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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光学系统、集成电路和形成集成电路的方法-CN202310180222.5在审
发明人：刘维纲;石志聪;卢皓彦;徐英杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明的各个实施例针对集成电路。集成电路包括具有上部面和下部面的衬底。上部面包括中心区域和横向地围绕中心区域并且从上部面延伸到下部面的外侧壁。设置在衬底的上部面上方的光学边缘耦合器，并且光学边缘耦合器在第一方向上从中心区域朝向外侧壁延伸。光学边缘耦合器的外侧壁对应于衬底的外侧壁并且具有凹陷表面或凸起表面。本发明实施例还提供了形成集成电路的方法和光学系统。
光学系统集成电路形成方法

[发明专利]包括光耦合集成电路芯片的半导体封装-CN202210814699.X在审
发明人：石志聪;卢皓彦;刘维纲;徐英杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及包括光耦合集成电路(IC)芯片的半导体封装。第一IC芯片和第二IC芯片在衬底的中央处上覆于衬底上。光子芯片上覆于第一IC芯片和第二IC芯片上并电耦合到第二IC芯片。激光器件芯片在衬底的外围处上覆于衬底上，与光子芯片和第二IC芯片相邻。光子芯片被配置为根据来自第二IC芯片的电信号来调制来自激光器件芯片的激光束并将经调制的激光束提供给第一IC芯片。这有利于第一IC芯片与第二IC芯片之间的光通信。本公开的各种实施例进一步涉及同时对准并接合半导体封装的组成物。
包括耦合集成电路芯片半导体封装

[发明专利]光学集成电路结构及其形成方法-CN202210262210.2在审
发明人：黄振浩;卢皓彦;许隨贏;李玥瑩;吴建瑩;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：一种光学集成电路结构及其形成方法，光学集成电路(IC)结构包括：基板，包括形成于基板上表面中且自基板的边缘延伸的光纤槽，及形成于上表面且自光纤槽延伸的底切；设置于基板上的半导体层；设置于半导体层上的介电结构；设置于介电结构中的互连结构；多个通风孔，其延伸穿过介电结构的耦合区域且曝光底切；光纤腔，其延伸穿过介电结构的耦合区域且曝光光纤槽；及设置于介电结构中的阻障环，阻障环围绕互连结构且在耦合区域的周边绕线。
光学集成电路结构及其形成方法

[发明专利]耦合系统、晶片以及晶片的制造方法-CN202210524495.2在审
发明人：黄振浩;卢皓彦;许隨赢;李玥瑩;吴建瑩;李建璋;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：一种耦合系统、晶片以及晶片的制造方法，耦合系统包括一光纤，光纤用以载运一光学信号。耦合系统进一步包括一晶片，晶片与光纤光学通信。晶片包括一基材。晶片进一步包括一光栅，光栅在基材的一第一侧上，其中光栅用以接收光学信号。晶片进一步包括一互连结构，互连结构处于在基材的第一侧上的光栅上方，其中互连结构界定与光栅对准的一空腔。晶片进一步包括一第一多晶硅层，第一多晶硅层在基材的一第二侧上，其中基材的第二侧与基材的第一侧对置。
耦合系统晶片以及制造方法

[发明专利]光学器件及其形成方法-CN202210037442.8在审
发明人：徐敏翔;汤承哲;卢皓彦;徐英杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明涉及光学器件及其形成方法。在一些实施例中，本公开涉及一种具有布置在衬底上方的第一波导和第二波导的器件。第一波导具有第一输入端子和第一输出端子，其中第一输入端子配置成接收光。第二波导横向布置在第一波导旁边，且具有第二输入端子和第二输出端子。第二波导的第二输入端子配置成接收光。第一波导进一步包含具有与第一波导的周围部分不同的结构的第一部分。第二波导进一步包含具有与第二波导的周围部分不同的结构的第二部分。第一波导在第一部分和第二部分处与第二波导以最大距离间隔开。
光学器件及其形成方法

[发明专利]半导体元件及其形成方法-CN202110396400.9在审
发明人：黄振浩;卢皓彦;许隨赢;李玥瑩;吴建瑩;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体元件及其形成方法，在半导体基板的硅层中形成至少一个掺杂硅区域，并且在硅层上方形成氧化硅层。含锗材料部形成在半导体基板中，以提供p‑n结或p‑i‑n结。p‑n结或p‑i‑n结具有含锗材料部和至少一个掺杂硅区域之一。在含锗材料部上方形成不含锗的覆盖材料层。在氧化硅层和覆盖材料层上方形成第一介电材料层。第一介电材料层包括凸台区域。凸台区域从含锗材料部抬升一个覆盖材料层的厚度。覆盖材料层可以是硅覆盖层，或者可以随后被去除以形成空腔。含锗材料部的暗电流减少了。
半导体元件及其形成方法

[发明专利]半导体器件以及用于形成半导体器件的方法-CN202110448356.1在审
发明人：石志聪;卢皓彦;徐英杰;斯帝芬鲁苏;周淳朴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：一种半导体器件。半导体器件包含位于第一介电层上方的波导。波导的第一部分具有第一宽度，且波导的第二部分具有大于第一宽度的第二宽度。半导体器件包含第一掺杂半导体结构和第二掺杂半导体结构。波导的第二部分位于第一掺杂半导体结构与第二掺杂半导体结构之间。
半导体器件以及用于形成方法

[发明专利]存储器装置以及存储器装置制造方法-CN201811398183.1有效
发明人： 卢皓彦;柯钧耀;徐英杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明一些实施例揭露一种存储器装置以及存储器装置制造方法。所述存储器装置包含：第一存储器单元，其包含：第一晶体管；第二晶体管；及第一电容器；第二存储器单元，其包含：第三晶体管；第四晶体管；及第二电容器；第三存储器单元，其包含：第五晶体管；第六晶体管；及第三电容器；及第四存储器单元，其包含：第七晶体管；第八晶体管；及第四电容器；其中所述第一电容器的电极、所述第二电容器的电极、所述第三电容器的电极及所述第四电容器的电极电连接到导体。还揭露一种相关联制造方法。
存储器装置以及制造方法

[发明专利]半导体器件及非易失性存储器阵列-CN201611202283.3有效
发明人： 卢皓彦;陈世宪;柯钧耀;徐英杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种半导体器件。半导体器件包含第一有源区、第二有源区和第三有源区、第一多晶硅区、第二多晶硅区、第三多晶硅区、第一掺杂区和第二掺杂区。第一有源区、第二有源区和第三有源区互相分离且平行。第一多晶硅区布置在第一有源区和第二有源区上方。第二多晶硅区布置在第一有源区和第二有源区上方。第三多晶硅区布置在第二有源区和第三有源区上方。第一掺杂区在第二有源区内且在第一多晶硅区和第二多晶硅区之间。第二掺杂区在第二有源区内且在第二多晶硅区和第三多晶硅区之间。本发明的实施例还提供了一种非易失性存储器阵列。
半导体器件非易失性存储器阵列

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN201610765878.3在审
发明人：陈世宪;卢皓彦;郭良泰;柯钧耀;徐英杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：非易失性存储器结构包括半导体衬底以及该半导体衬底中的第一掺杂剂类型的第一层。该非易失性存储结构还包括第一层上方的第二掺杂剂类型的第一阱区、第一层上方并且与第一阱区间隔开的第二掺杂剂类型的第二阱区、以及设置在第一阱区与第二阱区之间并且向下延伸至第一层的第一掺杂剂类型的第三阱区。本发明还提供了非易失性存储器及其制造方法。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]使用耦合沟道的反熔丝存储器及其操作方法-CN201210186455.8有效
发明人： 卢皓彦;陈信铭;杨青松 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开一种使用耦合沟道的反熔丝存储器及其操作方法，包括第一导电型的基底、第二导电型的掺杂区、耦合栅极、栅极介电层、反熔丝栅极及反熔丝层。基底中具有隔离结构。掺杂区设置于基底中，且在掺杂区与隔离结构之间定义出沟道区。耦合栅极设置于掺杂区与隔离结构之间的基底上，且耦合栅极与掺杂区相邻。栅极介电层设置于耦合栅极与基底之间。反熔丝栅极设置于耦合栅极与隔离结构之间的基底上，反熔丝栅极与耦合栅极间隔一间隙。反熔丝层设置于反熔丝栅极与基底之间。
使用耦合沟道反熔丝存储器及其操作方法

[发明专利]具有双功能的非挥发性半导体记忆单元-CN201210100317.3有效
发明人： 卢皓彦;陈信铭;杨青松 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2012-04-05 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双功能的非挥发性半导体记忆单元。该非挥发性半导体记忆单元包括基底、第一闸极、第二闸极、第三闸极、电荷储存层、第一扩散区、第二扩散区和第三扩散区。该第二闸极和该第三闸极是用以接收有关于该双功能中的可一次编程功能的第一电压和有关于该双功能中的可多次编程功能的第二电压。该第一扩散区是用以接收有关于该可一次编程功能的第三电压和编程功能有关于该可多次编程功能的第四电压。该第二扩散区是用以接收有关于该可多次编程功能的第五电压。因此，相较于现有技术，该非挥发性半导体记忆单元不仅具有较现有技术佳的效能，亦具有较现有技术简单的架构以实现该可一次编程功能和该可多次编程功能。
具有功能挥发性半导体记忆单元

[发明专利]非易失性存储器以及其编程与读取方法-CN201110410839.9无效
发明人：陈信铭;卢皓彦;王世辰;杨青松 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储胞的结构。一第一隔离结构设置于一基底以及一半导体层之间，以形成一硅覆绝缘结构。第一掺杂区位于部份的半导体层中。一栅极设置在第一掺杂区上。一栅极介电层设置在栅极以及第一掺杂区之间。一第二掺杂区设置在半导体层中并位于第一掺杂区以外的区域。第二隔离结构设置在第一隔离结构上，其中第二隔离结构包围且直接接触第一掺杂区以及第二掺杂区。
非易失性存储器及其编程读取方法

[发明专利]有机发光显示器及其相关的像素电路-CN200610138038.0有效
发明人： 卢皓彦;陈纪文;张鼎张 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：一种像素电路，包含第一至第五晶体管、存储电容以及发光元件。第一晶体管用于在受到一启动信号电压触发时，由供应电压端传送一供应电压。第二晶体管，用于在受到一扫描信号电压触发时，由接地端传送一接地电压。存储电容分别耦接于第一晶体管及第二晶体管。第三晶体管用于在受到扫描信号电压触发时，导通一数据信号电压。第四晶体管用于在没有受到扫描信号电压触发时，依据数据信号电压产生一导通电流。第五晶体管耦接于第二晶体管和存储电容的第二端，用于在没有受到扫描信号电压触发时，形成存储电容和第五晶体管的导通路径。发光元件耦接于第三晶体管，用于依照通过第三晶体管的导通电流发出光线。
有机发光显示器及其相关像素电路

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