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[发明专利]一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池-CN202210744789.6有效
发明人：王子谦;孟庆超;翟金叶;张伟;郎芳;徐卓;王红芳;马红娜;赵学玲;潘明翠;王平;张文辉;吝占胜;张雷;吴萌萌;王钰蕾;张任远;张莉沫;李英叶;张丽娜;李锋;史金超 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层及硼原位掺杂非晶硅层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼氧化硅层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。本发明提供的一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，大大简化了背接触电池背场和背发射极制备工艺步骤，降低电池成本。
一种太阳能电池制备方法

[实用新型]一种隧穿氧化钝化接触电池掺杂多晶硅层制备工艺腔室-CN202222368955.5有效
发明人：马红娜;李锋;史金超;张文辉;王子谦;王平;赵学玲;翟金叶;郎芳;潘明翠;王红芳;徐卓 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种隧穿氧化钝化接触电池掺杂多晶硅层制备工艺腔室，属于太阳能电池技术领域。本实用新型提供的一种隧穿氧化钝化接触电池掺杂多晶硅层制备工艺腔室，包括工作室以及吹扫清洁组件，工作室的内腔中设置有靶材、运输轨道以及载片舟，载片舟用于承载硅片，载片舟在运输轨道上进行传送，靶材位于运输轨道的正下方；吹扫清洁组件包括吹扫管路以及抽真空管路，吹扫管路设置在靶材的上方，吹扫管路通入高压气体，高压气体击碎掉落的硅片，抽真空管路设置在工作室内腔，抽真空管路将击碎的硅片碎片抽出。本实用新型提供的一种隧穿氧化钝化接触电池掺杂多晶硅层制备工艺腔室，可有效清除掉落在靶材上的硅片，避免影响后续生产。
一种氧化钝化接触电池掺杂多晶制备工艺

[发明专利]一种高光电转换效率光伏组件及其制备方法-CN202211134612.0在审
发明人：郑炯;荣丹丹;邢少辉;麻超;李亚彬;史金超;于波;冯天顺 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明涉及光伏组件技术领域，具体公开了一种高光电转换效率光伏组件及其制备方法，通过电池片切片技术实现电学优化，通过电池片和电池串间隙放置定向反光材料实现光学优化，具体为二分切电池片串联的电池串与四分切电池片串联的电池串共同组成完整光伏组件，三分切电池片串联的电池串与六分切电池片串联的电池串共同组成完整光伏组件，并在电池片和电池串间隙放置定向反光材料。本发明将电学优化和光学优化技术同时集成在光伏组件设计中，实现组件的高光电转换效率。具有考虑全面、技术综合等优点。
一种光电转换效率组件及其制备方法

[发明专利]一种硅片单面刻蚀抛光的方法-CN202011065493.9有效
发明人：汤欢;郎芳;马红娜;郭宝军;赵学玲;张伟;李锋;史金超;闫英丽;李青娟;闫兰;王子谦;张雷;潘明翠;田思;唐磊;王新建;吴翠姑;刘莹;李英叶 -专利权人：英利能源（中国）有限公司;河北省凤凰谷零碳发展研究院
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明具体公开一种硅片单面刻蚀抛光的方法。所述方法包括：将硅片下表面浸泡在混酸溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2‑4μm，所述混酸溶液为体积比1:3‑5:1.5‑2的氢氟酸溶液、硝酸溶液和硫酸溶液的混合溶液；然后再浸泡到碱溶液和抛光添加剂的混合溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2.5‑4μm；然后再经碱洗、水洗、酸洗、水洗、干燥。本发明提供的酸体系一次刻蚀抛光和碱体系二次刻蚀抛光相结合的工艺，不但可最大限度地保护硅片正面的硼硅玻璃层，还能提高硅片背面的平整度，减少硅片背面的表面缺陷密度，从而有利于提高LPCVD制备的隧穿氧化层和多晶硅层的均匀度和致密度，进而提高电池的转换效率，且工艺简单，可控性强。
一种硅片单面刻蚀抛光方法

[发明专利]一种硅抛光面的清洗方法-CN202211125312.6有效
发明人：徐卓;王红芳;王平;张文辉;于全庆;李锋;史金超;于波 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司;英利能源（中国）有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种硅抛光面的清洗方法。所述清洗方法包括以下步骤：依次采用混合酸液和纯水分别对硅片进行清洗，得一级处理片，其中，所述混合酸液为包括磷酸、氟硼酸和硝酸的水溶液；依次采用碱性混合液和纯水分别对所述一级处理片进行清洗，得二级处理片，其中，所述碱性混合液为包括强碱和乙醇的水溶液；依次采用氧化液和纯水分别对所述二级处理片进行清洗，烘干，得抛光硅片，其中所述氧化液为包括氢氟酸和双氧水的水溶液。本发明提供的清洗方法能有效去除抛光工序残留的微小颗粒，降低表面粗糙度，改善表面形态；还能去除表面残留的有机物及金属离子，有利于后续钝化工艺，能够提升光电转换效率。
一种抛光清洗方法

[发明专利]一种光伏组件层压设备及层压工艺-CN202211064831.6在审
发明人：刘莹;陈志军;史金超;吴萌萌;李英叶;尚琪;田思;张莉沫;张任远;张丽娜;崔晓叶;周艳双;刘亚静;杨雯;于添;王钰蕾 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B32B37/10 文献下载
摘要：本发明公开一种光伏组件层压设备及层压工艺，包括：下壳体，下壳体内设置有传动机构，固定孔内固接有抵接机构，下壳体内腔中部设置有加热机构；上壳体的内腔中部固接有限位板，限位板的下方设置有密封盖，密封盖的顶部两侧分别设置有升降机构，密封盖底面设置有密封件，密封盖一侧外壁设置有真空发生机构，密封盖的另一侧外壁设置有进气机构，上壳体内腔顶面固接有压紧气缸，缓冲壳体底面固接有压紧机构，压紧杆的底部贯穿缓冲孔固接有缓冲板，缓冲板和缓冲壳体之间固接有弹簧，限位板的底部设置有导向机构。本发明可实现压紧机构逐渐增大对光伏组件的压力，避免了压力突然施加过大造成光伏板组件的损坏，提高了生产质量。
一种组件层压设备工艺

[发明专利]一种高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法-CN202210952950.9有效
发明人：郑炯;于波;史金超;邢少辉;张向前;王帆;冯天顺;麻超;陈志军 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展(天津)有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及光伏组件制备方法技术领域，具体公开了一种高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法，在异质结电池组件制造端，提供一种降低异质结电池切割损失和提升电池片排布空间利用率的方法，进而提升异质结电池组件的光电转换效率，并通过封装材料光谱特性的选型设计，降低紫外线对导电传输层的影响，同时采用无酸一体化复合背板，消除组件背面的电化学腐蚀隐患，保证组件效率的长期可靠性。
一种转换效率结晶电池组件制备方法

[实用新型]一种光伏组件边框及光伏组件-CN202221852929.3有效
发明人：荣丹丹;麻超;史金超;于波;李亚彬;冯天顺;耿亚飞;陈志军 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H02S30/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏组件边框，包括：支撑框架，支撑框架内部中空；上支架，上支架包括第一支架和第二支架，第一支架竖直设置，其底端与支撑框架的上边缘固定连接，第二支架水平设置于第一支架的左侧，并与第一支架的顶端衔接；第一支架、第二支架以及第二支架左侧的支撑框架构成夹持部，第二支架右侧的支撑框架为支撑部；下支架，下支架底部为支撑座，顶部与支撑框架下边缘连接，下支架与支撑部位置对应，其高度与第一支架对应；上支架与下支架相对于支撑框架“错位设置”，并在支撑框架上构成支撑部，运输时可将多个光伏支撑框架能够叠放设置，大大减少运输时设备的占用空间，减少运输成本。
一种组件边框

[发明专利]MWT太阳能电池的制备方法-CN202210923601.4在审
发明人：翟金叶;王子谦;王红芳;郎芳;潘明翠;马红娜;赵学玲;王平;徐卓;李锋;史金超 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种MWT太阳能电池的制备方法，属于光伏电池的制备技术领域，包括在n型基底正面的制绒面上进行磷掺杂形成一层n+掺杂层；在n型基底背面进行硼掺杂形成一层p+掺杂层；利用激光在完成掺杂后的硅片上设置贯穿孔；利用激光在贯穿孔周围刻划形成一个去除p+掺杂层的闭合环形槽；采用化学清洗去除制备过程中的损伤层并进行钝化处理；将完成减反钝化层制备后的硅片上进行贯穿孔的金属化、背面金属化电极和正面金属化电极制备。本发明制备的电池能够解决常规n型MWT电池正面栅线导引至背面过程中pn结导通漏电，并随着时间延长和测试次数增加，漏电逐渐增大，最终电池衰减速度快，使用寿命短的问题。
mwt 太阳能电池制备方法

[发明专利]一种背接触电池的制备方法及背接触电池-CN202210737855.7有效
发明人：王子谦;孟庆超;翟金叶;张伟;郎芳;徐卓;王红芳;马红娜;赵学玲;潘明翠;王平;张文辉;吝占胜;张雷;吴萌萌;王钰蕾;张任远;张莉沫;李英叶;张丽娜;李锋;史金超 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种背接触电池的制备方法及背接触电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和硼硅玻璃层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼硅玻璃层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。本发明提供的一种背接触电池的制备方法及背接触电池，大大简化了背接触电池背场和背发射极制备工艺步骤，降低电池成本。
一种接触电池制备方法

[实用新型]一种光伏组件引线连接强度测试装置-CN202221649965.X有效
发明人：陈志军;刘莹;吴萌萌;李英叶;张莉沫;张任远;尚琪;张丽娜;崔晓叶;周艳双;刘亚静;杨雯;于添;史金超;于波 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏组件引线连接强度测试装置，包括测试平台，测试平台底端四角均固定连接有支撑腿，测试平台顶端一侧固定连接有固定座，固定座靠近测试平台顶端中部的一侧沿轴向等间距固定连接有若干测试弹簧的一端，测试弹簧的另一端设置有引线连接组件，引线连接组件与引线对应设置，测试平台顶端另一侧设置有测试组件，测试组件与接线盒对应设置，测试平台顶端两侧均设置有拉力记录组件，若干测试弹簧、引线连接组件和测试组件均位于两拉力记录组件之间，且若干测试弹簧均与拉力记录组件对应设置。本实用新型实现了光伏组件引线连接强度的测试，引线连接方便稳定，提高了测试效率，同时测试数值具体可视，保证了测试的精准。
一种组件引线连接强度测试装置

[发明专利]一种双面topcon电池的制备方法-CN202210778644.8在审
发明人：王红芳;徐卓;潘明翠;郎芳;翟金叶;李锋;陈志军;闫小兵;史金超;于波 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种双面topcon电池的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：对N型硅片进行双面制绒；对所述制绒后硅片进行背面抛光；在所述抛光后硅片的正面粘结镂空掩膜板，得预处理硅片；在所述预处理硅片的正背面分别形成双面设有钝化结构的第一硅片；去除所述第一硅片正面的镂空掩膜板；在所述硅片的正面进行硼扩散；在所述硅片的背面进行磷扩散；将所述硅片进行退火处理；在所述硅片的正面沉积氧化铝层，然后在正背面分别沉积减反射膜后印刷栅线电极，烧结，得所述双面topcon电池。本申请采用粘结方式将镂空掩膜板贴合于硅片正面，能够实现一次性完成隧穿钝化层在硅片正背面的沉积。
一种双面 topcon 电池制备方法

[发明专利]一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法-CN202011157169.X有效
发明人：汤欢;郭宝军;王静;赵学玲;王平;马红娜;郎芳;史金超;李锋;张伟;王子谦;翟金叶;潘明翠;王红芳;徐卓;王丙宽;张文辉 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。所述去绕镀方法包括如下步骤：在磷掺杂后的硅片背面制作水膜，用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层；将所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡，去除硅片正面的多晶硅，取出硅片水洗；将所得硅片置于KOH或NaOH与H2O2的混合溶液中浸泡，水洗后，置于盐酸溶液中浸泡，取出硅片水洗，浸泡处理均在对应的反应槽内完成，所述反应槽内部设有两组循环鼓泡系统。本发明提供的去绕镀方法能有效解决TOPCon电池的绕镀现象，保证产品的优良率，解决绕镀导致的外观问题，EL不合格问题，提高了电池转换效率。
一种用于 topcon 电池去绕镀方法制备

[发明专利]一种选择性钝化接触电池及其制备方法-CN202210680656.7在审
发明人：徐卓;王红芳;王平;张文辉;李锋;史金超;于波 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种选择性钝化接触电池及其制备方法。所述电池包括N型硅片，所述N型硅片的正表面上设有硼发射极，在所述硼发射极上设有金属栅线区和非栅线区，在所述正表面的栅线区域内由下往上依次为氧化硅/硼掺杂多晶硅叠层和正电极；在所述正表面的非栅线区域内由下往上依次为氧化铝层和第二氮化硅层；在所述N型硅片的背表面上设有氧化硅/磷掺杂多晶硅叠层，在所述氧化硅/磷掺杂多晶硅叠层上设有金属栅线区和非栅线区，在所述背表面的栅线区域内为背电极，非栅线区域内为第一氮化硅层。本发明提供的选择性钝化接触电池，其正表面仅栅线区域下存在钝化接触结构，背表面整面预设钝化接触结构，显著降低吸光效应。
一种选择性钝化接触电池及其制备方法

[发明专利]一种N型背接触太阳能电池及其制备方法-CN202210621074.1在审
发明人：王子谦;翟金叶;张伟;郞芳;孟庆超;徐卓;王红芳;马红娜;赵学玲;潘明翠;王平;张文辉;张雷;李峰;史金超 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种N型背接触太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括若干个并联的电池组，每个电池组包括若干个在水平方向串联的电池单元，所述电池单元包括第一硅片和第二硅片，每个硅片背光面上设有的N型区和P型区形成平面螺旋且镶嵌的图形，且所述第二硅片的图形是第一硅片的图形沿水平方向镜像得到。本发明利用氧化硅掩膜及去除掩膜，配合单面硼扩散、单面磷扩散工艺，能够在硅片的背光面上形成平面螺旋且镶嵌的N型区和P型区图形，并形成若干相邻的具有特定图形的独立电池单元，相邻电池单元之间可以通过组件焊接工艺进行串并联连接，从而实现不同的电池参数需求。
一种接触太阳能电池及其制备方法