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[发明专利]一种WAT层别暗电流原因的方法-CN202211425496.8在审
发明人：龚正致;袁超;李超翰;况诗吟 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种WAT层别暗电流原因的方法，包括：在晶圆上加工出至少一组WAT器件，一组WAT器件内包括一个第一WAT器件WAT‑1以及至少一个第二WAT器件，第一WAT器件WAT‑1采用有源器件相同的加工工艺加工，第二WAT器件采用有源器件相同的加工工艺加工并刻意缺失其中一个结构，不同的第二WAT器件缺失不同的结构；检测WAT器件是否有高暗电流。根据不同WAT器件上暗电流的高低层别出造成有源器件暗电流的原因。本发明可以即时层别出造成有源器件高暗电流的主要原因，从而找出相应的工艺步骤，针对工艺步骤实施纠正改善措施，可以缩短改善良率的时效，而且不需要实施复杂的DOE实验，大量降低实验成本。
一种 wat 层别暗电流原因方法

[发明专利]一种抗WiFi干扰芯片的加工方法及芯片结构-CN202310791072.1在审
发明人：廖世容;况诗吟;叶瑾琳 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗WiFi干扰芯片的加工方法，所述方法包括：在芯片表面上生长出厚度为#imgabs0#的SiNx；通过采用光刻以及刻蚀的方法得到所需要的图形，再进行扩散使之形成P型层；在P型层上生长0.2‑3微米厚度的SiO2介质层，对SiO2介质层进行第二次蚀刻处理；在第二次蚀刻后的芯片表面生长0.1‑0.5微米厚度的SiNx增透膜，并对SiNx增透膜进行第三次蚀刻处理；在第三次蚀刻后的芯片表面生长出P型电极层，对P型电极层进行金属剥离后得到金属图案，再在芯片表面沉积抗干扰金属层，最后对芯片背面进行研磨减薄并在减薄后的芯片背面沉积N型电极层。应用本发明实施例，简化了芯片结构。
一种 wifi 干扰芯片加工方法结构

[实用新型]一种保护装置-CN202320221671.5有效
发明人：袁超;况诗吟;卢静;牛欣玥;翟豪;余志林 -专利权人：浙江光特科技有限公司;重庆电子工程职业学院
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型提供一种保护装置，其包括：炉体，其内设置有加热腔，炉体的一端固定连接有上盖板，另一端连接有下盖板；其中上盖板和下盖板之间连接有保护组件；保护组件包括：进气管，其一端与下盖板连接，且进气管的另一端连接有加热箱；出气管，其一端与上盖板连接，且出气管的另一端连接有蓄热箱；以及供气组件，与进气管和出气管连通；其中，下盖板上连接有连接板，且进气管与下盖板连通；以及连接板上开设有多个通孔，位于进气管内气体穿过通孔进入加热腔内。本实用新型可有效改善现有磷化铟单晶生长炉因高温高压对流，产生出现孪晶、空位、晶体滑移等现象的问题。
一种保护装置

[实用新型]一种清洗装置-CN202222301777.4有效
发明人： 况诗吟;沈琪良;卢静;刘睿强 -专利权人：浙江光特科技有限公司;重庆电子工程职业学院
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种清洗装置。所述清洗装置包括：支撑筒；转盘，所述转盘活动设置在所述支撑筒的顶部；多个浸泡清洗桶，多个所述浸泡清洗桶均可拆卸设置在所述转盘的顶部；支撑架，所述支撑架固定安装在所述转盘的一侧，所述支撑架延伸至任一个所述浸泡清洗桶的上方；置物篮，所述置物篮设置在所述支撑架处并可置于所述浸泡清洗桶内；螺纹套筒，所述螺纹套筒转动安装在所述支撑架上；丝杆，所述丝杆螺纹安装在所述螺纹套筒内，所述丝杆的底端与所述置物篮固定连接。本实用新型提供的清洗装置具有整合了浸泡清洗桶体，方便打捞和放置磷化铟多晶材料的优点。
一种清洗装置

[实用新型]一种半导体硅片高精度切割装置-CN202221798316.6有效
发明人：袁超;谢建平;况诗吟 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B26D1/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体硅片高精度切割装置，包括：壳体；操作口，所述操作口开设于所述壳体的正面，所述操作口的正面的右侧通过铰链设置有透明玻璃窗；切割底座，所述切割底座固定安装于所述壳体内部的底部，所述切割底座的顶部固定安装有伸缩切割机构；安装槽，所述安装槽开设于所述切割底座的内部，所述切割底座的内部且位于所述安装槽的底部开设有安装螺槽，所述安装螺槽的内部设置有固定吸盘。本实用新型提供的一种半导体硅片高精度切割装置将其放置到固定吸盘上的半导体硅片进行吸附住从而固定在固定吸盘上且处于切割底座上，从而避免了通过夹持的方式而将其半导体硅片夹坏，从而提高了切割的良品率。
一种半导体硅片高精度切割装置

[实用新型]一种用于光电探测器同心度快速对位装置-CN202221241141.9有效
发明人： 况诗吟;龚正致;石峰 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01D11/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于光电探测器同心度快速对位装置。所述用于光电探测器同心度快速对位装置包括：工作台，所述工作台的上方滑动安装有匚形架，所述工作台上设置有夹持机构、两个定位固定机构和对位机构；所述夹持机构包括放置板、探测器安装座、光电探测器、腔体、双轴电机、两个螺纹杆、两个内螺纹滑块、两个L形杆和两个夹板，所述放置板固定安装在工作台的顶部，所述探测器安装座设置在放置板的上方，所述光电探测器设置在探测器安装座的上方。本实用新型提供的用于光电探测器同心度快速对位装置可以简单有效的对光电探测器同心度进行快速对位，能够对探测器安装座进行夹持固定，并对匚形架进行定位的优点。
一种用于光电探测器同心快速对位装置

[实用新型]一种背照式MPD安装测试结构-CN202221095590.7有效
发明人：方成诚;万远涛;况诗吟 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种背照式MPD安装测试结构，包括：TO46管座；陶瓷垫片，所述陶瓷垫片粘连于所述TO46管座的一侧，所述陶瓷垫片的一侧粘连有FAB，所述FAB顶部的中间粘连有背照式MPD芯片；TO46负极管脚，所述TO46负极管脚固定安装于所述TO46管座的底部的一侧；TO46正极管脚，所述TO46正极管脚固定安装于所述TO46管座的底部的另一侧；TO46接地管脚，所述TO46接地管脚固定安装于所述TO46管座的底部。本实用新型提供的背照式MPD安装测试结构，通过将陶瓷垫片与TO46管座一侧粘连，随后将背照式MPD芯片与FAB粘连在一起后，再将FAB与陶瓷垫片进行粘连，方便对单颗的背照式MPD芯片进行贴片，且方便进行非常规的参数测试。
一种背照式 mpd 安装测试结构

[实用新型]一种用于光电探测器的安装结构-CN202221241124.5有效
发明人：龚正致;沈琪良;况诗吟 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： F16M13/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于光电探测器的安装结构。所述用于光电探测器的安装结构包括：光电探测器主体、外部连接管、连接插头和密封组件，所述外部连接管设置在光电探测器主体的一侧，所述连接插头固定安装在光电探测器主体上，所述连接插头的一端延伸至外部连接管内并与外部连接管的内壁滑动连接，所述密封组件设置在连接插头上；所述密封组件包括有密封活塞和挡块，所述密封活塞设置在外部连接管内，所述密封活塞固定安装在连接插头上。本实用新型提供的用于光电探测器的安装结构操作简单，省时省力，从而可以加快对光电探测器的安装工作的优点。
一种用于光电探测器安装结构

[发明专利]芯片自动测试方法、系统、计算机设备和存储介质-CN202210632140.5在审
发明人：万远涛;龚正致;况诗吟 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明适用于计算机技术领域，提供了一种芯片自动测试方法、系统、计算机设备和存储介质，所述方法包括以下步骤：根据待测试芯片的分布情况，规划探针或光纤或承片台的运动轨迹；按设定的运动轨迹依照测试策略次对芯片进行测试，并输出测试结果；所述测试策略为：对当前待测芯片调用对应的测试程序进行测试，同时还获取下一个待测芯片的图像信息；对获取到的下一个待测芯片的图像信息进行识别，判定所述下一个待测芯片的型号与当前正在测试的待测芯片的型号是否相同；直至所有待测芯片均测试完成，本发明的有益效果是：可以实现不同型号产品的混测，极大的提升测试效率和降低成本。
芯片自动测试方法系统计算机设备存储介质

[发明专利]一种自动测试线性度的测试方法-CN202210452183.5在审
发明人：袁超;方诚成;万远涛;况诗吟 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01D18/00 文献下载
摘要：本发明涉及线性度测试领域，且公开了一种自动测试线性度的测试方法，包括以下步骤：Step1：设定基础线性测试区间，进行局部划分；Step2：设定光功率测试的步径范围；Step3：调整光衰值，使得光功率达到待测试产生的目标光功率；Step4：调整光衰值，使得光功率达到待测试的目标光功率，并重复五次；Step5：若五次光衰和功率值相差小于目标值，则使用五次的平均值作为光衰和功率实际值，生成响应度线性测试校准计算依据。本发明通过增加可进行自动测试产品线性度的方案，测试效率高，能够极好的适应量产，生产成本低，并且能够提供较为便利的校准措施，便于用户通过编程光衰和光功率完成自动测试，可验证测试准确性，保证成品的合格率。
一种自动测试线性方法

[发明专利]一种用于晶圆光刻胶烘干处理的设备-CN202210089724.2在审
发明人：廖世容;况诗吟;谢建平 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶圆光刻胶烘干处理的设备，包括：一传送机构；多个夹具，沿所述传送机构的移动方向间隔设置在所述传送机构上；沿所述传送机构的移动方向设置有滴胶区、烘干区；一滴胶机构，位于所述滴胶区，布置于所述夹具的上方；一烘干机构，位于所述烘干区，布置于所述夹具的上方，沿所述传送机构的移动方向，所述烘干机构位于所述滴胶机构的下游侧。利用多个夹具夹持固定多个晶圆，利用传送机构带动夹具连续传送。利用滴胶机构向晶圆上滴加光刻胶。在匀胶后，利用烘干机构进行烘干处理。本实施例集合滴胶、烘干一体化处理，可以多个晶圆连续处理，效率高。
一种用于圆光烘干处理设备

[发明专利]一种晶圆匀胶设备-CN202210050243.0在审
发明人：叶瑾琳;况诗吟;高思铖 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆匀胶设备，包括：一支撑件，其上设有3个定位组，3个所述定位组沿第一圆周的周向均匀间隔布置，所述定位组包括多个沿所述第一圆周的径向布置的定位孔；3个定位件，与3个所述定位组一一对应，所述定位件与所述定位孔可拆卸连接；一吸盘，设置于所述支撑件上，且位于3个所述定位件之间；一旋转机构，用于带动所述支撑件沿所述第一圆周的周向转动；一供胶机构；一滴胶管，与所述供胶机构连接，布置于所述吸盘的上方。将晶圆放置在吸盘上，并置于3个定位件之间，利用吸盘吸附晶圆。通过设置3个定位件，保证每次放置晶圆时，晶圆的中心固定，保证后续匀胶均匀性。
一种晶圆匀胶设备

[发明专利]一种用于探测器的干法刻蚀装置-CN202111290568.8在审
发明人：万远涛;廖世容;况诗吟 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于探测器的干法刻蚀装置，用于对晶圆干法刻蚀加工，包括：一刻蚀腔体，其敞口设置；一刻蚀组件，设置于所述刻蚀腔体内；一进气箱，与所述刻蚀腔体连通；一抽真空设备，与所述刻蚀腔体连通；多个夹持部，用于夹持所述晶圆；一动力部，用于带动所述夹持部进入或脱离所述刻蚀腔体的上方区域；一封闭环；一驱动部，用于带动所述封闭环移动，以将所述夹持部与所述刻蚀腔体的密封。在刻蚀加工完成后，停止作业。利用驱动部带动密封环下降，利用动力部带动夹持部移开，让另一个夹持部、晶圆位于刻蚀腔体的上方，再次进行重复刻蚀作业。能够连续不断进行刻蚀加工作业，效率高。
一种用于探测器刻蚀装置

[发明专利]一种降低磷化铟基探测器暗电流的方法-CN202111272841.4在审
发明人：万远涛;廖世容;况诗吟 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低磷化铟基探测器暗电流的方法，包括以下步骤：提供InP衬底，在InP衬底生长N型InP，光吸收层、未掺杂的InP层、光刻掩膜形成掩膜层，扩散形成P型InP；采用电子束蒸发或者磁控溅射的方式形成P型电极，在背面形成N型电极；其中，芯片切割道的位置采用掩膜层覆盖。掩膜层为氮化硅薄膜或二氧化硅薄膜。掩膜层采用PECVD工艺制成。本发明的有益之处在于，可以有效降低器件的暗电流，提升器件性能。
一种降低磷化探测器电流方法

[发明专利]一种制备SiO2-CN202111290588.5在审
发明人：万远涛;廖世容;况诗吟 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备SiO2薄膜的方法，采用PECVD沉积方式制备SiO2薄膜：采用高频与低频交替方式沉积，其中高频频率13.56MHz；低频频率为50‑400KHz；高频功率为20‑100W，低频功率为35‑100W；沉积的气体为混合气体与笑气的混合气体，气体压力为900‑1600mtorr，其中硅烷与笑气的流量比例为90‑300：600‑800；沉积温度为250‑300℃。通过采用高低频交替生长SiO2薄膜，薄膜的致密性较高，抵抗湿气的能力强；通过调整高低频的工艺参数，得到低应力的SiO2薄膜，薄膜通过高低频的交替生长可以得到稳定的低应力SiO2薄膜，工艺稳定可以重复运行应力值保持稳定不漂移。
一种制备 sio base sub

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