“印从飞”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果129个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311127603.3在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有形核层、本征GaN层、N型半导体层、波长均匀性调控层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述波长均匀性调控层包括压应力提供层和张应力提供层，所述压应力提供层包括依次沉积的第一AlN层、AlGaN层、第二AlN层，所述张应力提供层包括依次沉积的第一InGaN层、InN层、第二InGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提高发光二极管的发光波长均匀性。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311108416.0在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述缓冲层包括依次沉积在所述衬底上的金属反射层、AlGaN层、多孔AlN层、AlN合并层和Si掺杂AlGaN层，所述金属反射层包括Al、Ga、In、Mg金属中的一种或几种的组合；所述N型半导体层包括依次沉积在所述缓冲层上的多孔GaN层、GaN合并层和Si掺杂GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提高有源区中光子逸出体材料的占比，即提高芯片的光提取效率，从而提高发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310545428.3在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型插入层、电子阻挡层、P型GaN层；所述P型插入层包括依次层叠在所述多量子阱层上的AlGaN层、Mg掺杂AlGaN层和Mg掺杂GaN层；所述AlGaN层中的Al组分含量高于所述Mg掺杂AlGaN层，所述Mg掺杂AlGaN层中的Mg组分含量低于所述Mg掺杂GaN层；所述P型插入层的生长温度低于所述多量子阱层的生长温度。本发明提供的发光二极管外延片能有效降低高温P型覆盖层对多量子阱层的影响，提升GaN基发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311055422.4在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、应力释放层、P型半导体层；所述缓冲层包括依次层叠在所述衬底上的Mg掺杂多孔AlN层、AlN/Si掺杂AlN超晶格层和Si掺杂AlGaN层；所述N型半导体层包括依次层叠在所述缓冲层上的Si掺杂多孔GaN层、GaN/Si掺杂GaN超晶格层、AlGaN层、GaN层和Si掺杂GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够减少外延材料在生长过程中缺陷的产生，降低材料的位错密度，改善外延片材料的质量，从而提高发光二极管外延片的良率和亮度等性能。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]发光二极管外延片及其制作方法-CN202310833898.X有效
发明人： 印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；第一多量子阱层为第一阱层和第一垒层交替层叠形成的周期性结构；第一阱层为InwB1‑wN层和InαGa1‑αN层交替层叠形成的周期性结构，第一垒层为第一Si掺GaN层；第二多量子阱层为第二阱层和第二垒层交替层叠形成的周期性结构，第二阱层为InxB1‑xN层和InβGa1‑βN层交替层叠形成的周期性结构，第二垒层为GaN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、波长均匀性。
发光二极管外延及其制作方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310883170.8在审
发明人：高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;程金连;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应变调控层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述应变调控层包括依次层叠于所述N型GaN层上的InAlN层、MgN纳米岛层、二维AlGaN层和InxGa(1‑x)N/GaN超晶格层。本发明提供的发光二极管外延片能够缓解现有技术中存在的晶体质量差，发光效率低且波长亮度均匀性偏低的问题。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311034813.8在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，该外延片包括外延片，包括衬底及层叠于衬底上的外延片，外延片包括沿外延方向依次层叠的电子阻挡层及P型层，电子阻挡层与P型层之间设有插入层；插入层包括沿外延方向依次层叠的第一空穴加速层、中间缓冲层及第二空穴加速层；第一空穴加速层为由第一MgN子层与AlInGaN子层周期性交替生长而成的超晶格结构，中间缓冲层为石墨烯层，第二空穴加速层为由第二MgN子层与InGaN子层周期性交替生长而成的超晶格结构。本发明可有效提升发光二极管的发光效率，增加外延片的表面平整度，提升抗静电能力。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310717883.7在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P‑GaN层和欧姆接触层，所述欧姆接触层包括依次层叠的AlN纳米柱层、P‑InGaN层和P‑BeGaN层；所述P‑InGaN层中P型掺杂的浓度＞所述P‑BeGaN层中P型掺杂的浓度。实施本发明，可提升发光二极管的亮度，降低工作电压，降低表面粗糙度，提高抗静电能力。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]高辐射发光二极管制备方法及发光二极管-CN202310443745.4在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;程金连;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高辐射发光二极管制备方法及发光二极管，制备方法包括：提供一衬底；依次在衬底上沉积缓冲层、N型GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，多量子阱层包括按第一周期交叉沉积在低温应力释放层上的InxGa1‑xN量子阱层和InyGa1‑yN超晶格量子垒层，x＞y，InyGa1‑yN超晶格量子垒层包括按第二周期交叉沉积的Mg掺第一垒层和第二垒层，Mg掺第一垒层采用3D模式沉积制成，第二垒层采用2D模式沉积制成。本发明提供的发光二极管，能够减弱多量子阱层中因极化效应而导致的能带倾斜现象，提高发光二极管的质量。
辐射发光二极管制备方法

[发明专利]LED外延片及其制备方法、LED-CN202310994188.5在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。LED外延片包括衬底和依次设于衬底上的缓冲层、三维生长层、二维填平层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述三维生长层包括依次层叠于所述缓冲层上的AlGaN岛层和第一GaN氧化层，所述二维填平层包括依次层叠于所述三维生长层上的GaN填平层和第二GaN氧化层，所述第一GaN氧化层为第一GaN层在含氧气氛中氧化而得，所述第二GaN氧化层为第二GaN层在含氧气氛中氧化而得，第一GaN氧化层的氧化温度小于第二GaN氧化层的氧化温度。实施本发明，可提升抗静电性能、发光效率。
led 外延及其制备方法

[发明专利]复合多量子阱有源层、高光效LED外延片及其制备方法-CN202310762010.8在审
发明人： 印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种复合多量子阱有源层、高光效LED外延片及其制备方法，涉及半导体技术领域，复合多量子阱有源层包括复合有源区以及设于复合有源区上的末阱有源区，复合有源区包括多个有源区，有源区包括周期性依次层叠设置的量子阱层、帽层以及量子垒层；末阱有源区包括依次设置的末量子阱层、末帽层以及末量子垒层，末量子阱层设于复合有源区的上方。本申请通过设置复合有源区以及末阱有源区形成复合多量子阱有源层，增加电子和空穴在有源区的复合浓度和效率，有效提升了发光二极管的光效。
复合多量有源高光效 led 外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310756687.0在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有第一半导体层、插入层、多量子阱层、第二半导体层，所述插入层包括依次层叠在所述第一半导体层上的第一BiGaN层、N型AlGaN层和第二BiGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能提升发光二极管的发光效率和抗静电能力。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310927151.0在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有形核层、本征GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层、欧姆接触层；所述P型半导体层包括依次层叠在所述电子阻挡层上的MgInN/P‑AlGaN超晶格层、WS2层和P‑GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提升空穴迁移率和空穴扩展能力，增加发光二极管外延片的发光强度。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202310893392.8在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种发光二极管外延片及其制备方法，包括衬底，所述衬底上沿外延方向依次设置有形核层、本征GaN层、N型半导体层、电子引导层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述电子引导层包括沿外延方向依次设置的第一电子储存层、第二电子拦截层及第三电子扩展层；所述第二电子拦截层的禁带宽度＞所述第三电子扩展层的最大禁带宽度＞所述第一电子储存层的禁带宽度。本发明的外延片发光波长和发光亮度分布均匀，抗静电能力佳。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310572852.7在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；多量子阱层包括势阱层和势垒层；每个势垒层均包括依次层叠的第一三元掺杂GaN层、SiGaN层和第二三元掺杂GaN层；所述第一三元掺杂GaN层的掺杂元素为Be、Mg和O，所述第二三元掺杂GaN层的掺杂元素为Be、Mg和O；所述第一三元掺杂GaN层的掺杂浓度与第二三元掺杂GaN层的掺杂浓度相同或不同。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、抗静电能力，降低其工作电压。
发光二极管外延及其制备方法

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
下一页»
尾页
共 129 条