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[发明专利]存储器装置-CN202010774012.5在审
发明人：劝兑晎;闵泳善;边大锡;尹敬和 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种存储器装置包括存储器单元阵列；行解码器，其通过多条串选择线、多条字线和多条地选择线连接至存储器单元阵列；以及共源极线驱动器，其通过共源极线连接至存储器单元阵列。存储器单元阵列位于上芯片中，行解码器的至少一部分位于下芯片中，共源极线驱动器的至少一部分位于上芯片中，并且上芯片的多个上接合焊盘连接至下芯片的多个下接合焊盘以将上芯片连接至下芯片。
存储器装置

[发明专利]电荷泵和包括电荷泵的存储器件-CN201911087312.X在审
发明人： 闵泳善;V.V.卡卢鲁;劝兑晎;金基元;徐圣鋎;B.A.詹久阿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种电荷泵包括：充电单元，包括连接在被配置为接收输入电压的输入端子和第一节点之间的第一n型晶体管、连接在输入端子和第二节点之间的第二n型晶体管、被配置为基于第一时钟信号控制第一n型晶体管的第一栅极控制元件和被配置为基于具有与第一时钟信号相反相位的第二时钟信号控制第二n型晶体管的第二栅极控制元件；第一泵浦电容器，包括连接到第一节点的一端和被配置为接收第一时钟信号的另一端；第二泵浦电容器，包括连接到第二节点的一端和被配置为接收第二时钟信号的另一端；和输出单元。
电荷包括存储器件

[发明专利]用于存储器装置的动态电力控制系统和存储器装置-CN201910806442.8在审
发明人：劝兑晎;闵泳善;边大锡;徐圣鋎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供用于存储器装置的动态电力控制系统和存储器装置。一种用于存储器装置的动态电力控制系统包括：外部电力输入端，从所述存储器装置的外部的电力管理电路接收第一输出电流；可变电荷泵，接收第二输入电压和第二输入电流，将所述第二输入电压升高到第二输出电压，并且将所述第二输出电压和第二输出电流输出到所述存储器装置；以及反馈控制器，用于将所述第一输出电流和所述第一输入电流的比与所述第二输出电流和所述第二输入电流的比进行比较，并且根据比较结果，选择所述电力管理电路和所述可变电荷泵中的一个以向所述存储器装置供应电力。
用于存储器装置动态电力控制系统

[发明专利]高电压切换电路、非易失性存储器件和存储系统-CN201910962886.0在审
发明人：金钟奎;闵泳善;边大锡;李镐吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：提供了高电压切换电路、非易失性存储器件和存储系统。该高电压切换电路包括第一晶体管、第一耗尽型晶体管、电平转换器、控制信号发生器、第二晶体管和第二耗尽型晶体管。第一晶体管响应于第一栅极信号，将第二驱动电压传输到输出端子。第一耗尽型晶体管响应于来自所述输出端子的反馈，将第二驱动电压传输到第一晶体管。控制信号发生器响应于电平转换后的使能信号，生成第一控制信号和第二控制信号。第二晶体管具有接收第一电压的栅电极，并且响应于第二晶体管的第一端处的第二控制信号而导通或截止。第二耗尽型晶体管连接在第二晶体管的第二端与所述输出端子之间，并且具有接收第一控制信号的栅电极。
电压切换电路非易失性存储器存储系统

[发明专利]包括电荷泵电路的存储器装置-CN201910822645.6在审
发明人：白洗献;边大锡;张基昌;闵泳善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；以及电压发生器，其被配置为将电压供应到存储器单元阵列。电压发生器包括电荷泵电路、开关电路和级控制器。电荷泵电路包括多个泵单元，并且被配置为根据多个泵单元中的已经接收到输入电压的泵单元的数量来输出泵电压和泵电流。开关电路被配置为输出泵电压。级控制器被配置为接收与泵电流相对应的输入信号，并执行产生用于控制将要被驱动的泵单元的数量的级控制信号的级控制操作。
包括电荷电路存储器装置

[发明专利]半导体封装、包括其的存储设备及操作半导体封装的方法-CN201910466682.8在审
发明人：罗荣浩;闵泳善;边大锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体封装包括第一存储器芯片至第三存储器芯片。第一存储器芯片布置在封装衬底上，第二存储器芯片布置在第一存储器芯片上，并且第三存储器芯片布置在第一存储器芯片与第二存储器芯片之间。第一存储器芯片至第三存储器芯片中的每一个包括存储数据的存储器单元阵列、应力检测器、应力指数发生器和控制电路。应力检测器形成并分布在衬底中，并响应于外部电压检测堆叠应力以输出多个感测电流。应力指数发生器将多个感测电流转换为应力指数代码。控制电路基于应力指数代码的至少一部分来调整与对应存储器芯片的工作电压相关联的特征参数的值。
半导体封装包括存储设备操作方法

[发明专利]用于生成读取/编程/擦除电压的补偿电路-CN201910486358.2在审
发明人： S.萨尔卡;V.V.卡卢鲁;闵泳善;林智薰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：补偿电路可以包括参考电流生成电路，该参考电流生成电路包括被配置为传送第一电流的第一宽度的第一晶体管。参考生成电路可以基于第一电流输出参考电流。补偿电路可以包括补偿电流生成电路，该补偿电流生成电路包括被配置为传送第二电流的第二宽度的第二晶体管。第二晶体管可以基于代码从第一组晶体管当中选择。第一组晶体管可以具有与第一宽度成比例的宽度。补偿电流生成电路可以基于第二电流输出具有与参考电流的幅度成比例地选择的幅度的补偿电流。补偿电路可以包括电流镜电路，该电流镜电路被配置为输出其幅度基于第二电流的幅度和第二宽度的补偿电压。
补偿电流生成补偿电路晶体管参考电流生成电路电流镜电路电路参考电流电流输出组晶体管配置传送补偿电流补偿电压生成电路输出参考

[发明专利]半导体存储器器件的电压生成电路及其方法-CN200810004578.9有效
发明人： 闵泳善;徐东一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-25 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：在半导体存储器器件的电压生成电路中，多个复位信号生成器中的每一个响应于多个外部源电压中的一个来独立地生成复位信号。多个外部源电压具有不同的电压电平。输出电压生成器响应于多个复位信号中相应的一个、通过独立地驱动多个外部源电压中的每一个来生成多个输出电压。输出电压生成器通过公共输出端输出多个输出电压。
半导体存储器器件电压生成电路及其方法

[发明专利]具有低漏电流的电平移位器-CN200510075561.9无效
发明人：金南钟;闵泳善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-06-06 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种电压电平移位电路，包括：第一级，其接收具有电压电平Vcc和Vss的输入信号，其中Vcc＞Vss，并输出互补第一和第二中间信号，其中，所述互补第一和第二中间信号具有电压电平VI_high和VI_low，其中VI_high＞VI_low；和第二级，其接收所述第一和第二中间信号，并输出互补第一和第二输出信号，其中所述互补第一和第二输出信号具有电压电平VO_high和VO_low，其中VO_high＞VO_low，其中VI_high＞VO_high或VO_low＜VO_low，和其中VO_high＞Vcc和VO_low＜Vss。
具有漏电电平移位

[发明专利]用于存储器件的隔离控制电路和方法-CN200510081939.6无效
发明人：崔钟贤;闵泳善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-07-08 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：一种半导体存储器，包括：存储单元阵列；读出放大器；隔离器件，被置于读出放大器和存储单元阵列的位线之间；以及电路，用于在隔离器件将位线与读出放大器电隔离时将包含于存储单元阵列的存储单元中的电荷传送到位线，并且，在将电荷传送到位线之后，用于使隔离器件将位线电连接到读出放大器。
用于存储器件隔离控制电路方法

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