“周仲建”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果59个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种功率集成二极管芯片结构及其制作方法-CN201910306433.2在审
发明人：张少锋;周仲建 -专利权人：成都方舟微电子有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率集成二极管芯片结构及其制作方法，该结构包括从下至上依次层叠的下金属层、衬底、外延层、阱区、多晶硅层和正面金属层；位于外延层上部的阱区导电类型与外延层相反；多晶硅层与阱区通过氧化层进行隔离，多晶硅层分为N型区域和P型区域；在多晶硅层上部设置有介质层，介质层上方是正面金属层；通过上述半导体结构将电路中多个元器件集成于同一芯片中，使制作的半导体器件体积小，有利于小型化集成，且成本低。
多晶硅层外延层阱区二极管芯片正面金属层功率集成介质层制作半导体结构半导体器件元器件集成导电类型下金属层依次层叠体积小氧化层衬底电路隔离芯片

[发明专利]电压控制方法、器件，供电电路及电路系统与应用-CN201811377996.2在审
发明人：张少锋;王晓芹;周仲建;钟川 -专利权人：成都方舟微电子有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本发明公开了电压控制方法、器件，供电电路及电路系统与应用，其中，限制输出电压的方法，将N沟道耗尽型MOSFET接入电路，所述耗尽型MOSFET的源极S电位高于栅极G的电位，在源极S和栅极G之间接入负载。限制电压的器件，发明包括耗尽型MOSFET核，所述MOSFET核包括漏极D、栅极G、源极S；所述漏极D构成器件上用于与供电第一端连接的第一供电引脚a，栅极G构成器件上用于与供电第二端及负载第二端进行连接的第二供电引脚b，所述源极S构成器件上用于与负载连接的负载引脚c。本发明克服了传统供电电路缺点，简化了电路结构，节省了元器件，降低成本，提升了性能。
源极供电电路电位耗尽型MOSFET 电路系统电压控制供电引脚漏极供电电路结构负载连接负载引脚接入电路输出电压限制电压第一端元器件应用

[发明专利]一种动态电阻及芯片及电路-CN201811002311.6在审
发明人：张少锋;周仲建 -专利权人：成都方舟微电子有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态电阻及芯片及电路，所述动态电阻包括：一个N沟道耗尽型器件和一个P沟道耗尽型器件，N沟道耗尽型器件和P沟道耗尽型器件前后串联，N沟道耗尽型器件的源极与P沟道耗尽型器件的源极相连，N沟道耗尽型器件的栅极与P沟道耗尽型器件的漏极相连，P沟道耗尽型器件的栅极与N沟道耗尽型器件的漏极相连，N沟道耗尽型器件的漏极为动态电阻电流输入端，P沟道耗尽型器件的漏极为动态电阻电流输出端；具有电路损耗小，对浪涌电流完全隔离；与采用PTC热敏电阻相比较，具有响应快，电隔离更彻底，电路发热小等优点。
耗尽型器件动态电阻电路漏极源极芯片电流输出端电流输入端电路损耗浪涌电流完全隔离电隔离发热串联响应

[外观设计]便携式消毒器-CN201830224336.5有效
发明人： 周仲建 -专利权人：深圳金玫瑰智能科技有限公司
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：便携式消毒器。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于各种餐具消毒。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的整体形状设计。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
外观设计便携式消毒器餐具消毒整体形状图片

[实用新型]一种紫外灯光安全保护装置-CN201820299525.3有效
发明人： 周仲建 -专利权人：深圳金玫瑰智能科技有限公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01J5/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外灯光安全保护装置，包括：面壳、电路板、紫外灯管、开关固定座、斜面导向滑动开关和锁紧盖；其中紫外灯管安装在电路板上，并且电路板位于面壳和开关固定座扣合形成的空腔内；斜面导向滑动开关安装在开关固定座上；开关固定座外侧面设置有外螺纹，并且外螺纹形成的螺纹槽内开设有斜面导向滑动开关窗口；锁紧盖内侧面设置有与开关固定座匹配的内螺纹；锁紧盖与开关固定座通过螺纹滑动连接；本实用新型能够有效防止使用过程中紫外光遮蔽盖意外打开，避免了使用人员受到紫外光辐射伤害，从而消除了使用紫外光过程中存在的安全隐患；采用旋转的操作方式控制紫外光的开闭，有效避免了紫外光开闭误操作带来的辐射伤害。
开关固定座电路板紫外光滑动开关斜面导向锁紧盖安全保护装置本实用新型紫外灯管紫外灯光外螺纹开闭面壳紫外光辐射安全隐患侧面设置滑动连接中紫外光螺纹槽内螺纹外侧面误操作遮蔽盖螺纹伤害空腔内开匹配辐射

[外观设计]便携式消毒器-CN201830019970.5有效
发明人： 周仲建 -专利权人：深圳金玫瑰智能科技有限公司
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：便携式消毒器。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于消毒。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
外观设计便携式消毒器消毒图片

[外观设计]剥蛋器（捣蛋熊）-CN201830092061.4有效
发明人： 周仲建;文明友 -专利权人：文明友
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： 07-06 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：剥蛋器(捣蛋熊)。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于剥蛋壳。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的整体形状设计。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
外观设计剥蛋器蛋壳整体形状图片

[发明专利]一种功率缓冲二极管芯片结构及其制作方法-CN201711115543.8在审
发明人：张少锋;周仲建 -专利权人：成都方舟微电子有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率缓冲二极管芯片结构及其制作方法，该结构包括从下至上依次层叠的下金属层、衬底和外延层，外延层上形成有深扩散区域，深扩散区域上形成有阱区，所述阱区上形成有浅层扩散区域，阱区上形成有沟道电阻区域，沟道电阻区域与深扩散区域和浅层扩散区域相连，外延层、阱区的导电类型与衬底的导电类型相同，浅层扩散区域、深扩散区域的导电类型与衬底的导电类型相反；浅层扩散区域上设置有功率缓冲二极管的另一电极，浅层扩散区域与电阻区域的连接部上设置有介质层，深扩散区域和阱区的连接部上设置有金属。通过上述半导体结构将电路中多个元器件集成于同一芯片中，使制作的半导体器件体积小，有利于小型化集成，且成本低。
一种功率缓冲二极管芯片结构及其制作方法

[发明专利]高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法-CN201510551061.1有效
发明人：张少锋;周仲建;钟川 -专利权人：成都方舟微电子有限公司
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法。所述芯片包括由一个以上元胞构成的功率MOS芯片有源区、打线区，所述有源区包括源极、多晶硅栅、漏极，所述打线区包括分别用于源极、多晶硅栅进行打线的源极打线区、多晶硅栅打线区；其特征在于，进一步包括二极管区，所述二极管区包括第一齐纳二极管、第二齐纳二极管；第二齐纳二极管并联在多晶硅栅与源极之间，第一齐纳二极管与多晶硅栅串联。以及公开了基于所述芯片所封装形成的器件，以及提高功率MOS器件阈值电压的方法。本发明通过器件芯片布局设计使器件阈值得到提升，而且这些齐纳二极管可以使器件抗ESD能力得到大幅度提升。
阈值电压功率 mos 芯片器件提高方法

[外观设计]消毒盒（安全骑士Q3）-CN201730062435.3有效
发明人： 周仲建 -专利权人：深圳金玫瑰智能科技有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称消毒盒（安全骑士Q3）。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于消毒杀菌。3．本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。
消毒安全骑士 q3

[发明专利]集成ESD保护的耗尽型功率MOS器件及其制备方法-CN201410060184.0有效
发明人：蒲奎;周仲建 -专利权人：成都方舟微电子有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成ESD保护的耗尽型功率MOS器件及其制备方法，所述方法包括场氧化层生长，环区光刻和环区屏蔽氧化层生长；环区推结和环区氧化层再生长；有源区光刻；阱区屏蔽氧化层生长；ESD多晶硅淀积，ESD离子注入；ESD多晶硅光刻和刻蚀；阱区较高温推结和阱区屏蔽氧化层去除；VTH屏蔽氧化层生长；栅氧生长，栅极多晶硅淀积；栅极多晶硅光刻和刻蚀；源区光刻和离子注入，源区推结；ILD氧化层淀积，接触孔光刻和刻蚀；金属淀积，金属光刻和刻蚀，背面减薄和背面金属化。本发明的优点是制造的耗尽型MOSFET器件能够有效地减小ESD多晶硅二极管的泄漏电流，提高了该器件抗ESD冲击的能力。
集成 esd 保护耗尽功率 mos 器件及其制备方法

[发明专利]低功率应用的IGBT功率器件及其制造方法-CN201410059061.5有效
发明人：方伟;周仲建 -专利权人：成都方舟微电子有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功率应用的IGBT功率器件及其制造方法，所述方法包括对硅衬底的正面进行半导体杂质注入或扩散操作；对进行半导体杂质注入或扩散操作后的正面进行腐蚀处理；对硅衬底的背面进行P型离子注入，形成P区域；对硅衬底的背面设置沟槽；对沟槽表面进行N型离子注入，形成N区域；对所述的P区域和N区域进行扩散操作；对硅衬底进行外层封装处理。本发明的优点是在不影响器件本身耐压能力的情况下通过增加沟槽，P型离子注入以及只在沟槽表面进行的N型离子注入，能够分别提高低压IGBT的开启和关断时间，以达到极低的开启压降和快速的反向关断恢复时间的发明目的。
功率应用 igbt 器件及其制造方法

[实用新型]音视频插座及音视频电子设备-CN201320544953.5有效
发明人：曾庆优;周仲建;宋永红 -专利权人： TCL通力电子（惠州）有限公司
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01R13/514 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种音视频插座及音视频电子设备，音视频插座包括绝缘插座本体及设置于插座本体上的音视频插孔，插座本体为与音视频插孔同心的中空圆柱体，插座本体除与音视频插孔对应的位置外均密封，本实用新型的音视频插座的外形尺寸更小，对外形设计的限制较小，密封性好。
视频插座电子设备

[发明专利]机芯传动机构错位自动复位方法及系统-CN201110426069.7有效
发明人：杨静华;张俊;周仲建;姚金凤;郭石坤;王爱东 -专利权人： TCL通力电子（惠州）有限公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： G11B17/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种机芯传动机构错位自动复位方法及系统，其方法包括：当主控芯片检测到机芯传动机构的齿条滑块处于出仓错位状态时，向机芯传动机构的马达发送反转信号；马达根据反转信号发生反转，使齿轮传动组带动齿条滑块及齿条返回至初始位置。本发明在机芯出仓动作后预定延时内，通过主控芯片是否检测到触动开关的闭合信号来判断机芯传动机构是否错位，若未检测到触动开关的闭合信号，主控芯片向马达提供反向电压，使马达发生反转，驱动齿轮传动组使齿条滑块及齿条返回至初始位置，实现机芯自动复位，使机芯能够正常进出仓，避免了机芯错位时齿条滑块与齿条干涉卡死，提高了机芯传动机构的工作有效性。
机芯传动机构错位自动复位方法系统

首页
«上一页
1
2
3
4
共 59 条