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[发明专利]激光剥离装置及激光剥离方法-CN202111100697.6有效
发明人：顾杨;张广庚;黄朝葵;刘佳擎;李庆;于波 -专利权人：苏州芯聚半导体有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种激光剥离装置和激光剥离方法，所述激光剥离装置包括：第一载台；载有若干待转移的发光二极管的衬底，所述载有若干待转移的发光二极管的衬底设置于所述第一载台的承载面上；第二载台，所述第二载台位于所述第一载台的上侧；以及激光器，所述激光器设置于所述第二载台上，所述激光器用于朝向所述衬底照射激光；其中，所述第一载台和所述第二载台的其中之一按照设定转速旋转，并且所述第一载台和所述第二载台的其中之另一在参照平面内移动，以使所述激光器照射在所述衬底上的激光光斑覆盖所述若干发光二极管。
激光剥离装置方法

[发明专利]显示面板-CN202111159119.X有效
发明人： 刘佳擎;赵柯;韦冬;李庆;于波 -专利权人：苏州芯聚半导体有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明提供一种显示面板，包括：驱动基板；位于所述驱动基板一侧的多个六边形发光二极管芯片，所述多个六边形发光二极管芯片阵列排列成蜂巢结构，每一六边形发光二极管芯片包括第一电极和第二电极；位于所述驱动基板一侧的多个焊盘结构，所述焊盘结构包括第一焊盘和第二焊盘，每一第一焊盘和对应的第一电极连接，每一第二焊盘和对应的第二电极连接；以及层叠于所述多个焊盘结构一侧走线结构，所述走线结构包括电性隔离的第一导电图案和第二导电图案，所述多个第一焊盘分别连接所述第一导电图案，所述多个第二焊盘分别连接所述第二导电图案；每个六边形发光二极管芯片在所述驱动基板上的投影覆盖对应的所述第一导电图案和对应的所述第二导电图案。
显示面板

[发明专利]Micro-LED芯片结构及其制作方法-CN202210629758.6在审
发明人： 刘佳擎;韦冬;金峰;黄朝葵;张广庚 -专利权人：苏州芯聚半导体有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明揭示了一种Micro‑LED芯片结构，所述芯片结构包括透光基板、形成于透光基板上的外延层，外延层包括n型半导体层、发光层和p型半导体层，发光层形成于n型半导体层和p型半导体层之间，还包括反射层，反射层的光反射率大于外延层的光反射率；反射层完全覆盖外延层侧表面，以及部分覆盖透光基板侧表面。减少芯片侧面出光，提高Micro‑LED光取出率，降低能量损失，实现具有高亮度显示屏的要求；侧面包覆反射层，也能够阻止外延层内金属迁移，避免芯片正面切割工艺带来的切深、切宽对总体制作良率、裂痕、双晶甚至翻转损失的影响，提高Micro‑LED芯片的可靠性。
micro led 芯片结构及其制作方法

[发明专利]Micro-LED芯片结构-CN202210738007.8有效
发明人： 刘佳擎;韦冬;金峰;黄朝葵;张广庚 -专利权人：苏州芯聚半导体有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明揭示一种Micro‑LED芯片结构，包括：透光基板；外延结构，形成于透光基板上方，包括n型半导体层、发光层和p型半导体层；遮光层，其至少覆盖透光基板未被外延结构遮蔽的上表面，遮光层包括第一遮光层和第二遮光层，分别电性连接于n型半导体层和p型半导体层，遮光层的光反射率低于外延结构表面发光区域的光反射率。芯片结构中设置具有低反射率的遮光层，在Micro‑LED芯片不点亮的状态下呈现较黑的外观，对可见光波段的光吸收率高，大幅提升其对比度；遮光层又可作为金属电极分别与n型半导体层和p型半导体层电性连接，保护芯片的外延结构，降低芯片断线失效的发生，提高可靠度。
micro led 芯片结构

[实用新型]辅助治具及干法蚀刻装置-CN202122370976.6有效
发明人：顾杨;陈发明;刘佳擎;韦冬;李庆;于波 -专利权人：苏州芯聚半导体有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种辅助治具及干法蚀刻装置，所述辅助治具包括：底板；侧壁，所述侧壁设置于所述底板的一侧，所述侧壁围绕所述底板的周边且朝向远离所述底板的方向突出，所述侧壁和所述底板共同限定出容置腔，所述容置腔的一端具有开口；其中，待蚀刻处理的样品自所述开口放置于所述底板上，所述样品的边缘不与所述侧壁的内表面接触，所述侧壁远离所述底板的顶表面突出于所述样品远离所述底板的第一表面。由辅助治具的侧壁遮挡作用，延伸等离子气体流通至光刻胶层的边缘的距离，降低光刻胶层边缘过蚀刻，提升光刻胶层的表面蚀刻均匀性。
辅助蚀刻装置

[发明专利]一种新型双ITO导电层的高光效芯片及其制作方法-CN201911224941.2在审
发明人：张振;王聪;刘佳擎 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了LED芯片技术领域的一种新型双ITO导电层的高光效芯片，包括LED外延片、ITO导电层、CBL层和金属电极层，LED外延片包括N‑GaN层和位于N‑GaN层上方的P‑GaN层，ITO导电层位于P‑GaN层上方，CBL层被ITO导电层包覆，使电流通过CBL层下方ITO导电层导入因CBL层绝缘无法扩展的区域，这样电流既能够在CBL层的作用下达到分散均匀和提亮效果，也能够充分利用CBL层下的可发光面积，增加LED芯片的发光面积利用率，该双ITO导电层的高光效芯片的制作工艺简单，可解决现有工艺缺点，提升LED芯片亮度和光效。
一种新型 ito 导电高光效芯片及其制作方法

[发明专利]一种包含不同透光性的新型光学掩膜版-CN201811599809.5在审
发明人：张振;刘佳擎 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G03F1/88 文献下载
摘要：本发明涉及光刻技术领域，具体涉及一种包含不同透光性的新型光学掩膜版，其制备方法包括以下步骤：a、选取基板；b、在玻璃基板表面镀铬金属膜层；c、铬膜上涂覆光刻胶；d、通过电子束曝光设定图形区域内的光刻胶；e、浸泡刻蚀液；f、去除剩余光刻胶；g、在玻璃基板上镀上部分透光薄膜；h、在部分透光薄膜上均匀涂覆光刻胶；i、通过电子束曝光设定图形区域内的光刻胶；j、浸泡刻蚀液或干法蚀刻；k、去除剩余光刻胶，形成新型光学掩膜版；本申请提供了一种包含不同透光性的新型光学掩膜版，可针对实际需要，一次光刻做出不同高度台阶的光刻胶图形，减少光刻步骤，满足光刻掩膜要求，可在实际的工业生产中被进一步推广。
一种包含不同透光新型光学掩膜版

[实用新型]一种掩膜版清洗装置-CN201822252662.4有效
发明人：张振;刘佳擎 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了掩膜版技术领域的一种掩膜版清洗装置，包括底板，所述底板的底部四角均安装有减震轮，所述底板的上方设置有开口向上的清洗框架，所述清洗框架的底部四角均固接有与底板固接的支撑脚，所述清洗框架的底部中央均匀安装有超声波换能器，所述清洗框架的右侧壁下方连通有出液管，所述出液管上安装有阀门，本实用新型结构简单，使用方便，适用于对掩膜版进行高效清洗，而且清洗效果好，通过超声波换能器，可使掩膜版上附着的杂质进行快速清理，通过曝气器，可实现清洗液的快速流动，可加强对掩膜版的清洗效果，通过减震轮，可方便在装置移动的过程中起到减震效果。
掩膜版底板清洗框架超声波换能器本实用新型底部四角清洗效果清洗装置出液管减震轮固接底部中央减震效果均匀安装开口向上快速流动装置移动曝气器清洗液右侧壁支撑脚阀门附着连通清洗

[实用新型]LED芯片-CN201820486395.4有效
发明人：李庆;刘佳擎;张振 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种LED芯片，包括衬底及位于衬底上的LED外延结构，LED芯片还包括位于外延结构上方的透明导电层及钝化层，透明导电层及钝化层的至少其中之一上具有若干开槽。本实用新型的透明导电层和/或钝化层具有开槽，开槽可以改变光的出射角度，提高光的漫反射几率，进而提升LED芯片的发光亮度。
透明导电层钝化层开槽本实用新型衬底外延结构漫反射出射发光

[实用新型]LED芯片-CN201820486401.6有效
发明人：李庆;刘佳擎;张振 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种LED芯片，包括衬底、位于衬底上的LED外延结构以及位于LED外延结构中P电极区域上方的P电极和N电极区域上方的N电极，LED芯片还包括电流阻挡层，电流阻挡层包括位于P电极区域及P电极之间的第一电流阻挡层及位于N电极区域及N电极之间的第二电流阻挡层。本实用新型的N电极区域及N电极之间具有第二电流阻挡层，改善了电流分布，提高了LED芯片的亮度。
电流阻挡层本实用新型衬底电流分布

[实用新型]LED光源-CN201820474360.9有效
发明人： 刘佳擎;李庆 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种LED光源，LED光源包括发光单元及波长选择层，发光单元包括LED芯片及封装LED芯片的封装体，波长选择层位于发光单元的发光路径上。本实用新型的LED光源可以控制出射光的波长范围，从而减少抑制植物生长的波段出光，降低其他波段光对植物生长的抑制作用，进而推动植物照明的发展。
发光单元本实用新型波长选择封装LED芯片发光路径植物照明波段光出射光封装体波长波段

[发明专利]LED芯片及其制造方法-CN201810307388.8在审
发明人：李庆;刘佳擎;张振 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明揭示了一种LED芯片及其制造方法，LED芯片包括衬底、位于衬底上的LED外延结构以及位于LED外延结构中P电极区域上方的P电极和N电极区域上方的N电极，LED芯片还包括电流阻挡层，电流阻挡层包括位于P电极区域及P电极之间的第一电流阻挡层及位于N电极区域及N电极之间的第二电流阻挡层。本发明的N电极区域及N电极之间具有第二电流阻挡层，改善了电流分布，提高了LED芯片的亮度。
电流阻挡层衬底电流分布制造

[发明专利]LED芯片及其制造方法-CN201810306935.0在审
发明人：李庆;刘佳擎;张振 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明揭示了一种LED芯片及其制造方法，LED芯片包括衬底及位于衬底上的LED外延结构，LED芯片还包括位于外延结构上方的透明导电层及钝化层，透明导电层及钝化层的至少其中之一上具有若干开槽。本发明的透明导电层和/或钝化层具有开槽，开槽可以改变光的出射角度，提高光的漫反射几率，进而提升LED芯片的发光亮度。
透明导电层钝化层开槽衬底外延结构漫反射出射制造发光

[发明专利]LED光源及其制造方法-CN201810301871.5在审
发明人： 刘佳擎;李庆 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明揭示了一种LED光源及其制造方法，LED光源包括发光单元及波长选择层，发光单元包括LED芯片及封装LED芯片的封装体，波长选择层位于发光单元的发光路径上。本发明的LED光源可以控制出射光的波长范围，从而减少抑制植物生长的波段出光，降低其他波段光对植物生长的抑制作用，进而推动植物照明的发展。
发光单元波长选择封装LED芯片发光路径植物照明波段光出射光封装体波长波段制造

[实用新型]一种用于吸附LED晶片的吸嘴及具有其的分选设备-CN201721157040.2有效
发明人： 刘佳擎;李庆;陈立人 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于吸附LED晶片的吸嘴及具有其的分选设备，所述吸嘴包括轴向连接的吸嘴体和吸嘴头，所述吸嘴头用于接触所述LED晶片并对LED晶片进行吸附；且在所述吸嘴体中设置有线圈，在所述线圈通电时，所产生的磁场能够吸附所述吸嘴头所接触的LED晶片。从而在使用该吸嘴吸附LED晶片时，通过精确控制线圈中的电流的强度值，就可以精确的控制该线圈所产生的磁场的磁场强度，进而精确的控制该磁场吸附LED晶片的力度，从而可以有效的防止在吸附的过程中，该LED晶片被损坏的可能性。
吸附吸嘴吸嘴头磁场分选设备吸嘴体本实用新型磁场吸附控制线圈线圈通电轴向连接

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