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[发明专利]半导体存储器装置-CN202011498309.X在审
发明人： 劝兑晎;金燦镐;尹敬和;边大锡;尹治元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置。为了允许在半导体存储器装置中密集集成大量的堆叠字线，电荷泵被包括在半导体存储器装置中。电荷泵使用电容器。电容器相对于密集集成来实现。一些组件放置在堆叠的字线下面，一些组件不在堆叠的字线下面。不在堆叠字线下面的电容器的容量由并联结构部分地提供。
半导体存储器装置

[发明专利]存储器装置和计算机系统-CN202011008139.2在审
发明人：金泰孝;边大锡;劝兑晎;金燦镐;李泰润 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：公开了一种存储器装置和计算机系统。所述存储器装置包括：存储器区域，存储器区域包括第一存储器区域和第二存储器区域，第一存储器区域包括存储N位数据的第一存储器单元，第二存储器区域包括存储M位数据的第二存储器单元，其中，“M”和“N”是自然数，并且M大于N；以及控制器，被配置为使用第一读取操作读取存储在第一存储器区域中的数据，使用与第一读取操作不同的第二读取操作读取存储在第二存储器区域中的数据，并且基于数据的使用频率(FOU)选择性地将数据存储在第一存储器区域和第二存储器区域中的一个中。
存储器装置计算机系统

[发明专利]存储器设备、存储器系统以及自主驾驶装置-CN202011161755.1在审
发明人： 劝兑晎;边大锡;金灿镐;金泰孝 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种存储器设备，包括：第一存储区，包括具有多个每个用于根据N比特数据存取方案存储N比特数据的第一存储器单元的第一存储器单元阵列，和第一外围电路，用于控制第一存储器单元并安置在第一存储器单元阵列之下；第二存储区，包括具有多个每个用于根据M比特数据存取方案存储M比特数据的第二存储器单元的第二存储器单元阵列，和第二外围电路，用于控制第二存储器单元并安置在第二存储器单元阵列之下，第一存储区和第二存储区包括在单个半导体芯片中并共享输入和输出接口；和控制器，通过响应于接收由外部传感器获取的感测数据向感测数据应用存储在第一存储区中的权重生成计算数据，并根据权重将计算数据存储在第一存储区或第二存储区之一中。
存储器设备系统以及自主驾驶装置

[发明专利]存储器装置-CN202010774012.5在审
发明人： 劝兑晎;闵泳善;边大锡;尹敬和 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种存储器装置包括存储器单元阵列；行解码器，其通过多条串选择线、多条字线和多条地选择线连接至存储器单元阵列；以及共源极线驱动器，其通过共源极线连接至存储器单元阵列。存储器单元阵列位于上芯片中，行解码器的至少一部分位于下芯片中，共源极线驱动器的至少一部分位于上芯片中，并且上芯片的多个上接合焊盘连接至下芯片的多个下接合焊盘以将上芯片连接至下芯片。
存储器装置

[发明专利]非易失性存储器件-CN201911254549.2在审
发明人： 劝兑晎;金灿镐;边大锡;郭判硕;尹治元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件包括：衬底；存储单元串，包括垂直沟道结构和存储单元；电压发生器，包括第一晶体管，并且被配置为向所述存储单元提供各种电压；和垂直电容器结构。所述垂直电容器结构包括：第一有源图案和第二有源图案，布置为在第一水平方向上彼此分开；第一栅极图案，位于所述第一有源图案和所述第二有源图案之间的沟道区上方；第一栅极绝缘膜，在垂直方向上位于所述第一栅极图案和所述衬底之间；和电容器电极，均在所述垂直方向上延伸。所述第一晶体管包括第二栅极图案和在所述垂直方向上位于所述第二栅极图案和所述衬底之间的第二栅极绝缘膜。所述第一栅极绝缘膜在所述垂直方向上的厚度大于所述第二栅极绝缘膜在所述垂直方向上的厚度。
非易失性存储器

[发明专利]电荷泵和包括电荷泵的存储器件-CN201911087312.X在审
发明人：闵泳善;V.V.卡卢鲁;劝兑晎;金基元;徐圣鋎;B.A.詹久阿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种电荷泵包括：充电单元，包括连接在被配置为接收输入电压的输入端子和第一节点之间的第一n型晶体管、连接在输入端子和第二节点之间的第二n型晶体管、被配置为基于第一时钟信号控制第一n型晶体管的第一栅极控制元件和被配置为基于具有与第一时钟信号相反相位的第二时钟信号控制第二n型晶体管的第二栅极控制元件；第一泵浦电容器，包括连接到第一节点的一端和被配置为接收第一时钟信号的另一端；第二泵浦电容器，包括连接到第二节点的一端和被配置为接收第二时钟信号的另一端；和输出单元。
电荷包括存储器件

[发明专利]用于存储器装置的动态电力控制系统和存储器装置-CN201910806442.8在审
发明人： 劝兑晎;闵泳善;边大锡;徐圣鋎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供用于存储器装置的动态电力控制系统和存储器装置。一种用于存储器装置的动态电力控制系统包括：外部电力输入端，从所述存储器装置的外部的电力管理电路接收第一输出电流；可变电荷泵，接收第二输入电压和第二输入电流，将所述第二输入电压升高到第二输出电压，并且将所述第二输出电压和第二输出电流输出到所述存储器装置；以及反馈控制器，用于将所述第一输出电流和所述第一输入电流的比与所述第二输出电流和所述第二输入电流的比进行比较，并且根据比较结果，选择所述电力管理电路和所述可变电荷泵中的一个以向所述存储器装置供应电力。
用于存储器装置动态电力控制系统

[发明专利]非易失性存储器件及其高压开关电路-CN201810017036.9在审
发明人：宋仲镐;劝兑晎;李耀翰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件的高压开关电路包括高压晶体管、逻辑和高压开关。高压晶体管基于编程启动电压而导通，并且向第一存储块传送编程电压。所述逻辑基于使能信号和开关控制信号来产生路径选择信号，所述开关控制信号基于非易失性存储器件的操作参数或针对第一存储块的至少一部分的存取地址之一。在第一存储块上的编程操作期间激活所述使能信号。高压开关基于路径选择信号经由多个传送路径之一来向高压晶体管的栅极传送编程启动电压。结果，消除了由编程启动电压产生的负偏置温度不稳定性(NBTI)的影响。
非易失性存储器件高压晶体管启动电压编程高压开关电路开关控制信号路径选择信号存储高压开关使能信号负偏置温度不稳定性传送编程操作期间编程电压操作参数传送路径存取地址导通激活

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