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[发明专利]存储器件及包括其的电子设备-CN201910902924.3有效
发明人：姜大建;康铉石;安德来;吴在根;周元基;蔡洙振 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储器件及包括其的电子设备。存储器件包括：第一存储单元，其被设置在第一导电线和第二导电线的交叉点处，所述第一导电线和所述第二导电线分别在第一方向和第二方向上延伸；第二存储单元，其在第一方向上与第一存储单元间隔开第一距离；第三存储单元，其在第二方向上与第一存储单元间隔开第二距离；第一绝缘图案，其被设置在第一存储单元与第二存储单元之间；以及第二绝缘图案，其被设置在第一存储单元与第三存储单元之间。第二绝缘图案具有比第一绝缘图案低的导热率。
存储器件包括电子设备

[发明专利]一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶-CN202210425225.6在审
发明人：孙逊运;周元基;刘聘;宿磊;周田田 -专利权人：潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶，其组分包括聚酰胺酸树脂、碱性催化剂、光产酸剂、溶剂，所述的正性光刻胶组成如下(按重量百分比计，各组分相加为100％)：聚酰胺酸树脂10％‑50％；碱性催化剂0.5％‑10％；光产酸剂0.5％‑10％；溶剂50％‑90％。本发明提供一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶，该种光刻胶属于化学放大光刻胶，光敏感性强，以3微米胶厚为例，曝光剂量可以降低至50～70mj/cm2，同时亚胺化的胶厚损失更小，可以大幅提高客户生产效率，降低生产成本。
一种基于活性机理聚酰亚胺光刻

[发明专利]一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶-CN202210454961.4在审
发明人：孙逊运;周元基;刘聘;宿磊;周田田 -专利权人：潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶，其组分包括聚酰胺酸树脂、碱性催化剂、光产酸剂、溶剂，所述的正性光刻胶组成如下(按重量百分比计，各组分相加为100％)：聚酰胺酸树脂10％‑50％；碱性催化剂0.5％‑10％；光产酸剂0.5％‑10％；溶剂50％‑90％。本发明提供一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶，该种光刻胶属于化学放大光刻胶，光敏感性强，以3微米胶厚为例，曝光剂量可以降低至50～70mj/cm2，同时亚胺化的胶厚损失更小，可以大幅提高客户生产效率，降低生产成本。
一种基于活性机理聚酰亚胺光刻

[发明专利]电子设备及其制造方法-CN202110538263.8在审
发明人：安德来;曹珉辰;周元基 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供了一种包括半导体存储器的电子设备，所述半导体存储器包括多个存储单元。所述多个存储单元中的每一个包括：第一电极层；可变电阻层，其设置在第一电极层之上；第二电极层，其设置在可变电阻层之上；以及界面电极层，其插置在第一电极层与可变电阻层之间或在第二电极层与可变电阻层之间，其中，界面电极层包括多孔含金属层。
电子设备及其制造方法

[发明专利]用于干法刻蚀的丙烯酸酯类负性光刻胶膜及其制备方法-CN202111569372.2在审
发明人： 周元基;向容 -专利权人：潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明涉及光刻胶技术领域，尤其是涉及用于干法刻蚀的丙烯酸酯类负性光刻胶膜及其制备方法。本发明提供了含有不饱和双键的有机金属化合物作为功能化合物在提高丙烯酸酯类负性光刻胶膜刻蚀比中的应用，所述含有不饱和双键的有机金属化合物中的不饱和双键能够与丙烯酸酯类树脂交联，生成不溶于碱的交联产物，而含有不饱和双键的有机金属化合物中含有金属元素能够对光刻后的干法刻蚀工序中的等离子体起到屏蔽作用，从而提高丙烯酸酯类负性光刻胶膜的刻蚀比。
用于刻蚀丙烯酸酯类负性光刻胶膜及其制备方法

[发明专利]光刻胶组合物、制备方法及应用和形成光刻胶图案的方法-CN202111483647.0在审
发明人： 周元基 -专利权人：潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶组合物、制备方法及应用和形成光刻胶图案的方法，具体涉及光刻胶技术领域。该光刻胶组合物包括聚对羟基苯乙烯均聚物和光致去活剂，两者的质量比为100‑600:2‑50。所述聚对羟基苯乙烯均聚物的重均分子量为1000‑20000。该光刻胶组合物光敏感性强，采用248nm深紫外光刻的光源曝光后，在500nm膜厚下，曝光剂量可以降低至10mJ/cm2以下。该聚对羟基苯乙烯均聚物无保护基团，能够参与交联，所以具有较高的碳原子含量，明显提高耐干法刻蚀性能，提高刻蚀比，大幅提高客户生产效率，降低生产成本。
光刻组合制备方法应用形成图案

[发明专利]正性光刻胶组合物及其制备方法、应用-CN202111417715.3在审
发明人： 周元基 -专利权人：潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明提供了一种正性光刻胶组合物及其制备方法、应用，涉及光刻胶制备的技术领域，包括：酚醛树脂、交联剂、酸性催化剂、光致去活剂以及任选的溶剂，其中，光致去活剂包括阴离子引发剂。本发明正性光刻胶组合物属于化学放大光刻胶，其中的酚醛树脂具有优异的物理化学性能、合适的溶解速度和良好的成膜性，在非曝光区，酸性催化剂催化交联剂与酚醛树脂发生交联反应，而在曝光区经365nm或436nm波长紫外光曝光后，阴离子引发剂产生的化合物会使酸性催化剂失活，不再催化交联反应。本发明解决了光刻胶的光敏感性差导致曝光剂量需求量大的技术问题，达到了光刻胶的光敏感性强，曝光剂量需求小，提高生产效率和降低生产成本的技术效果。
光刻组合及其制备方法应用

[发明专利]负性光刻胶组合物、制备方法及形成光刻胶图案的方法-CN202111476489.6在审
发明人： 周元基;孙逊运;向容 -专利权人：潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明提供了一种负性光刻胶组合物、制备方法及应用和形成光刻胶图案的方法，具体涉及光刻胶技术领域。该负性光刻胶组合物包括高硅树脂和光敏产酸剂。高硅树脂和光敏产酸剂的质量比为10‑70:0.5‑10。本发明提供的负性光刻胶组合物，使用具有良好化学稳定性以及绝缘性能的高硅树脂，能够降低负性光刻胶组合物的介电常数，介电常数低至2.8‑3.2，能够满足封装工艺的绝缘性要求，可以提高封装效率和效果，打破国外垄断，降低生产成本。
光刻组合制备方法形成图案

[发明专利]KrF负性光刻胶及其制备方法、应用-CN202111417731.2在审
发明人： 周元基 -专利权人：潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明提供了一种KrF负性光刻胶及其制备方法、应用，涉及光刻胶制备的技术领域，包括如下组分：聚对羟基苯乙烯共聚物、酸性催化剂、光致去活剂以及任选的溶剂，其中，聚对羟基苯乙烯共聚物包括含保护基团的聚对羟基苯乙烯共聚物，光致去活剂包括阴离子引发剂。本发明的KrF负性光刻胶，其在非曝光区时，酸性催化剂催化聚对羟基苯乙烯共聚物的保护基团脱落，而在曝光区经248nm波长紫外光曝光后，阴离子引发剂产生的化合物会使酸性催化剂失活，不再催化去保护基团。本发明解决了聚对羟基苯乙烯树脂在交联后难以湿法去胶的技术问题，达到了可以采用湿法去胶，通过常温浸泡即可将光刻胶去除干净的技术效果。
krf 光刻及其制备方法应用

[发明专利]利用光刻胶沉积金属构形的方法-CN201510425972.X有效
发明人：孙逊运;张盼;庄兆森;周元基;于凯 -专利权人：潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用光刻胶沉积金属构形的方法，包括：在基材的表面涂布光刻胶的步骤；将上述涂布完光刻胶的基材依次经烘烤、曝光、烘烤和显影处理的步骤，显影后得到的光刻胶图形的侧壁与基材表面的夹角在80°和100°之间；将金属沉积到经显影处理后的光刻胶图形表面，在光刻胶开口的地方金属则落到基材表面的步骤；将上述光刻胶表面上的金属去除的步骤；以及把光刻胶去除的步骤。以克服金属电极或金属导线的底部宽度远远大于顶部宽度的问题。
利用光刻沉积金属构形方法

[发明专利]光刻胶组合物及其制备方法和应用-CN202010331849.2在审
发明人：向容;刘聘;周元基 -专利权人：潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明涉及光刻胶技术领域，尤其是涉及一种光刻胶组合物及其制备方法和应用。光刻胶组合物，主要由按重量份数计的如下组分制成：成膜树脂20～40份、四苯基乙烯衍生物5～20份、交联剂2～20份、光敏剂0.5～20份和溶剂；所述四苯基乙烯衍生物为含羟基取代的四苯基乙烯类化合物；所述交联剂包括含有硝基的重氮树脂。本发明采用具有上述结构的四苯基乙烯衍生物结构与特定交联剂配合使用，四苯基乙烯衍生物具有一定的刚性，保证了光刻胶产品的高稳定性能；同时硝基的吸电子作用使重氮苯基发生异裂产生大量二苯胺阳离子，与四苯基乙烯衍生物结构上的羟基亲核基团反应交联，保证了热稳定性能、提高了膜层与衬底的附着力以及延长存储时间。
光刻组合及其制备方法应用

[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底的制备方法-CN201810242244.9有效
发明人：孙逊运;周元基;于凯 -专利权人：潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造，尤其是涉及一种图形化蓝宝石衬底的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(a)在蓝宝石衬底表面涂覆形成耐刻蚀涂层；(b)在耐刻蚀涂层表面涂覆含硅光刻胶形成含硅光刻胶层，光刻形成掩膜图形；(c)在含硅光刻胶层的保护下刻蚀耐刻蚀涂层，将掩膜图形转移至耐刻蚀涂层；(d)去除含硅光刻胶；(e)刻蚀耐刻蚀涂层和蓝宝石衬底，得到所述图形化蓝宝石衬底。本发明使用超薄厚度的含硅光刻胶结合耐刻蚀涂层，不仅具有高的耐刻蚀性能，而且通过接触式曝光同样保证了高的分辨率和良率要求，有效的控制了设备成本。
刻蚀衬底图形化蓝宝石硅光制备硅光刻胶层蓝宝石掩膜图形涂覆半导体制造接触式曝光衬底表面刻蚀性能设备成本涂层表面分辨率光刻良率去除保证

[发明专利]电子设备-CN201410184414.4有效
发明人：金孝俊;具滋春;闵盛奎;白承范;赵炳直;周元基;金显圭;李锺哲 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种半导体存储器可以包括：第一层叠结构，其包括设置在衬底之上并沿着第一方向延伸的第一字线、设置在第一字线之上并沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的第一位线、以及插入在第一字线和第一位线之间的可变电阻层；以及第二层叠结构，其包括设置在第一层叠结构之上并沿着第二方向延伸的第二位线、设置在第二位线之上并沿着第一方向延伸的第二字线、以及插入在第二字线和第二位线之间的第二可变电阻层；以及第一选择元件层，被插入在第一位线和第二位线之间。
电子设备

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