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[发明专利]一种自锁紧固件-CN202310389497.X在审
发明人：刘萍萍;刘奇斌;胡利勇;刘惠国;朱豪能;孙耀川;潘旭鸣 -专利权人：宁波市镇海金力高强度紧固件有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： F16B35/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种自锁紧固件，涉及紧固件领域，一种自锁紧固件，包括螺栓和垫圈，所述螺栓由螺栓头和螺杆组成，所述螺栓头外表面为齿状结构，所述垫圈底部设有限位块，内表面设有与螺栓头外表面对应的齿状结构，该自锁紧固件能够通过自身组合限位，完成锁紧，有效保持防松、抗振的状态。
一种紧固

[发明专利]一种高性能工程紧固件材料及其制备方法-CN202211563257.9在审
发明人：刘萍萍;刘奇斌;胡利勇;刘惠国;朱豪能;孙耀川;潘旭鸣 -专利权人：宁波市镇海金力高强度紧固件有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C22C9/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能工程紧固件材料及其制备方法，包括基材以及设于其表面的保护材料，所述基材是由如下按重量百分比计的成分制成：Al 4‑6%、V 0.005‑0.01%、Nb 0.01‑0.05%、Ga 0.01‑0.02%、Ni 0.6‑1.5%、Os 0.005‑0.008%、Mn 1.8‑2.8%、Sr 0.001‑0.003%、稀土元素0.01‑0.02%、非金属元素0.003‑0.005%、In 0.001‑0.003%、纳米氮化锆0.003‑0.005%、纳米硼化硅0.001‑0.003%，余量为Cu和其他不可避免的杂质。该紧固件材料机械力学性能、抗腐蚀性和抗疲劳性优异。
一种性能工程紧固材料及其制备方法

[发明专利]一种紧固件用复合材料及其制备方法-CN202211487911.2在审
发明人：刘萍萍;刘奇斌;胡利勇;刘惠国;朱豪能;孙耀川;潘旭鸣 -专利权人：宁波市镇海金力高强度紧固件有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C08L77/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种紧固件用复合材料及其制备方法，涉及紧固件材料技术领域，包括如下按重量份计的各原料制成：氨基封端的超支化聚酰亚胺20‑30份、四氟苯基三氮唑基聚酰胺类缩聚物35‑55份、磺化聚苯并噁唑10‑20份、玻璃纤维20‑30份、偶联剂3‑5份、碳纳米纤维5‑8份、2,5‑双氯甲基‑1,3,4‑噁二唑4‑6份、4‑环氧丙烷氧基咔唑3‑5份、五氧化二磷0.8‑1.2份、多聚磷酸0.3‑0.5份。本发明公开的紧固件用复合材料机械力学性能和耐老化性能佳，耐腐蚀性和低温韧性足，成本较低，制备工艺简单易行，使用寿命长。
一种紧固复合材料及其制备方法

[发明专利]晶圆键合结构及其形成方法以及半导体器件的制备方法-CN202210317438.7在审
发明人：魏丹珠;席韡;刘奇斌 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆键合结构及其形成方法以及半导体器件的制备方法，晶圆键合结构，包括依次层叠的键合载片、介质层、键合胶层以及待键合晶圆；其中，所述键合载片的材质与所述待键合晶圆的材质相同，所述介质层的材料与所述键合载片以及所述待键合晶圆的材料的折射率不同。上述的晶圆键合结构通过在键合载片上依次层叠的介质层和键合胶层，通过与待键合晶圆和键合载片的材料与介质层材料不同的折射率可以分辨出待键合晶圆和键合载片。利用上述晶圆键合结构既可以满足良好的键合效果，在后续进行一些如高温真空等离子体轰击或是高温退火等严苛的高温工艺条件下仍保持紧密且完整的键合，还可以有助于后续操作人员对于待键合晶圆厚度的测量。
晶圆键合结构及其形成方法以及半导体器件制备

[发明专利]减少碳化硅晶圆弯曲度的方法-CN201911217925.0有效
发明人：席韡;刘奇斌 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少碳化硅晶圆弯曲度的方法，所述方法包括：在碳化硅晶圆的背面形成第一氧化层；在第一氧化层上形成应力保护层；在碳化硅晶圆的正面上形成刻蚀图形的掩膜；对带有掩膜的碳化硅晶圆进行高温离子注入。本发明通过在碳化硅晶圆的背面依次生长氧化层和多晶硅层，使得在碳化硅晶圆正面完成刻蚀掩膜后，对带有掩膜的碳化硅晶圆进行高温离子注入时，能够在碳化硅晶圆的正面施加压应力来抵消在注入过程中碳化硅晶圆内产生的张应力，从而有效地减少碳化硅晶圆在热过程中的弯曲程度，以降低对后续工艺流程的影响，进而保证了碳化硅器件的可靠性。
减少碳化硅弯曲方法

[实用新型]一种创意笔筒-CN202022422891.3有效
发明人： 刘奇斌 -专利权人： 刘奇斌
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B43M99/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及笔筒技术领域，具体为一种创意笔筒，包括盛放盒，盛放盒的内部设置有空腔，盛放盒并排设置有多个，各盛放盒的前端均设置有开口，各盛放盒的顶端中部和底端中部均设置有一个或多个凹槽，各凹槽内均设置有磁铁，最下侧的盛放盒的下侧设置有铁架；本实用新型便于进行组合，拆装较为方便，结构较为简单。
一种创意笔筒

[外观设计]除颤仪贴纸-CN202030798677.0有效
发明人：周苡蝶;赵三多;刘奇斌 -专利权人：珠海威泓医疗科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： 19-08 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：除颤仪贴纸。2.本外观设计产品的用途：用于粘贴在除颤仪上，指示操作的贴纸。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.本外观设计产品为平面产品，省略左视图、右视图、俯视图、仰视图。
贴纸

[发明专利]碳化硅外延层及其刻蚀方法、碳化硅器件-CN201911179714.2在审
发明人：席韡;刘奇斌 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延层及其刻蚀方法、碳化硅器件，所述刻蚀方法包括：在碳化硅外延层上形成设定刻蚀图形的掩膜；采用刻蚀气体对碳化硅外延层进行刻蚀处理；其中，刻蚀气体为与碳化硅外延层发生反应后会产生聚合物的气体；聚合物附着在掩膜中设定刻蚀图形的底部和侧壁上。本发明通过包含氯气、氩气和溴化氢的刻蚀气体对碳化硅外延层进行刻蚀处理，反应过程中产生的聚合物附着在掩膜中刻蚀图形的底部和侧壁上使得侧壁和拐角得到了保护，减弱了反应离子对刻蚀图形拐角处的刻蚀，有效地防止了微沟道在刻蚀图形处形成，提高了碳化硅器件的可靠性。
碳化硅外延及其刻蚀方法器件

[外观设计]自动体外除颤器-CN202030800384.1有效
发明人：周苡蝶;赵三多;刘奇斌 -专利权人：珠海威泓医疗科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： 24-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：自动体外除颤器。2.本外观设计产品的用途：用于急救的医疗设备。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
自动体外

[发明专利]快恢复二极管和其制造方法-CN201910757776.0在审
发明人：高东岳;刘奇斌;刘建华 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管和其制造方法，该快恢复二极管包括PN结，PN结包括P区和N区，其中制造方法包括以下步骤：在半导体衬底上制作形成所述PN结；对P区中的目标区域进行氢离子辐照，并对目标区域中的氢离子进行激活，以在目标区域中形成复合中心。本发明通过在快恢复二极管的PN结的P区中进行氢离子辐照，引入复合中心，同时提高了快恢复二极管的软度。
恢复二极管制造方法

[实用新型]多功能收纳盒结构-CN202020311802.5有效
发明人： 刘奇斌 -专利权人： 刘奇斌
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： A47B23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能收纳盒结构，包括收纳盒本体，该收纳盒本体用以放置书籍和/或工具；集成于所述收纳盒本体至少一侧的挂架；所述挂架下端形成为支撑端、所述挂架的上端形成为挂接端；所述挂架上放置书籍时，所述支撑端与所述书籍接触并支撑所述书籍的底部；所述挂架收纳于所述收纳盒本体时，所述挂架的挂接端与所述收纳盒本体的上端配合并固定；所述挂架的支撑端和挂接端之间被配置为挂架主体。本实用新型的收纳盒结构在收纳盒侧面安装有挂架，该挂架主要用以放置、挂放物品，并通过L型支撑杆可以将挂架倾斜支撑于收纳盒侧面或者利用其将挂架倾斜支撑于桌面上，方便用户看书和学习。
多功能收纳结构

[外观设计]收纳盒-CN202030420231.4有效
发明人： 刘奇斌 -专利权人： 刘奇斌
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： 03-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：收纳盒。2.本外观设计产品的用途：收纳物品。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
收纳

[发明专利]碳化硅肖特基二极管及其制备方法-CN201910423350.1在审
发明人：郎金荣;刘奇斌;程小强 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法。其中，所述碳化硅肖特基二极管的制备方法包括：制作SiC外延片，所述SiC外延片包括SiC衬底层，SiC衬底层上表面设有SiC外延层；在所述SiC外延层的内部形成P型浮空环；在所述SiC外延层的内部上表面形成P型保护环；在所述SiC外延层的上表面形成肖特基接触区；在所述肖特基接触区设置阳极电极；在所述SiC衬底层的下表面形成欧姆接触区；在所述欧姆接触区设置阴极电极。本发明采用浮空的P型环形成PN结，来屏蔽电场，达到提高反向击穿电压、减小反向漏电流的目的。
碳化硅肖特基二极管及其制备方法

[实用新型]一种三防掌上B超-CN201921222190.6有效
发明人：牟培源;赵三多;张红卫;陈曲;陈宏明;刘奇斌 -专利权人：珠海威泓急救云科技有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： A61B8/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及医疗检测设备技术领域，特别涉及一种三防掌上B超，包括设有内腔的壳体、分别设置在壳体内的控制面板及显示面板、与控制面板可分离连接的输出探头，所述壳体分为第一壳体、中间壳体以及第二壳体，所述中间壳体为软性材质，中间壳体设置在第一壳体与第二壳体之间并且朝壳体外侧突起；本实用新型在第一壳体与第二壳体之间设置中间壳体，中间壳体采用软性材质制成，起到防摔功能；其次，第一壳体与第二壳体前后压接中间壳体，中间壳体受压变形以消除中间壳体分别与第一壳体及第二壳体之间的间隙，提升超声仪的防水和防尘性能。
一种掌上

[发明专利]一种功率半导体器件金属层的清洗方法-CN201811541783.9在审
发明人： 刘奇斌;陈倩 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件金属层的清洗方法。该方法包括下述步骤：将覆有金属层的功率半导体器件经第一清洗液、第二清洗液、第三清洗液、第四清洗液和第五清洗液顺序清洗，即可；第一清洗液为H2SO4和H2O2的混合溶液；第二清洗液为HF溶液；第三清洗液为H2O2溶液；第四清洗液为NH3·H2O和H2O2的混合溶液；第五清洗液为HCl和H2O2的混合溶液。本发明的清洗方法能够有效解决功率半导体器件金属工艺过程中的外观异常现象，且清洗方法简单易行，并不增加制造成本，适宜工业化大生产。
一种功率半导体器件金属清洗方法

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