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[发明专利]高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件-CN202311204131.7在审
发明人： 刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件，该外延结构包括Si衬底以及依次层叠在Si衬底上的CN预铺层、AlN缓冲层、复合层，在生长CN预铺层的过程中，通入C3H8和NH3，具体的，通过在Si衬底上沉积AlN缓冲层之前，对Si衬底进行预处理，即同时通入C3H8和NH3，以在Si衬底上生长一层CN预铺层，降低界面的背景载流子浓度，提高AlN缓冲层表面平整度，从而提高外延层晶体质量。
电子迁移率晶体管外延结构制备方法 hemt 器件

[发明专利]一种发光二极管外延片及制备方法-CN202311188650.9在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及制备方法，所述发光二极管外延片包括有源层，所述有源层包括多个周期性交替生长的复合量子阱层和量子垒层，所述复合量子阱层包括依次层叠的极化调控层、第一应变补偿层、量子阱层、第二应变补偿层；所述第一应变补偿层为ScAlN层，所述ScAlN层中Sc组分沿其生长方向逐渐下降，所述ScAlN层中In组分沿其生长方向逐渐升高，所述第二应变补偿层为AlInN层，所述AlInN层中Al组分沿其生长方向逐渐升高，所述AlInN层中In组分沿其生长方向逐渐降低，降低量子阱层缺陷密度，提高量子阱层晶体质量，降低有源层极化效应，提高有源层的发光效率。
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]高光提取效率的LED外延片及其制备方法-CN202311114188.8在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光提取效率的LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。LED外延片包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力缓冲层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；应力缓冲层包括依次层叠于N型GaN层上的第一应力缓冲层、金属反射层和第二应力缓冲层；第一应力缓冲层为Si掺AlaInbGa1‑a‑bN层，其中，0≤a≤0.6，0≤b≤0.2；金属反射层为Al金属层、Ga金属层、In金属层、Mg金属层中的一种或多种形成的叠层结构；第二应力缓冲层为Si掺AlcIndGa1‑c‑dN层，其中，0≤c≤0.6，0≤d≤0.3。实施本发明，可提升发光效率。
提取效率 led 外延及其制备方法

[发明专利]一种提高亮度的LED外延片及其制备方法、LED芯片-CN202310904852.2在审
发明人： 刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种提高亮度的LED外延片及其制备方法、LED芯片，方法包括：获取一衬底；在所述衬底上依次生长AlN层、缓冲层、三维生长的GaN层、不掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂的GaN层；其中，所述多量子阱层的生长方法包括：在所述应力释放层上周期性层叠生长InGaN量子阱层和GaN量子垒层以形成所述多量子阱层；其中，所述GaN量子垒层采用TEGa源进行生长且相邻两GaN量子垒层TEGa源的流量梯度递减。本申请通过对GaN量子垒层采用TEGa源进行生长且相邻两GaN量子垒层TEGa源的流量梯度递减的方法制备多量子阱层，提高了晶体质量及发光效率。
一种提高亮度 led 外延及其制备方法芯片

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311008965.0在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述应力释放层包括依次层叠于所述N型GaN层上的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层为Si掺AlN层；所述第二子层为二元共掺GaN层，其掺杂元素为Cr和Si；所述第三子层为Si掺GaN层和Mg掺InN层交替层叠形成的周期性结构。实施本发明，可提升发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311029088.5在审
发明人：郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有复合层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述复合层包括依次沉积在所述衬底上的SiCN层、Mg掺杂BGaN层和Mg掺杂InGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能提高GaN晶体质量，降低产生裂纹率，提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311188712.6在审
发明人：印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型复合层、电子阻挡层和P型GaN层，P型复合层包括依次层叠的Mg3N2层、P‑GaN层、P‑InGaN层，P‑GaN层中Mg的掺杂浓度＜P‑InGaN层中Mg的掺杂浓度；Mg3N2层的生长温度＜P‑GaN层的生长温度＜P‑InGaN层的生长温度；Mg3N2层的生长压力＞P‑GaN层的生长压力＞P‑InGaN层的生长压力。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、降低工作电压。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及制备方法、LED芯片-CN202311204129.X在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，该外延片包括衬底，还包括：依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层与P型半导体层；其中，所述P型半导体层包括依次层叠于所述多量子阱层上的漏电屏蔽SiN层、周期性交叠结构层与高掺Mg‑BInGaN层，周期性交叠结构层包括周期性交叠的二维空穴气InGaN层与低掺Mg‑AlN层。本发明解决了现有技术中P型半导体层漏电，光电性能下降，且由于空穴的有效的质量远大于电子，其传递速度也低于电子，空穴注入到量子效率也低于电子，从而影响了发光效率的提升的技术问题。
一种发光二极管外延制备方法 led 芯片

[发明专利]一种LED外延片、制备方法及LED芯片-CN202310967037.0有效
发明人：印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延片、制备方法及LED芯片，LED外延片包括衬底及在所述衬底上依次沉积的有源层，所述有源层包括M个周期结构，所述周期结构包括量子阱层及量子垒层，所述量子阱层包括#imgabs0#前阱层、AlN组合层及#imgabs1#后阱层，所述量子垒层包括BN前垒层、#imgabs2#组合层及BN后垒层。通过复合的量子阱层，可使所述量子阱层内产生应力，以此抵消部分量子阱与量子垒之间的应力差，提高所述有源层内电子与空穴波函数的重叠程度，通过复合的量子垒层，其具有较大的导带偏移和较小的价带偏移特性，可提高空穴的注入效率，有效提高器件的发光效率。
一种 led 外延制备方法芯片

[发明专利]GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310864978.1在审
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。GaN基发光二极管外延片包括衬底和依次生长于所述衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、第一插入层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；其中，所述第一插入层包括依次生长于所述N‑GaN层上的第一AlN层、第一WS2层和第一InAlGaN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、抗静电能力和波长均匀性。
gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310908680.6在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底和依次沉积于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；所述有源层包括多个交替层叠的量子阱层和量子垒层；每个所述量子垒层均包括依次层叠的YGaN层、Si掺GaN层和BScN层。实施本发明，可有效提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]用于Micro-LED的外延片及其制备方法、Micro-LED-CN202310864970.5在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于Micro‑LED的外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。用于Micro‑LED的外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、本征GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层，所述多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括势阱层和势垒层，所述势阱层包括依次层叠的AlInN层、InN层和InGaN层；其中，所述AlInN层表面设有多个经H2刻蚀处理得到的纳米孔洞。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率，提高发光波长均匀性，减小发光波长偏移。
用于 micro led 外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310865027.6在审
发明人：郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层包括依次层叠于所述P型AlGaN层上的P‑AlInN层、第一MoO3层、P‑AlInGaN层和P‑GaN层。实施本发明，可提升发光二极管外延片的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310865038.4在审
发明人：郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括图形化衬底，依次层叠于图形化衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；图形化衬底上设有多个阵列分布的凸起图形；缓冲层包括依次层叠的第一子层和第二子层；第二子层包括依次层叠的三维AlN层和二维AlN层；第一子层包括多个MoSe2岛，其分布在相邻凸起图形之间，且MoSe2岛的高度小于凸起图形的高度，MoSe2岛的宽度小于相邻凸起图形之间的距离。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310868291.5在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；电子阻挡层包括：阵列分布于所述多量子阱层上的多个AlN纳米柱；生长于所述AlN纳米柱上的三维AlN层；所述三维AlN层的底部一一对应生长于所述AlN纳米柱上，其顶部生长合并，以形成多个纳米孔洞；生长于所述三维AlN层上的二维BGaN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

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