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[发明专利]一种图案化金属氧化物层的制备方法-CN202310696108.8在审
发明人：赵俊;吴衍青;邰仁忠 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/32 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化金属氧化物层的制备方法，包括步骤：S1：在衬底上旋涂一定厚度的PMMA光刻胶；S2：利用电子束或极紫外光刻获得PMMA光刻胶图形；S3：采用原子层沉积进行金属氧化物层的精确厚度沉积，该可沉积厚度的选定条件为，当沉积厚度小于某阈值时，保证只形成PMMA光刻胶渗入金属氧化物所形成的渗透层，而不形成纯的金属氧化物层；S4：再利用电子束或极紫外光刻对全区域进行曝光，以去除所有的PMMA光刻胶以及渗透层，显影，清洗，即得。根据本发明，可制备纳米尺度的精细图案，同时实现了金属氧化物层膜厚的埃级精确控制，还有效减少了由于刻蚀工艺所造成的过刻蚀和界面损伤等影响，提供了一种新的器件加工思路。
一种图案金属氧化物制备方法

[发明专利]一种同步辐射高次谐波驱动的等离子体极紫外光源-CN202310663728.1在审
发明人： 吴衍青;卢启鹏;龙家丽;芶富均;胡智民 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：本发明提供一种同步辐射高次谐波驱动的等离子体极紫外光源，包括来自于靶材发生器的靶材、以及对准靶材的同步辐射产生装置，同步辐射产生装置设置为将带有高次谐波的同步辐射主脉冲引入并照射到等离子体上，所述等离子体极紫外光源还包括产生并向靶材发射电离靶材的波束以得到等离子体的等离子体产生装置，波束为高功率激光或高能量的同步辐射预脉冲。本发明的等离子体极紫外光源将带有高次谐波的同步辐射作为驱动光源与等离子体作用，高效激发产生一定波长的高功率极紫外光，从而有效利用现有同步辐射光源杂余波，实现极紫外光的高功率输出。
一种同步辐射谐波驱动等离子体紫外光源

[发明专利]一种同步辐射X射线干涉光刻自适应曝光装置及方法-CN202211152104.5在审
发明人：薛超凡;杨树敏;赵俊;吴衍青;王勇;邰仁忠 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种同步辐射X射线干涉光刻自适应曝光装置，包括可拆卸地安装在一起的离线距离调整组件和在线自适应曝光组件；离线距离调整组件包括光栅支架、安装于其上的掩膜光栅、插设于其中的距离调节杆、用于将距离调节杆锁紧在光栅支架的锁紧螺丝；在线自适应曝光组件包括与距离调节杆的面向掩模光栅的一端挤压配合的待测样品、与离线距离调整组件的背离掩模光栅的一侧连接的力传感器，待测样品安装于样品支架上，力传感器测量待测样品在垂直于待测样品所在平面的方向受到的压力。本发明还提供相应的自适应曝光方法。本发明的自适应曝光装置可以在曝光时避免光栅与样品间的相对位移，并在调节曝光区域时保证光栅与样品间的距离满足要求。
一种同步辐射射线干涉光刻自适应曝光装置方法

[发明专利]一种精确缩短节距值的自溯源光栅标准物质制备方法-CN202010575620.3有效
发明人：程鑫彬;邓晓;刘杰;顾振杰;李同保;赵俊;杨树敏;吴衍青;邰仁忠 -专利权人：同济大学;中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种精确缩短节距值的自溯源光栅标准物质制备方法，该方法基于激光汇聚原子沉积技术和软X射线干涉光刻技术，制备百纳米尺度及以下的小节距溯源标准物质，包括以下步骤：1)获取掩膜版基板；2)采用激光汇聚原子沉积技术，在掩膜版基板上，沉积制备掩膜版；3)获取光刻胶样品，该光刻胶样品包括光刻胶和第二衬底；采用掩膜版，通过软X射线干涉光刻技术，对光刻胶进行曝光和显影，得到光刻胶光栅结构；4)将光刻胶光栅结构转移到第二衬底上，获取自溯源光栅标准物质。与现有技术相比，本发明制备的自溯源光栅标准物质具有高精度、溯源性和精确缩短节距值等优点。
一种精确缩短节距值溯源光栅标准物质制备方法

[发明专利]一种光栅单色器的优化方法-CN201910062914.3有效
发明人：薛超凡;吴衍青;王勇;邰仁忠 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G01J3/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种光栅单色器的优化方法，其包括以下步骤：步骤S0，提供一光源、一前置聚焦镜、一平面镜以及一变线距光栅；步骤S1，使所述光源发出的光线经过所述前置聚焦镜汇聚后入射至所述平面镜，再由所述平面镜反射至所述变线距光栅，最后通过所述变线距光栅将产生的衍射光汇聚至一聚焦点；步骤S2，以所述前置聚焦镜的焦点作为一虚光源，调节所述前置聚焦镜的焦距，以使所述虚光源与所述变线距光栅之间的距离等于所述聚焦点与所述变线距光栅之间的距离；步骤S3，根据光栅方程与所述变线距光栅的聚焦条件，计算所述变线距光栅的聚焦系数。本发明在使用变线距光栅的情况下变包含角光栅单色器依然可以选择不同的聚焦常数，从而实现灵活的工作模式。
一种光栅单色优化方法

[发明专利]一种多功能同步辐射干涉曝光实验平台及实验方法-CN202010635450.3在审
发明人：赵俊;梁兆峰;杨树敏;薛超凡;王连升;吴衍青;邰仁忠 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种多功能同步辐射干涉曝光实验平台，沿光路走向依次包括同步辐射光源发生装置、第一柱面反射镜、第二柱面反射镜、孔径光阑、用于测量入射光强度的第一光电二极管、待测透射光栅、级选光阑以及透射图像接收装置，在所述级选光阑和所述透射图像接收装置之间设有多功能样品架，所述多功能样品架包括用于夹持样品的样品夹、第二光电二极管以及镂空观察孔，所述第二光电二极管与所述样品位于同一照射平面，所述透射图像接收装置对准所述镂空观察孔。本发明的多功能同步辐射干涉曝光实验平台及实验方法能够修正曝光时间来补偿曝光过程中光强波动所产生的影响，同时，可以实现衍射效率的快速测量以及极紫外光刻胶灵敏度性能的准确评估。
一种多功能同步辐射干涉曝光实验平台方法

[发明专利]一种基于自溯源光栅的极紫外光刻胶质量检测装置和方法-CN202010575583.6在审
发明人：赵俊;梁兆峰;杨树敏;薛超凡;王连升;吴衍青;邰仁忠;程鑫彬;邓晓;顾振杰;唐朝辉;李同保 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所;同济大学
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及基于自溯源光栅的极紫外光刻胶质量检测装置和方法，方法包括以下步骤：1)利用原子光刻技术制备掩膜光栅；2)获取涂有待测极紫外光刻胶膜层的衬底；3)基于获取的掩膜光栅，对所述衬底进行双光栅干涉，获取待测光刻胶图形；4)根据自溯源特性，基于所述掩膜光栅的周期节距值，计算待测光刻胶图形的理论周期节距值，并以待测光刻胶图形的理论周期节距值为标尺，判断待测极紫外光刻胶的质量。与现有技术相比，本发明通过原子光刻技术制备掩膜光栅，具有测量学上周期节距的自溯源性，可以为EUV光刻胶测量数据提供直接的精准标尺，解决了测量设备所带来的实验误差，提高了极紫外光刻胶质量检测的精度。
一种基于溯源光栅紫外光刻胶质检测装置方法

[发明专利]一种原位光通量监测及曝光剂量补偿方法-CN201810214561.X有效
发明人：薛超凡;胡纯;刘平;吴衍青;王连升;杨树敏;赵俊;郑丽芳;邰仁忠 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位光通量监测及曝光剂量补偿方法，该方法通过采用光电二极管在光刻实验开始前对经过出射狭缝进入真空腔体内的主光束的光通量进行测量，并在进行实验曝光时对经过出射狭缝进入真空腔体内的强度与主光束成正比的杂散光的光通量进行监测，从而根据杂散光的光强变化实时调整各个光刻区域的曝光时间，由此对曝光剂量进行补偿，以使曝光剂量在XIL大面积曝光图形拼接过程中保持不变，从而确保最终获得的大面积曝光图形内的纳米结构均匀，进而有效提高这种曝光图形形成的器件性能。
一种原位光通量监测曝光剂量补偿方法

[发明专利]一种闪烁体探测系统-CN201610118507.6有效
发明人： 吴衍青;于怀娜;陈媚;邰仁忠;赵俊;荣丽媛 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种闪烁体探测系统，其包括：闪烁体，其入射面接受X射线的照射，其出射面上设置有光子晶体；光学成像装置，其接收从所述闪烁体转化输出的可见光信号，并输出样品透射成像图；以及与所述光学成像装置连接的GPU工作站，其接收所述样品透射成像图，并利用图像恢复算法对该样品透射成像图并行化进行图像反卷积运算，以实时恢复所述样品透射成像图的成像分辨率。本发明提高了能量分辨率、时间分辨率、探测灵敏度，大大缩短测量时间，降低辐射剂量，进一步提升同步辐射在检测限度、探测深度等方面的优势，对生物学，医学等学科的研究具有非常重要的意义。
一种闪烁探测系统

[发明专利]一种同步辐射软X射线无损实时位置分辨电离室-CN201611088759.5有效
发明人：薛超凡;吴衍青;王勇;邰仁忠 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01J47/02 文献下载
摘要：本发明提供一种同步辐射软X射线无损实时位置分辨电离室，包括密封壳体以及在所述密封壳体中上下平行对置的高压电极板和收集电极板，其特征在于，所述收集电极板呈矩形，并由两个呈直角三角形的微通道板模块拼接而成。本发明通过将收集电极板设计为由两个呈直角三角形的微通道板模块拼接而成，从而可利用微通道板模块对电流信号放大的作用，使得电离室即使工作在高真空下，也可以输出能够被检测到的电流，进而实现对软X射线光束强度、位置的无损实时监测。
一种同步辐射射线无损实时位置分辨电离室

[实用新型]一种同步辐射软X射线无损实时位置分辨电离室-CN201621304472.7有效
发明人：薛超凡;吴衍青;王勇;邰仁忠 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01J47/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种同步辐射软X射线无损实时位置分辨电离室，包括密封壳体以及在所述密封壳体中上下平行对置的高压电极板和收集电极板，其特征在于，所述收集电极板呈矩形，并由两个呈直角三角形的微通道板模块拼接而成。本实用新型通过将收集电极板设计为由两个呈直角三角形的微通道板模块拼接而成，从而可利用微通道板模块对电流信号放大的作用，使得电离室即使工作在高真空下，也可以输出能够被检测到的电流，进而实现对软X射线光束强度、位置的无损实时监测。
一种同步辐射射线无损实时位置分辨电离室

[发明专利]利用同步辐射大面积快速制备颜色滤波器的方法及装置-CN201510259584.9有效
发明人：张冬仙;吴青峻;胡晓琳;史斌;孙理斌;杨树敏;王连升;赵俊;薛超凡;吴衍青;邰仁忠 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用同步辐射大面积快速制备颜色滤波器的方法及装置。本发明利用同步辐射软X射线照射四光栅组，通过挡板滤去其他衍射级次，只保留一级衍射条纹形成干涉图样，对玻璃基底上的光刻胶曝光形成周期性二维孔状微纳结构，通过精确控制样品台的二维平移，实现快速大面积拼接曝光。后续用电子束蒸镀技术将金属蒸镀于孔中，并通过超声清洗机剥离光刻胶实现玻璃基底上二维金属圆柱微纳结构阵列的颜色滤波器制备。本发明具有精度高、速度快、装置结构简单、易于操作等优点。制备出的滤波器具有大面积、偏振无关、超高透射率等特点，在色彩合成图像显示、图像传感器、数码摄像机、投影仪等领域的实际应用中具有重要作用。
利用同步辐射大面积快速制备颜色滤波器方法装置

[发明专利]一种同步辐射X射线大面积干涉光刻系统-CN201510666500.3在审
发明人：薛超凡;吴衍青;刘海岗;杨树敏;王连升;赵俊;邰仁忠 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种同步辐射X射线大面积干涉光刻系统，其包括：依次排列的波荡器光源、多个反射聚焦镜、掩膜光栅、具有光阑孔的级选光阑、具有观察孔的样品台、铝膜以及CCD探测器。本发明通过在掩膜光栅与样品之间增设级选光阑，并通过CCD探测器确保掩膜光栅与级选光阑的位置对准，从而使级选光阑能够可靠遮挡经过掩膜光栅分束产生的0级光，避免该0级光照射到样品上，以使样品上产生的±1级衍射光相干区域的周围不存在0级光区域，由此即可通过移动样品台实现样品上的有效曝光区域的大面积拼接。同时本发明还通过采用反射聚焦镜以及铝膜对X射线进行滤波，从而使得CCD探测器能够清楚观察到掩膜光栅与级选光阑的相对位置，从而即可确保两者的对准精度。
一种同步辐射射线大面积干涉光刻系统

[发明专利]一种制备表面增强拉曼光谱基底的方法及其基底-CN201510069685.X在审
发明人：刘星;邰仁忠;吴衍青;杨树敏;赵俊;王连升;薛超凡 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明提供一种制备表面增强拉曼光谱基底的方法，包括：提供基片层；在基片层上通过蒸镀或溅射形成粘附层；在粘附层上通过蒸镀或溅射形成金属薄膜层；在金属薄膜层上通过蒸镀或溅射或化学气相沉积或薄膜湿法转移形成绝缘层；在绝缘层上通过X射线干涉光刻形成金属纳米结构阵列层，其包括：旋涂光刻胶；在120-180℃下蒸发光刻胶中的水分；X射线干涉曝光；用显影液显影；固化显影后的光刻胶；在有序纳米结构的表面沉积金属薄膜层；去除多余的金属和光刻胶。本发明还涉及一种表面增强拉曼光谱基底，包括基片层粘附层、金属薄膜层、绝缘层和金属纳米结构阵列层。根据本发明的表面增强拉曼光谱基底同时具备良好的灵敏度和稳定性。
一种制备表面增强光谱基底方法及其

[发明专利]p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法-CN201410406410.6无效
发明人：杨铁莹;赵俊;李晓龙;高兴宇;薛超凡;吴衍青;邰仁忠 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供一种p型SnO薄膜的制备方法，以SnO陶瓷靶为靶材，采用射频磁控溅射在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜，其中，衬底温度为150-300℃，溅射功率为50-150W，工作气体为Ar气，气压为0.5-2.0Pa，气体流量为50-100sccm，相比现有先室温沉积再退火的技术，本制备方法简单易行，适合大规模生产，通过优化衬底温度、溅射功率、气压等工艺参数，大大减少了薄膜内部缺陷，提高了空穴迁移率，大幅提高了p型SnO薄膜的结晶质量和电导率，再以SnO2:Sb陶瓷靶为靶材，通过射频磁控溅射在该p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜以形成p-n结二极管，可有效提高p-n结二极管的稳定性和光电性能，由此制得的p-n结二极管具有阈值电压高、漏电流低、制备简单、成本低等特点，可用作透明电子器件的基本元件。
sno 薄膜及其二极管制备方法

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