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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911226106.2有效
发明人：余振华;刘醇鸿;陈明发;史朝文;叶松峯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：形成半导体结构的方法包括将顶部管芯的背面附接至底部晶圆的正面，底部晶圆包括多个底部管芯；在底部晶圆与顶部管芯相邻的正面上形成第一导电柱；在顶部管芯周围和第一导电柱周围的底部晶圆的正面上形成第一介电材料；并且切割底部晶圆以形成多个结构，多个结构中的每一个均包括至少一个顶部管芯和至少一个底部管芯。本发明的实施例还涉及半导体结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202210137523.5在审
发明人：蔡豪益;谢政杰;江宗宪;江慧君;黄子松;曾明鸿;庄立朴;翁崇铭;于宗源;刘醇鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种包括第一半导体晶粒、第二半导体晶粒、第一绝缘包封体、介电层结构、导体结构和第二绝缘包封体的半导体封装。第一半导体晶粒包括从半导体基底的第一侧延伸到第二侧的第一半导体基底和硅穿孔(TSV)。第二半导体晶粒设置在半导体基底的第一侧。第二半导体晶粒上的第一绝缘包封体封装了第一半导体晶粒。TSV的末端与第一绝缘包封体的表面共面。介电层结构覆盖了第一半导体晶粒和第一绝缘包封体。导体结构延伸穿过介电层结构并与硅穿孔接触。第二绝缘包封体与第二半导体晶粒、第一绝缘封装和介电层结构接触。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]组件管芯及其制造方法-CN202210962972.3在审
发明人：陈世伟;刘醇鸿;刘家宏;蔡豪益 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种组件管芯，其包括第一半导体管芯、第二半导体管芯、抗电弧层以及第一绝缘包封体。第二半导体管芯堆栈在第一半导体管芯上并且与第一半导体管芯电性连接。抗电弧层与第二半导体管芯接触。第一绝缘包封体设置在第一半导体管芯上且侧向地包封第二半导体管芯。此外，提供一种组件管芯的制造方法。
组件管芯及其制造方法

[发明专利]集成电路封装件和方法-CN201910162614.2有效
发明人：余振华;叶松峯;陈明发;陈宪伟;刘醇鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种器件封装件，包括：第一管芯，在界面处直接接合至第二管芯，其中，界面包括导体至导体接合。器件封装件还包括：密封剂，围绕第一管芯和第二管芯；和多个通孔，延伸穿过密封剂。多个通孔邻近第一管芯和第二管芯设置。器件封装件还包括：多个热通孔，延伸穿过密封剂；和重分布结构，电连接至第一管芯、第二管芯和多个通孔。多个热通孔位于第二管芯的表面上并邻近第一管芯设置。本发明实施例涉及集成电路封装件和方法。
集成电路封装方法

[发明专利]封装结构的制造方法-CN202110650402.6在审
发明人：陈明发;叶松峯;刘醇鸿;史朝文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：提供一种封装结构及其制作方法。所述方法包括：通过混合结合将第一管芯及第二管芯结合到晶片的第一管芯区中的所述晶片；将第一虚设结构结合到所述第一管芯区中的所述晶片及所述晶片的第一切割道；以及沿所述第一切割道使所述晶片及所述第一虚设结构单体化，以形成堆叠集成电路(IC)结构。
封装结构制造方法

[发明专利]封装结构-CN202110584549.X在审
发明人：陈明发;叶松峯;刘醇鸿;史朝文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种封装结构包括第一管芯、管芯堆叠结构、支撑结构以及绝缘结构。所述管芯堆叠结构接合到所述第一管芯。所述支撑结构设置在所述管芯堆叠结构上。所述支撑结构的宽度大于所述管芯堆叠结构的宽度并且小于所述第一管芯的宽度。所述绝缘结构至少在侧向上包裹在所述管芯堆叠结构及所述支撑结构周围。
封装结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110307488.2在审
发明人：陈明发;刘醇鸿;史朝文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：实施例是方法，包括：在第一衬底上方形成第一互连结构，该第一互连结构中包括介电层和金属化图案；对第一互连结构进行图案化以形成第一开口；用阻挡层涂覆第一开口；蚀刻穿过阻挡层和第一衬底的暴露部分的第二开口；在第一开口和第二开口中沉积衬垫；用导电材料填充第一开口和第二开口；以及减薄第一衬底以在第二开口中暴露导电材料的一部分，该导电材料延伸穿过第一介电层，并且第一衬底形成衬底通孔。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]封装的制作方法-CN202011221693.9在审
发明人：陈明发;史朝文;刘醇鸿;胡人立 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本公开实施例提供封装及封装的制作方法。所述方法包括对第一器件管芯与第二器件管芯进行结合。第二器件管芯位于第一器件管芯之上。在包括第一器件管芯及第二器件管芯的组合结构中形成结合结构。在结合结构中形成组件。组件包括无源器件或传输线。所述方法还包括形成电耦合到组件的第一端及第二端的第一电连接件及第二电连接件。
封装制作方法

[发明专利]三维堆叠结构及其制造方法-CN202010435548.4在审
发明人：陈明发;叶松峯;刘醇鸿;史朝文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种堆叠结构包括第一管芯、堆叠在第一管芯上的第二管芯以及设置在第二管芯上的第三管芯及第四管芯。第一管芯具有第一金属化结构，且第一金属化结构包括第一管芯穿孔。第二管芯具有第二金属化结构，且第二金属化结构包括第二管芯穿孔。第一管芯穿孔与第二管芯穿孔键合，且第一管芯穿孔的尺寸不同于第二管芯穿孔的尺寸。第三管芯及第四管芯并排设置且与第二管芯穿孔键合。
三维堆叠结构及其制造方法

[发明专利]封装结构及其制作方法-CN202011016383.3在审
发明人：陈明发;吴念芳;叶松峯;刘醇鸿;史朝文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种包括堆叠衬底、第一半导体管芯、第二半导体管芯及绝缘包封体的封装结构。所述第一半导体管芯设置在所述堆叠衬底之上。所述第二半导体管芯堆叠在所述第一半导体管芯之上。所述绝缘包封体包括包封所述第一半导体管芯的第一包封体部分及包封所述第二半导体管芯的第二包封体部分。
封装结构及其制作方法

[发明专利]封装-CN201911368431.2在审
发明人：陈明发;史朝文;陈宪伟;叶松峯;刘醇鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种封装包括载体衬底、第一管芯以及第二管芯。第一管芯包括第一接合层、与第一接合层相对的第二接合层以及嵌置于第一接合层中的对位标记。第一接合层熔融接合到载体衬底。第二管芯包括第三接合层。第三接合层混合接合到第一管芯的第二接合层。
封装

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN201811318517.X有效
发明人：余振华;叶松峯;陈明发;陈宪伟;刘醇鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提出了半导体器件和制造方法，其中，将第一半导体器件和第二半导体器件接合至第一晶圆，并且然后分割以形成第一封装件和第二封装件。然后密封第一封装件和第二封装件以及中介层通孔，并且在密封剂上方形成再分布结构。将不同封装件接合至中介层通孔。
半导体器件制造方法

[发明专利]管芯堆叠结构-CN202010838267.3在审
发明人：余振华;陈宪伟;陈明发;叶松峯;刘醇鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：提供了一种管芯堆叠结构，所述管芯堆叠结构包括第一管芯、包封体、重布线层及第二管芯。所述包封体在侧向上包封所述第一管芯。所述重布线层设置在所述包封体下方且与所述第一管芯电连接。所述第二管芯设置在所述重布线层与所述第一管芯之间，其中所述第一管芯与所述第二管芯彼此电连接，所述第二管芯包括本体部分，所述本体部分具有第一侧表面、第二侧表面及位于所述第一侧表面与所述第二侧表面之间的弯曲侧表面，且所述弯曲侧表面连接所述第一侧表面与所述第二侧表面。
管芯堆叠结构

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201911157760.2在审
发明人：陈明发;叶松峯;刘醇鸿;史朝文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体结构包含接合在一起的第一半导体管芯及第二半导体管芯。第一半导体管芯包含第一半导体衬底、设置在第一半导体衬底下方的第一内连线结构以及设置在第一内连线结构下方且通过第一内连线结构电耦合到第一半导体衬底的第一接合导体。第二半导体管芯包含第二半导体衬底和设置在第二半导体衬底下方且电耦合到第二半导体衬底的第二内连线结构以及穿透第二半导体衬底且延伸到第二内连线结构中以电耦合到第二内连线结构的半导体穿孔。第一接合导体从第一内连线结构朝向半导体穿孔延伸以将第一半导体管芯电连接到第二半导体管芯。对应于半导体穿孔的第一接合导体小于半导体穿孔。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]芯片结构-CN201910916392.9在审
发明人：陈明发;叶松峯;刘醇鸿;史朝文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种芯片结构包括第一半导体芯片及第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括第一半导体衬底、第一内连层、第一保护层、间隙填充层及第一导通孔，第一内连层位于第一半导体衬底上，第一保护层覆盖第一内连层，间隙填充层位于第一保护层上，第一导通孔嵌置在间隙填充层中且与第一内连层电连接。所述第二半导体芯片嵌置在第一半导体芯片内且被间隙填充层及第一导通孔环绕，其中第二半导体芯片包括第二半导体衬底、第二内连层、第二保护层及第二导通孔，第二内连层位于第二半导体衬底上，第二保护层位于第二内连层上，第二导通孔嵌置在第二保护层中且与第二内连层电连接，其中第二半导体衬底结合到第一保护层。
芯片结构

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