“吴方锐”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]提高刻蚀均匀性的方法-CN202211263109.5在审
发明人：张猛;吴方锐;张鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种提高刻蚀均匀性的方法，提供衬底，衬底上形成有多个栅极结构；栅极结构包括依次叠加的栅介质层和金属栅，在栅介质层和金属栅之间具有功函数层；其中，部分不同栅极结构中的功函数层的厚度不同；利用功函数层相对于金属栅高选择比的第一刻蚀气体刻蚀每个功函数层；利用金属栅相对于功函数层高选择比的第二刻蚀气体刻蚀每个金属栅。本发明通过先刻蚀功函数层，再刻蚀金属栅，对功函数层的侧向刻蚀减少，提高了刻蚀均匀性。
提高刻蚀均匀方法

[发明专利]后栅工艺中多晶硅伪栅去除方法-CN202210597549.8在审
发明人： 吴方锐 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种后栅工艺中多晶硅伪栅去除方法，包括：步骤一、提供有伪栅极结构并完成了第零层层间膜生长工艺的半导体衬底，对第零层层间膜进行平坦化并停止在多晶硅伪栅顶部的第二氮化硅层表面上；步骤二、进行所述第二氮化硅层的去除工艺，包括：步骤21、进行非选择性的第一次刻蚀，使第二氮化硅层的顶部表面和第零层层间膜的顶部表面同时降低；步骤22、进行选择性的第二次刻蚀，第二次刻蚀停止在多晶硅伪栅顶部的第一氧化层表面上并将剩余的第二氮化硅层完全去除；步骤三、进行以多晶硅伪栅为停止层的化学机械研磨工艺；步骤四、去除多晶硅伪栅。本发明能提高打开多晶硅伪栅表面的化学机械研磨的工艺窗口并减少不同区域的研磨负载。
工艺多晶硅伪栅去除方法

[发明专利]一种降低FinFET源漏接触电阻的复合工艺方法-CN202210493743.1在审
发明人：安浩伟;蔡汉伦;吴方锐 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种降低FinFET源漏接触电阻的复合工艺方法，硅基底上形成有多个Fin结构，每个Fin结构上形成有外延结构，外延结构的表面形成有氧化层；对外延结构表面的氧化层进行PCXT预清洗，使得氧化层的厚度变薄；对进行PCXT预清洗后的外延结构表面的氧化层进行SiCoNi清洗。使得氧化层的厚度进一步变薄；对进行SiCoNi清洗后的外延结构表面的氧化层进行湿法清洗，直至氧化层被完全去除为止。本发明在增加湿法清洗时长的基础上，结合PCXT Ar+离子体轰击及与SiCoNi湿法刻蚀手段结，以去除外延层上的氧化层残留物，为在Ti/TiN沉积以及TiSi Soak Anneal结束后形成TiSi低阻相提供了有利的界面条件，最终起到了有效降低源漏接触电阻的作用。
一种降低 finfet 漏接触电复合工艺方法

[发明专利]高介电常数金属栅MOS晶体管-CN202110059785.X在审
发明人：魏程昶;苏炳熏;何德彪;吴方锐 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数金属栅MOS晶体管，高介电常数金属栅包括：栅介质层、金属功函数层、顶部盖帽层以及金属导电材料层；栅介质层中包含有高介电常数层；金属功函数层位于栅介质层的顶部；顶部盖帽层位于金属功函数层和金属导电材料层之间，顶部盖帽层采用具有防止金属导电材料层的金属向底部扩散到金属功函数层中的材料且采用非晶结构，以减少或消除氧扩散路径，从而减少或消除对金属功函数层表面的氧化。本发明能防止金属功函数层的顶部表面被氧化而使功函数产生偏移并从而防止器件的阈值电压产生漂移。
介电常数金属 mos 晶体管

[发明专利]MOS器件的形成方法-CN201610756357.1在审
发明人： 吴方锐;赵杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种MOS器件的形成方法，包括提供包括第一区域和第二区域的基底；在所述第一区域以及第二区域基底上形成第一氧化层；在所述第二区域的第一氧化层上形成牺牲层，所述牺牲层的材料与所述第一氧化层的材料不同；在所述第二区域的牺牲层上形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀去除位于所述第一区域的第一氧化层；去除所述光刻胶层；去除所述牺牲层，暴露出所述第二区域的第一氧化层表面；在所述第一区域基底上以及第二区域的第一氧化层上形成第二氧化层；在所述第一区域以及第二区域的第二氧化层上形成栅电极层。本发明提高了形成的MOS器件的电学性能。
mos 器件形成方法

[实用新型]一种接触孔搭桥测试结构-CN201420103460.2有效
发明人：周俊;刘丽丽;赵丽丽;吴方锐 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种接触孔搭桥测试结构，包括：形成于一半导体衬底上的绝缘介质层；贯穿所述绝缘介质层的若干接触孔；形成于所述接触孔中的第一金属插塞和第二金属插塞；与所述第一金属插塞连接的第一插塞链和与所述第二金属插塞连接的第二插塞链，相邻的第一金属插塞与第二金属插塞的间距在0.1～0.2μm之间。通过测试所述接触孔搭桥测试结构是否有电流通过，即可判断被测半导体衬底是否发生接触孔搭桥缺陷。
一种接触搭桥测试结构

[实用新型]一种源漏极漏电流测试结构-CN201420147276.8有效
发明人：赵丽丽;吴方锐;周俊;刘丽丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种源漏极漏电流测试结构，包括：形成于一半导体衬底中的若干隔离沟槽、形成于所述隔离沟槽中的填充层、形成于所述隔离沟槽之间的第一掺杂区、以及第二掺杂区，所述填充层为弯折结构。弯折结构的转角处最容易产生位错，当产生位错时，就能测到有源区和衬底的源漏极漏电流，进而通过所述测试结构判断器件区中源漏极是否漏电及漏电的严重程度。
一种源漏极漏电测试结构

[发明专利]用芳基乙炔单体制备碳泡沫的方法-CN200610118307.7无效
发明人：甘礼华;吴方锐;王曦;刘明贤;陈龙武 -专利权人：同济大学
申请日： 2006-11-13 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：用芳基乙炔单体制备碳泡沫的方法，涉及碳泡沫的制备技术。首先选取纯度90～94％以上，间苯乙炔和对苯乙炔的质量比为5∶2的芳基乙炔单体为原料。接着按比例加入发泡剂正戊烷和匀泡剂吐温80，升温搅拌，滴加固化剂硫酸，继续恒温搅拌，在固化过程中发泡，获得部分固化的泡沫体。然后用丙酮溶液浸泡清洗上述泡沫体以去除其中的匀泡剂和固化剂。再将其分级完全固化：120℃恒温干燥2h，150℃恒温干燥2h，180℃恒温干燥2h，200℃恒温干燥2h，氮气氛围中350℃后处理4h，得到聚芳基乙炔泡沫。最后将其沫在氮气氛围中以10℃/min由室温加热到900℃，恒温180min让其碳化，再缓慢降至室温，即得到碳泡沫。本发明工艺简便、设备要求低，同时解决了碳泡沫产物结构不易控制和机械性能差两大难题。
用芳基乙炔单体制备泡沫方法

1
共 8 条