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[发明专利]一种P型PbSe光电薄膜的敏化方法-CN202111436517.1有效
发明人：刘军林;蒋志远;吕全江;刘桂武;乔冠军 -专利权人：江苏大学
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及光电薄膜，特指一种P型PbSe光电薄膜的敏化方法。首先将沉积于衬底上的P型PbSe薄膜置入强氧化剂溶液中进行氧化处理，在P型PbSe光电薄膜表面形成PbSexO1‑x，0.2≤x≤0.8化合物，其次将氧化处理后的P型PbSe光电薄膜浸入含碘化合物溶液中进行碘化处理，使得P型PbSe光电薄膜表面的PbSexO1‑x化合物转化成碘化物，完成碘元素的引入，最后在含氧气氛中进行退火处理，使得P型PbSe光电薄膜表面形成n型的PbSexO1‑xIy化合物，0.2≤x≤0.8,0.3≤y≤0.7，完成敏化处理。本发明很好地解决了现有PbSe敏化处理工艺存在的问题，同时简单方便，可重复性好。
一种 pbse 光电薄膜方法

[发明专利]多重渐变Al组分的深紫外LED外延片及深紫外LED-CN202310240432.9在审
发明人：曹一伟;杨天鹏;刘军林;吕全江;韩晓翠 -专利权人：马鞍山杰生半导体有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种多重渐变Al组分的深紫外LED外延片及深紫外LED，涉及半导体发光器件技术领域，该深紫外LED外延片中设置有三角形末垒层和多重连续渐变Al组分电子阻挡层；在三角形末垒层中，Al组分沿生长方向先增加后减少；多重连续渐变Al组分电子阻挡层包括N个周期的Al组分渐变层；在Al组分渐变层中，Al组分沿着生长方向由m渐变到n。本发明能够提升深紫外LED的量子效率。
多重渐变 al 组分深紫 led 外延

[发明专利]提高p型空穴注入层空穴浓度的深紫外LED外延结构-CN202310257309.8在审
发明人：曹一伟;杨天鹏;刘军林;吕全江;韩晓翠 -专利权人：马鞍山杰生半导体有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种提高p型空穴注入层空穴浓度的深紫外LED外延结构，包括衬底、AlN缓冲层、n型掺杂AlGaN层、AlGaN多量子阱发光区、AlGaN电子阻挡层、超晶格界面量子点结构p型空穴注入层和p型GaN欧姆接触层；超晶格界面量子点结构p型空穴注入层包括多个周期的p型AlN超晶格垒层、GaN量子点层和p型AlGaN超晶格阱层；GaN量子点层包括多个GaN量子点；多个GaN量子点分布在p型AlN超晶格垒层和p型AlGaN超晶格阱层的交界面处。本发明可以有效的降低高Al组分的p型空穴注入层中Mg受主激活能，提高p型空穴注入层中的空穴浓度，从而提高器件的载流子注入效率。
提高空穴注入浓度深紫 led 外延结构

[发明专利]一种具有复合支撑层的MEMS红外光源及其制备方法-CN202211444594.6在审
发明人：刘军林;吕全江;侯海港;刘桂武;乔冠军;郝俊操;夏松敏;陈杰 -专利权人：微集电科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明属于光电技术领域，具体涉及一种具有复合支撑层的MEMS红外光源及其制备方法。该MEMS红外光源包括衬底、支撑层、发热电极层、红外发射层；以及两条发热电极焊盘。其中，衬底中包含一个台体型的镂空结构；支撑层设于衬底上，并在衬底下方形成一个空腔结构以使得支撑部分悬浮。发热电极层位于支撑层上方，两条发热电极焊盘均位于发热电极层上，红外发射层位于发热电极焊盘内，并使得红外发射层的分布区域位于悬浮区内。支撑层采用由多个不同材质的结构层交替排列构成复合结构；在支撑层中与发热电极层相邻的结构层为介质层。本发明解决了现有衬底掏空型MEMS红外光源在光电性能、使用寿命，以及产品良率和成本等方面无法达到平衡的问题。
一种具有复合支撑 mems 红外光源及其制备方法

[发明专利]一种MEMS红外光源的制造方法-CN202211326807.5在审
发明人：刘军林;吕全江;侯海港;刘桂武;乔冠军;郝俊操;夏松敏;陈杰 -专利权人：微集电科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明属于光电技术领域，具体涉及一种MEMS红外光源的制造方法。该制造方法用于制造一种衬底和支撑层之间含有特殊空腔和反射层的MEMS红外光源。包括如下步骤：(1)衬底的掩膜处理；(2)腐蚀窗口制备；(3)各向异性腐蚀；(4)反射层制备；(5)一次抛光；(6)牺牲层制备；(7)二次抛光；(8)支撑层制备；(9)发热电极层制备；(10)发热电极焊盘制备；(11)红外发射层制备；(12)移除窗口制备；(13)牺牲层去除。工艺原理是：先蚀刻凹坑，再用牺牲层填平凹坑，然后在平面上生成各功能层，最后开设连通凹坑的移除窗口，去除牺牲层，完成产品制造。本发明生产的产品可以解决现有MEMS红外光源光电转换效率不高、产品良率低等问题。
一种 mems 红外光源制造方法

[发明专利]一种光电转换效率提升的MEMS红外光源-CN202211310539.8在审
发明人：刘军林;吕全江;侯海港;刘桂武;乔冠军;郝俊操;夏松敏;陈杰 -专利权人：微集电科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明属于光电技术领域，具体涉及一种光电转换效率提升的MEMS红外光源。该光源包括从下至上依次叠加的衬底、支撑层、发热电极层、红外发射层；以及与发热电极层电连接的两条发热电极焊盘。衬底的上表面设有向下凹陷的凹坑，凹坑包括一个水平的底面以及呈坡面状的侧壁。衬底呈四边固支结构与上方的支撑层相接，并在二者之间形成空腔结构。凹坑上口的围合区域位于两条发热电极焊盘的内侧，且沿发热电极焊盘的延伸方向上的分布区域超出发热电极焊盘的范围。支撑层中设有至少一个贯穿的牺牲窗口。凹坑底面和侧壁上设有完整的反射层。本发明解决了现有MEMS红外光源中衬底和反射层的结构设计可能造成的器件热容升高、抗逆性和耐用性较差等问题。
一种光电转换效率提升 mems 红外光源

[实用新型]一种能效与寿命均衡型MEMS红外光源的衬底结构-CN202223073241.8有效
发明人：刘军林;吕全江;侯海港;刘桂武;乔冠军;郝俊操;夏松敏;陈杰 -专利权人：微集电科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及红外光源领域，特别是涉及一种能效与寿命均衡型MEMS红外光源的衬底结构。该衬底结构为MEMS光源的底部支撑结构，衬底结构包括衬底和支撑层；衬底的中央包含一个上下贯穿型的通孔；支撑层位于衬底上方并与衬底形成四边固支结构，进而使得衬底下方产生一个空腔。在支撑层中，位于空腔上方的部分区域形成悬浮区，悬浮区周围的区域为与衬底直接接触的承托区；发光结构中的红外发射层位于正对支撑层中悬浮区的位置。其中，支撑层采用由不同金属层和介质层按照预设数量和顺序交替排列构成复合结构；在支撑层中，与发热电极层相邻的结构层为介质层。本实用新型可以使得MEMS红外光源在光电转换效率、产品使用寿命和制造成本等方面实现平衡。
一种能效寿命均衡 mems 红外光源衬底结构

[发明专利]一种应用于单通道铅盐光电探测器的微弱信号采集电路-CN202211331297.0在审
发明人：刘军林;刘子刚;吕全江;刘桂武;乔冠军 -专利权人：江苏大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01J5/22 文献下载
摘要：本发明属于红外光电信号采集技术领域，主要涉及一种应用于单通道铅盐光电探测器的微弱信号采集电路系统，用于采集铅盐红外光电探测器的信号。其包括：分压匹配电阻单元模块、隔直滤波电路单元模块、信号放大电路单元模块、模数转换单元模块以及数字信号采集处理单元模块。本发明在原有技术基础之上提出了一种可应用于单通道红外光电探测器低噪声、微弱信号采集电路。在对微弱的光电信号进行滤波处理之后并对信号进行放大，从而避免了光电信号被多种大噪声干扰，甚至淹没。因此，采用本信号采集电路系统能够更好地采集和分析光电信号，最终提高信号的精度和信噪比。
一种应用于通道光电探测器微弱信号采集电路

[实用新型]一种MEMS红外光源的衬底结构-CN202222813687.3有效
发明人：刘军林;吕全江;侯海港;刘桂武;乔冠军;郝俊操;夏松敏;陈杰 -专利权人：微集电科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及红外光源领域，特别是涉及一种MEMS红外光源的衬底结构。该衬底结构为MEMS光源的底部支撑结构，包括衬底、支撑层以及发射层。衬底结构上负载MEMS光源的发光结构。其中，衬底上表面的中央设有向下凹陷的凹坑，凹坑包括一个水平的底面以及呈坡面状的侧壁。凹坑的上口至少完整覆盖上方的红外发射层。反射层完整覆盖在衬底中凹坑的内壁上；反射层用于反射2‑14微米波长的红外线。支撑层覆盖在衬底上表面，支撑层和衬底呈四边固支结构相接，二者之间形成空腔结构。支撑层中设有与下方的衬底中的凹坑连通的牺牲窗口；牺牲窗口与发热电极层相切或相离。本方案可以克服传统MEMS红外光源因底向热传导和红外辐射等造成的光电转换效率不高的问题。
一种 mems 红外光源衬底结构

[发明专利]一种钽酸锂热释电红外探测器及其制造方法-CN202210876237.0在审
发明人：刘军林;吕全江;刘桂武;乔冠军 -专利权人：江苏大学
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L37/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制备领域，特别是涉及一种钽酸锂热释电红外探测器及其制造方法。本发明采用具有四边固支基板的悬膜结构，在悬膜与支撑基板之间引入绝缘隔热材料，降低探测器的热导，提升探测率。同时，在绝缘隔热材料上制备了通孔，通过在通孔中填充导电材料实现电极与支撑基板的导通，在保证满足导电性的同时，对探测器热导的影响很小。本发明采用两步法减薄钽酸锂晶片，首先利用减薄效率高的机械研磨抛光减薄或离子束刻蚀减薄技术，使钽酸锂晶片接近目标厚度值，然后再利用化学腐蚀减薄去除前一步减薄的损伤层，并达到最终的目标厚度值。采用两步法减薄，既具有快速的减薄特点，同时又避免了钽酸锂晶片存在损伤层的问题。
一种钽酸锂热释电红外探测器及其制造方法

[发明专利]一种常开型硅衬底高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN202011320469.5有效
发明人：刘军林;吕全江 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常开型硅衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。晶体管包括硅衬底、外延结构、漏极电极、漏极欧姆接触金属层、源极电极和栅极电极，其特征在于：源极电极和漏极电极分别位于器件的上下两侧，可改善平面结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管面临的问题，同时有利于与硅器件的集成，采用选区硅衬底外延生长，使硅衬底上的AlGaN/GaN外延层分隔成相互独立小图形，大大降低了硅衬底与AlGaN/GaN外延层之间的应力累积，解决了外延薄膜的开裂、弯曲等问题，同时可以提升器件的制造良率和可靠性。
一种常开衬底电子迁移率晶体管及其制造方法

[发明专利]一种常开型高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN202011320490.5有效
发明人：刘军林;吕全江 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常开型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。晶体管包括硅衬底、外延结构、漏极电极、漏极欧姆接触金属层、钝化层、源极电极和栅极电极，其特征在于：源极电极和漏极电极分别位于器件的上下两侧，可改善平面结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管面临的问题，采用选区硅衬底外延生长，使硅衬底上的AlGaN/GaN外延层分隔成相互独立的小图形，大大降低了硅衬底与AlGaN/GaN外延层之间的应力累积，解决了外延薄膜的开裂、弯曲等问题，同时可以提升器件的制造良率和可靠性。
一种常开电子迁移率晶体管及其制造方法

[发明专利]一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制造方法-CN202011621672.6有效
发明人：刘军林;吕全江 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，特指一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制造方法。本发明在GaN基HEMT外延膜生长的过程中，通过图形化硅衬底生长技术将HEMT外延膜设计成以HEMT单元尺寸规则排列的分立外延层，大大降低了外延膜与硅衬底之间的应力累积，利用非常简单的缓冲层便可以解决龟裂问题，同时外延片在生长过程中翘曲程度大幅下降，温度均匀性和材料的均匀性显著改善。本发明解决了现有硅衬底GaN基HEMT外延生长过程中应力控制和HEMT外延膜中残余应力带来的不利影响，具有性能一致性好、制造良率高以及可靠性好等优点。
一种 algan gan 电子迁移率晶体管制造方法

[发明专利]一种常闭型高电子迁移率晶体管及制造方法-CN202011621679.8有效
发明人：刘军林;吕全江 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常闭型高电子迁移率晶体管及制造方法。本发明通过两次选区外延的方法，对栅极位置的栅极AlGaN层和P型层，以及栅极之外区域的AlGaN势垒层可以单独进行设计和生长，组分，厚度等可精确控制，从而实现阈值电压、导通时栅极下方的二维电子气浓度和导通时栅极之外导电沟道的二维电子气浓度的最优化设计，互不干扰，同时整个制造过程中没有涉及干法刻蚀，而是代之以湿法选择性腐蚀，最大程度的保护了晶体管表面质量，避免了干法刻蚀带来的不利后果。基于本发明制造方法获得的常闭型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其高阈值电压、阈值电压一致性、低导通电阻、高稳定性等性能可以兼得。
一种常闭型高电子迁移率晶体管制造方法

[发明专利]一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构及其制备方法-CN202110197020.2有效
发明人： 吕全江;刘军林;刘桂武;乔冠军 -专利权人：江苏大学
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光器件领域，特指一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构及其制备方法。所述二极管结构包括：P电极、基板、键合金属层、反射金属层、高阻半导体层、P面接触电极、P型层、发光层、N型层、N型欧姆接触层、N电极。在P型层与反射金属层之间设有高阻半导体层，在N电极正下方之外区域的高阻半导体层内留有空缺，并在空缺处设有P型接触电极与P型层相连。这种结构不仅能调控电流走向，同时高阻半导体层和P型层是一体的，且反射金属层与半导体高阻层的粘附力也远高于反射金属层与介质层的粘附力，从而解决了由于介质层带来的粘附力差的问题。
一种薄膜 algainp 发光二极管结构及其制备方法

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