用于不同深度水体的取样，提高取样效率，保护效果好、防止上提时出水嘴受到磕碰，实用性强的优点，从而有效的解决了现有装置中出现的问题和不足。
一种水质监测深层水体取样装置

[实用新型]一种小气候风沙含量测量的环境监测装置-CN202120929361.X有效
发明人：刘盟;周广正;王庆东 -专利权人：刘盟
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G01N15/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种小气候风沙含量测量的环境监测装置，包括：集沙筒、风向标、过滤网、限位圈、漏沙斗、支撑柱、柱门、称重传感器、沙杯、电控柜、柜门、安装柱；所述集沙筒呈圆筒状，且集沙筒顶部外侧壁的中间位置焊接有矩形板状的风向标；所述集沙筒内部的后侧镶嵌有椭圆形板状的过滤网，且过滤网与集沙筒呈间隙配合；所述过滤网的前端设有椭圆环形板状的限位圈，且限位圈与集沙筒呈间隙配合，本实用新型通过对一种小气候风沙含量测量的环境监测装置的改进，具有结构合理，过滤网不易堵塞，方便沙粒的倾倒，维护方便的优点，从而有效的解决了现有装置中出现的问题和不足。
一种小气候风沙含量测量环境监测装置

[实用新型]一种HBT与EEL集成光开关结构-CN202120395210.0有效
发明人： 周广正;林科闯;张建;刘超;许燕丽;阮鑫栋;林石林 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种HBT与EEL集成光开关结构，HBT与EEL共享发射区、基区和集电区，其结构包括自下而上依次层叠的N型电极、衬底、N型包层、N型波导层、量子阱有源区、P型波导层和集电区；集电区形成脊波导结构，具有脊部，基区层叠至脊部，基极电极和发射区位于基区上，发射极电极位于发射区上。本实用新型利用异质结双极型晶体管（HBT）驱动边发射激光器（EEL），将直流偏置与交流调制分开，大大降低了的交流驱动电流。
一种 hbt eel 集成开关结构

[实用新型]一种中医护理用服药杯-CN202022814944.6有效
发明人： 周广正 -专利权人： 周广正
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： A61J7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及医疗辅助器械技术领域，具体涉及一种中医护理用服药杯，包括底座框，底座框内腔的底端面上嵌设安装有电磁驱动机构，且底座框的内腔中螺旋连接有盛药杯；盛药杯的侧壁内部开设有保温内衬腔，且盛药杯的外侧壁上连接有上下对称且均与保温内衬腔相连通的进液管和出液管，进液管和出液管的端口处均设置有密封塞；保温内衬腔的底端面上设置有电加热丝，且盛药杯的外侧壁上安装有与电加热丝电性相连的蓄电池，盛药杯的外侧壁上还安装有分别与保温内衬腔及盛药杯内腔相接触的温度传感器，温度传感器的外侧壁上设置有左右对称的温度显示屏；本实用新型设计的中医护理用服药杯结构设计合理，实用性强，具有极佳的市场推广价值。
一种中医护理服药

[发明专利]一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器-CN202010976273.5在审
发明人：王智勇;徐晟;李冲;周广正;王聪聪;黄瑞 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，属于激光器技术领域。自下而上层叠，层依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、下分布布拉格反射镜(3)、下相位匹配层(4)、亚集电极层(5)、集电极层(6)、基极及量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上相位匹配层(9)、氧化限制层(10)、上分布布拉格反射镜层(11)。本发明提供的微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，将VCSEL的优异光学性能与异质结晶体管的高速电学性能相结合，可以应用在光学互联和OEIC等领域。
一种微波载流子直接调制垂直发射激光器

[发明专利]一种SOI材料的制备方法-CN201810780383.7有效
发明人：王智勇;李颖;兰天;周广正;黄瑞;代京京 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种SOI材料的制备方法，涉及半导体材料的制备方法。包括以下步骤：1)在表面覆有SiO2的硅片A中注入低熔点金属离子，形成金属离子富集层；2)将离子注入后的硅片与另一支撑硅片B进行亲水键合；3)将键合后的硅片A、B放入退火炉进行两个阶段热处理；4)对SOI结构进行抛光工艺获取所需镜面状结构。本发明利用离子注入造成金属离子富集层的体积膨胀，引起晶格结构的破坏和相应化学键的断裂，从而造成晶格强度降低；选择合适的热处理过程，使硅片的上表层硅膜转移到另一硅片上，有效降低了硅片分离界面的粗糙度，可获得高质量的SOI结构材料。
一种 soi 材料制备方法

[发明专利]一种GaN基半导体激光芯片检测装置与方法-CN201711489225.8有效
发明人：尧舜;郎陆广;兰天;周广正;吕朝晨;于洪岩;王智勇 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种GaN基半导体激光芯片检测装置及方法，所述装置包括：芯片装载模块、电源模块、显微成像模块和激光打标模块；通过电源模块为待检测芯片施加一定的电流使待检测芯片从p面和前腔面分别发出两束荧光，显微成像模块接收这两束荧光后对待检测芯片的p面和前腔面进行荧光成像，并判断待检测芯片的有源区是否存在失效区域、前腔面是否有灾变性光学损伤点，最后再通过激光打标模块对待检测芯片的有源区的失效区域正上方的p面进行打标以便后续处理。所述装置结构简单，且能够实现对待检测芯片的有源区的失效区域的正上方的p面区域打标，以此来定位失效区域在有源区中的位置，功能更加丰富，具有更好的实用价值。
一种 gan 半导体激光芯片检测装置方法

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