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[发明专利]基于直流脉冲激发的碳化硅纳米管制备方法-CN202111157245.1有效
发明人：周海涛;刘大博;罗飞;罗炳威;马可欣;胡春文 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料制备技术领域，公开了基于直流脉冲激发的碳化硅纳米管制备方法，包括步骤通入气态碳源，对气态碳源加载直流脉冲形成激发电场，激发电场中的游离电子会被加速，导致电子雪崩形成碳等离子活性基团；所述碳等离子活性基团会与硅蒸汽反应生成碳化硅团簇，所述碳化硅团簇会在所述形核点上自组装成碳化硅纳米管。本方法具有工艺设备简单、产物纯度高、可控性强等优点。
基于直流脉冲激发碳化硅纳米制备方法

[发明专利]基于高频电磁场激发的碳化硅纳米管制备方法-CN202111157300.7有效
发明人：周海涛;刘大博;罗飞;罗炳威;马可欣;胡春文 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料制备技术领域，公开了基于高频电磁场激发的碳化硅纳米管制备方法，包括步骤通入气态碳源，对气态碳源加载射频或微波等高频电磁场，激发的环形高压电场导致电子雪崩形成碳等离子活性基团；所述碳等离子活性基团会与硅蒸汽反应生成碳化硅团簇，所述碳化硅团簇会在所述形核点上自组装成碳化硅纳米管。本方法具有工艺设备简单、产物纯度高、可控性强等优点。
基于高频电磁场激发碳化硅纳米制备方法

[发明专利]制备晶面择优取向氧化铟锡-氧化铟薄膜热电偶的方法-CN202110423427.2有效
发明人：罗炳威;马可欣;周海涛;罗飞;刘大博;田野;祁洪飞 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明涉及制备晶面择优取向氧化铟锡－氧化铟薄膜热电偶的方法，所述金属表面为曲面，包括如下步骤：步骤1、通过物理气相沉积工艺在金属工件表面沉积钇稳定的氧化锆(YSZ)结合涂层；步骤2、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备晶面择优取向的薄膜热电偶；步骤3、具有所述薄膜热电偶的金属工件进行热处理；步骤4、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备保护层。本发明的薄膜热电偶以牢固的结合涂层为沉积界面，与高温合金叶片的过渡界面较少，应力界面少，不容易脱落，且厚度薄，测温精度高。同时，能够在未抛光的结合涂层曲面上，克服应力，突破传统平面基底的限制，制备具有晶面择优取向的薄膜热电偶，使得薄膜热电偶具有较高的稳定性。
制备择优取向氧化薄膜热电偶方法

[发明专利]制备晶面择优取向氧化铟锡-氧化铟锌薄膜热电偶的方法-CN202110423947.3有效
发明人：罗炳威;周海涛;罗飞;刘大博;马可欣;田野 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明涉及制备晶面择优取向氧化铟锡‑氧化铟锌薄膜热电偶的方法，所述金属表面为曲面，包括步骤1、通过物理气相沉积工艺在金属工件表面沉积钇稳定的氧化锆YSZ结合涂层，将钇稳定的氧化锆YSZ粉末和Al2O3粉末通过物理气相沉积工艺沉积到金属工件表面；步骤2、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备晶面择优取向的薄膜热电偶，所述薄膜热电偶包括两个热电臂和两个电极；步骤3、具有所述薄膜热电偶的金属工件进行热处理，以释放材料界面之间的应力；步骤4、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备保护层，所述保护层为Al2O3材质覆盖所述的两个热电臂。本发明实现在金属表面快速沉积具有择优晶面取向的薄膜热电偶，对薄膜热电偶的稳定测温具有重要意义。
制备择优取向氧化薄膜热电偶方法

[发明专利]制备111晶面择优取向铂铱薄膜热电偶的方法-CN202110423379.7有效
发明人：罗炳威;罗飞;周海涛;刘大博;马可欣;田野 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明涉及在金属表面制备111晶面择优取向铂铱薄膜热电偶的方法，所述金属表面为曲面，其中铂和铱的晶面择优取向111，包括如下步骤：步骤1、通过物理气相沉积工艺在金属工件表面沉积钇稳定的氧化锆(YSZ)结合涂层；步骤2、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备晶面择优取向的薄膜热电偶；步骤3、具有所述薄膜热电偶的金属工件进行热处理；步骤4、在沉积电极的位置，对金属工件加工通孔。本发明的薄膜热电偶以牢固的结合涂层为沉积界面，与高温合金叶片的过渡界面较少，应力界面少，不容易脱落，且厚度薄，测温精度高。
制备 111 择优取向薄膜热电偶方法

[发明专利]一种具有一维纳米阵列结构的薄膜热电偶及其制造方法-CN201910382177.5有效
发明人：罗炳威;周海涛;刘大博;罗飞;田野;陈冬生;祁洪飞 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于薄膜热电偶制备技术，涉及一种具有一维纳米阵列结构的薄膜热电偶及其制造方法，包括基底，在基底上通过双靶磁控溅射工艺形成薄膜热电偶的电臂；对薄膜热电偶的一个电臂采用氧化铟锡靶材和贵金属靶材溅射，能够保证贵金属掺杂氧化铟锡的均匀性，同时保证在高温下的导电有较大的热电值输出，对薄膜热电偶的另一个电臂采用氧化锌靶材和贵金属靶材溅射；且设置双靶磁控溅射工艺的参数，使得溅射沉积形成的电臂为一维纳米阵列结构。提出一种具有一维纳米阵列结构的薄膜热电偶，这种薄膜热电偶的响应速度优于一般无特殊结构的薄膜热电偶，同时具有测温准确和抗疲劳的特点。
一种具有纳米阵列结构薄膜热电偶及其制造方法

[发明专利]一种表面硬度增强涂层及其制备方法-CN201810292702.X有效
发明人：周海涛;罗炳威;刘大博;罗飞;田野;陈冬生 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种表面硬度增强涂层及其制备方法，所述增强涂层由碳化钛层和石墨层共同构成，制备方法包括以下步骤：(1)利用酒精和丙酮将金属钛或钛合金进行超声清洗并晾干；(2)将金属钛或钛合金放置在等离子增强化学气相沉积设备中，利用机械泵抽至真空度低于1x10‑1Pa；(3)通入200sccm～400sccm氩气，以3℃/min～10℃/min速率升温至500℃～900℃；(4)通入10～50sccm甲烷气体，关闭氩气，打开射频源，将射频功率设置为100W～300W，生长0.5h～2h；(5)关闭射频源，通入200sccm～400sccm氩气，停止通入甲烷气体，自然降温至室温，即得到碳化钛/石墨增强涂层。本发明中，便于通过控制甲烷气流量、生长时间等参数，调节碳化钛和石墨比例，从而调制涂层性能。
一种表面硬度增强涂层及其制备方法

[发明专利]富Ni态TiNi形状记忆合金双程记忆特性的赋予方法-CN201810610797.5有效
发明人：官磊;成波;刘大博 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C22C19/03 文献下载
摘要：本发明是一种富Ni态TiNi形状记忆合金双程记忆特性的赋予方法，该方法对约束态冷成型TiNi形状记忆合金施加高能电刺激作用，能在较低的温度150～250℃范围内，引起的焦耳热效应与电子风效应的耦合作用，促进合金内部缺陷(比如：位错)沿约束应力方向取向排列，使马氏体变体定向生长，从而将冷成型状态“记住”为高温形状，将高温时效态“记住”为低温形状，配合机械训练方法形成了该种电刺激－机械训练方法，赋予了富Ni态TiNi形状记忆合金“热胀冷缩”式双程形状记忆性能，该方法能够很大程度上缩短高能电刺激作用与马氏体相转变交替循环周期时长，有利于提高生产效率，降低能耗。
ni tini 形状记忆合金双程特性赋予方法

[发明专利]一种具有光限幅性能的VO2-CN201810741672.6有效
发明人：田野;曹雪;罗飞;刘大博 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明属于功能薄膜技术领域，具体涉及一种应用于激光防护技术的VO2复合薄膜的制备方法。本发明基于表面等离激元共振技术在VO2薄膜表面制备一层粒径均一的、尺寸可调的Au/SiO2或Ag/SiO2纳米结构层，有效地提升了薄膜的激光防护性能。同传统的纯VO2激光防护薄膜相比，这种薄膜具有更低的激光可透过率以及更高的耐激光损伤阈值。该工艺可以有效提高薄膜对激光的响应度以及耐激光辐射能力，其制备过程简单可控，不需要昂贵的设备，同时对VO2薄膜的尺寸、形貌无特殊要求，为VO2基激光防护薄膜提供了一种高效率、短周期、可工业化实施的新技术。
一种有光限幅性能 vo base sub

[发明专利]一种金属表面生长金属碳化物的方法-CN201810304709.9有效
发明人：罗炳威;周海涛;刘大博;罗飞;田野;陈冬生;祁洪飞 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于金属表面生长金属碳化物的制备技术，涉及一种金属表面生长金属碳化物的方法。制备的步骤包括：步骤一、通过磁控溅射的方式将钨、锆或钨锆合金溅射到金属基体表面，形成致密薄膜层；步骤二、将金属基体加热到100℃～500℃，保温0.5～1小时后冷却至室温；步骤三、通过等离子体化学气相沉积系统使得碳等离子体与金属基体的薄膜层反应生成碳化钨和/或碳化锆。本发明能够在熔点大于500℃的金属棒材、板材或箔表面生长碳化锆、碳化钨或碳化锆和碳化钨复合层，提高金属棒材、板材或箔表面的力学性能，包括强度，耐磨性、韧性和冲击强度。
一种金属表面生长金属碳化物方法

[发明专利]具有一维纳米阵列结构的碲镉汞薄膜的制备方法-CN201710623235.X有效
发明人：罗炳威;刘大博;罗飞;周海涛;田野 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于红外薄膜制备技术，涉及具有一维纳米阵列结构的碲镉汞薄膜制备方法的改进。制备的步骤如下：放置靶材；放置单晶硅基板；调节样品台位置；调节真空室真空度；调节基板温度；调节真空室氩气压强；施加射频功率；溅射沉积碲镉汞薄膜；退火处理。本发明能够形成具有纳米线/棒微观结构的红外薄膜，提高了HgCdTe红外探测薄膜的量子效率，从而提高了HgCdTe材料红外探测的性能；同时，利用双靶溅射能够提高溅射过程中对三元化合物成分的控制能力，缩小了碲镉汞薄膜与靶材成分的固有比例的偏离，保证了HgCdTe红外探测材料的探测性能。
碲镉汞薄膜制备纳米阵列结构红外薄膜红外探测靶材红外探测材料单晶硅基板三元化合物样品台位置真空室真空溅射沉积控制能力量子效率射频功率双靶溅射探测性能退火处理微观结构氩气压强纳米线真空室基板溅射薄膜偏离施加改进保证

[发明专利]一种实现玻璃表面超亲水和超疏水可控逆变的方法-CN201611179426.3有效
发明人：罗炳威;刘大博;罗飞;田野;祁洪飞 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空材料研究院
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明属于表面处理技术领域，涉及一种实现玻璃表面超亲水和超疏水可控逆变的方法。其特征在于：通过在玻璃表面生长不同的纳米层，实现玻璃表面超亲水和超疏水的可控逆变。本发明提出了一种实现玻璃表面超亲水和超疏水可控逆变的方法，能通过调控材料表面微结构变化，实现超亲水和超疏水可控逆变，克服了现有技术中超亲水和超疏水逆变不可控、以及在光束照射下性能不稳定的缺点。
一种实现玻璃表面超亲水疏水可控方法

[发明专利]一种低激光反射率粉末颗粒及制备方法-CN201710909364.5有效
发明人：周海涛;刘大博;罗飞;罗炳威;田野;陈冬生 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明属于表面处理技术，涉及一种高球形度、低反射率的粉末颗粒及制备方法。本发明的粉末颗粒它具有球形内核和覆盖于球形内核表面的石墨片包覆层，所述球形内核为铝粉颗粒、铜粉颗粒或镍基高温合金粉末颗粒；石墨片包覆层厚度为100nm～5um。本发明粉末颗粒的制备步骤是：粉末洗涤；制备纳米催化剂颗粒；石墨片沉积。本发明提出了一种高球形度、低反射率的粉末颗粒及制备方法，能在降低激光反射率的前提下，保持颗粒内核的高球形度，从而保证了3D打印等粉末冶金成型后块体的性能。
一种激光反射率粉末颗粒制备方法

[发明专利]一种陶瓷基复合材料的制备方法-CN201910078354.0在审
发明人：周海涛;罗炳威;刘大博;罗飞;田野;陈冬生 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷基复合材料领域，涉及一种陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，首先在陶瓷粉末表面原位生长石墨片作为强化相，然后将陶瓷粉末烧结为陶瓷基复合材料的块材。本发明首先将陶瓷粉末置于化学气相沉积装置中，通过调节气体流量、射频功率、沉积温度和时间等参数，实现了石墨片在陶瓷粉末表面的原位可控沉积；将沉积石墨片后的粉末进行致密化成形，即制备出陶瓷基复合材料。本发明提出的原位沉积方法，确保了石墨片在陶瓷基体中的均匀分散，且具有工艺简单、与增材制造技术的兼容性好等优点。
陶瓷基复合材料石墨片沉积制备陶瓷粉末表面陶瓷粉末化学气相沉积装置气体流量射频功率陶瓷基体原位沉积原位生长烧结兼容性强化相致密化成形可控块材制造

[发明专利]一种在金属中添加介观尺度三维强化相的方法-CN201811040960.5在审
发明人：陈冬生;周海涛;刘大博;罗飞;田野;罗炳威;祁洪飞 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明是一种在金属中添加介观尺度三维强化相的方法，该方法首先将金属基合金粉末置于等离子体化学气相沉积真空装置中，通入甲烷气体，调节甲烷气体流量、真空装置压强、射频功率、加热温度和沉积时间，得到原位生长三维石墨片的石墨片/金属基复合材料粉末，随后对石墨片/金属基复合材料粉末进行致密化成形，最后通过热处理，制备出石墨片/金属基复合材料。该方法能够保证石墨片与金属基体具有良好结合力的前提下，使三维介观尺度的石墨片在金属基体中均匀分散，解决了石墨片在金属基体中难以均匀分散且结合力差的问题，实现了石墨片增强增韧金属的目的。利用本发明制备三维介观尺度石墨片增强金属基复合材料，工艺简单、高效，适合工业化生产。
石墨片介观尺度三维金属基复合材料金属基体真空装置结合力强化相金属制备等离子体化学气相沉积甲烷气体流量金属基合金增强金属基热处理压强甲烷气体射频功率原位生长复合材料致密化成形增韧沉积加热保证

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