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[发明专利]基于氧化镓/钙钛矿传输层异质结的n型晶体管及其制备方法-CN201911166674.8有效
发明人：关赫;汪钰成 -专利权人：韦华半导体（苏州）有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种基于氧化镓/钙钛矿传输层异质结的n型晶体管的制备方法，晶体管包括n型β‑Ga2O3衬底、生长在所述n型β‑Ga2O3衬底表面两端的源电极和漏电极、生长在n型β‑Ga2O3衬底表面位于源电极和漏电极中间的电子传输层、生长在所述电子传输层表面的钙钛矿光吸收层、生长在所述钙钛矿光吸收层表面/背面的栅介质绝缘层以及生长在栅介质绝缘层表面的栅电极，制备方法公开了具体的制备步骤，以上制备方法以及制备的晶体管提高了现有技术中的Ga2O3晶体管器件的迁移率、开关比等重要参数。
基于氧化钙钛矿传输层异质结晶体管及其制备方法

[发明专利]一种新型氮化镓外延材料的刻蚀方法-CN202211012216.0在审
发明人：关赫;武婧博 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型氮化镓外延材料的刻蚀方法，具体操作包括生长掩膜层；刻蚀掩膜图形；等离子体刻蚀；湿法溶液处理；重复干湿法刻蚀；去除掩膜层；清洗烘干。本发明采用基于等离子体和湿法溶液共同处理的新型刻蚀方法，通过交替循环执行干湿法刻蚀，达到刻蚀速率可控、刻蚀深度可控和表面形态可控的效果。
一种新型氮化外延材料刻蚀方法

[实用新型]一种用于增加带宽的阻抗逆变器-CN202221075116.8有效
发明人：丁志文;关赫 -专利权人：韦华半导体（苏州）有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于增加带宽的阻抗逆变器，阻抗逆变器包括主放大器模块，包括第一分流电阻和与第一分流电阻连接的第一电容器；MIM电容器模块包括相互连接的第一电感、第二电感、第三电感和MIM电容器，MIM电容器一端与第三电感连接，另一端连接有寄生电感；MIM电容器模块还包括基底，基底上具有通孔，寄生电感位于通孔内，MIM电容器位于基底上；辅助放大器模块包括第二分流电阻和与第二分流电阻连接的第二电容器；可以有效降低寄生电感以实现T型网络，使得功率放大器中的阻抗逆变器在高于Ka波段的高频下也能够实现，进而保证阻抗逆变器能够适用于各个频率波段下的T型网络，以增加工作带宽。
一种用于增加带宽阻抗逆变器

[发明专利]一种基于GaN异质结外延的压敏电阻器件及方法-CN202210595458.0在审
发明人：关赫;武婧博 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-05-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN异质结外延的压敏电阻器件及方法，包括依次从下往上堆叠的衬底、AlN/AlInGaN缓冲层、uGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN势垒插入层、Al(In)GaN势垒层、GaN帽层和两个金属电极；GaN沟道层、AlN势垒插入层、Al(In)GaN势垒层和GaN帽层的中部被刻蚀形成一个槽；所述两个金属电极分布在槽两侧；金属电极从下至上依次为Ti、Al、Ni、Au四层结构。本发明制备方法简单且所得器件具有典型的压敏电阻特性。
一种基于 gan 异质结外延压敏电阻器件方法

[发明专利]一种基于InAs/AlSb异质结型射频场效应晶体管器件及其制备方法-CN202210777579.7在审
发明人：何玉亭;曾自强;关赫;周德云 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于InAs/AlSb异质结型射频场效应晶体管器件及其制备方法，该器件包括GaAs衬底、AlGaSb缓冲层、p型GaSb插入层、下势垒层、InAs沟道层、上势垒层、InAlAs空穴阻挡层、InAs帽层、源极、漏极和栅极，其中，GaAs衬底、AlGaSb缓冲层、p型GaSb插入层、下势垒层、InAs沟道层、上势垒层、InAlAs空穴阻挡层、InAs帽层依次层叠；源极和漏极均位于InAs帽层上，且源极和漏极之间相距一定距离；InAs帽层中设置有栅槽，栅槽位于源极和漏极之间且位于InAlAs空穴阻挡层上，栅极位于栅槽中。该射频场效应晶体管器件中，在AlGaSb缓冲层和下势垒层之间插入p型GaSb插入层，p型GaSb插入层可以消除一些由碰撞电离效应引起的空穴，抑制空穴向衬底方向的运动，从而改善器件的直流特性，提高器件的性能。
一种基于 inas alsb 异质结型射频场效应晶体管器件及其制备方法

[发明专利]一种带宽可重构的低噪声放大器-CN202210490351.X在审
发明人：丁志文;关赫 -专利权人：韦华半导体（苏州）有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种带宽可重构的低噪声放大器，包括：一级放大模块，包括一级放大器单元和一级反馈开关，一级放大器单元包括一级放大器和第一接地端；二级放大模块，包括二级放大器单元和二级反馈开关，二级放大器单元包括二级放大器和第二接地端；三级放大模块，包括三级放大器单元和三级反馈开关，三级放大器单元包括三级放大器、四级放大器、第三接地端以及第四接地端；通过设置相互并联的三级放大模块，且每级放大模块包括一个反馈开关，通过设置反馈开关的状态以改变电路状态，从而实现低噪声放大器的重构，进而能够根据不同频段下的指标要求配置不同频段下的最优增益、噪声系数、IIP3、输入反射系数等。
一种带宽可重构低噪声放大器

[发明专利]基于集总元件的多频阻抗匹配方法-CN202110515535.2在审
发明人：杜永乾;陈家豪;杨凯;刘培宇;关赫 -专利权人：西北工业大学深圳研究院;西北工业大学
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于集总元件的多频阻抗匹配方法，首先用第一级匹配网络，实现f1阻抗匹配。接着利用由谐振频率为f1的串联谐振回路和并联谐振回路组成的第二级匹配网络，在不影响f1阻抗匹配的情况下，实现f2阻抗匹配。依次类推，第n级匹配网络由谐振频率在f1、f2…fn‑1的串联谐振回路和并联谐振回路通过并联和串联的连接形式组成，在不影响f1、f2…fn‑1阻抗匹配的情况下，实现fn阻抗匹配。增加级联的匹配网络，理论上可以实现任意多频点、任意阻抗的阻抗匹配。本发明的多个频点、阻抗点之间不相关，可以任意选取，可以应用到射频功率放大器、低噪声放大器、无线能量收集等多种电路设计中，有利于提高系统设计的灵活性，减小电路体积。
基于元件阻抗匹配方法

[发明专利]基于氧化镓多层堆叠结构的PIN二极管及其制备方法-CN201911166673.3有效
发明人：汪钰成;关赫 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，具体提供了一种基于氧化镓多层堆叠结构的PIN二极管，包括最底层的Ga2O3衬底、生长在所述Ga2O3衬底表面一侧的CsPbI3层和另一侧的底电极、生长在所述CsPbI3层表面的钙钛矿层、生长在所述钙钛矿层表面的本征ZnO层以及生长在所述ZnO层表面的顶电极；本发明的PIN二极管具有使载流子快速分离和传导的性能，应用在光电探测器中可以使光电探测器实现紫外‑可见光的双波段探测。
基于氧化多层堆叠结构 pin 二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于互补型SiC的新型晶体管器件及其制备方法-CN201911229888.5有效
发明人：汪钰成;关赫;剧亚齐 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于互补型SiC的新型晶体管器件及其制备方法，包括：选取SiC衬底，中部用绝缘阻挡层分开；在所述SiC衬底一侧表面生长N型SiC外延层及电子传输层，在所述SiC衬底另一侧表面生长P型SiC外延层及空穴传输层；在所述两侧传输层表面生长钙钛矿光吸收层；在所述两侧钙钛矿光吸收层表面生长绝缘层；在所述两侧绝缘层表面生长栅电极；在所述SiC衬底两侧表面分别生长源漏电极，最终形成所述基于互补型SiC/钙钛矿传输层异质结的晶体管器件。本发明的晶体管采用钙钛矿光吸收层/传输层来为沟道提供光生载流子，提高了现有技术中的SiC晶体管器件的迁移率、开关速度等重要参数，增加了器件集成度，降低器件功耗。
一种基于互补 sic 新型晶体管器件及其制备方法

[发明专利]一种基于P型SiC的新型晶体管器件及其制备方法-CN201911229898.9有效
发明人：关赫;汪钰成;沈桂宁 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于P型SiC的新型晶体管器件及其制备方法，包括：选取碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底表面使用第一掩模版生长空穴传输层；在所述空穴传输层表面生长钙钛矿光吸收层；在所述钙钛矿光吸收层表面或所述衬底下表面生长绝缘层；在所述绝缘层表面生长栅电极；在所述碳化硅衬底表面使用第二掩模版生长源漏电极，最终形成所述基于碳化硅/钙钛矿传输层异质结的晶体管器件；由于本发明的晶体管采用钙钛矿光吸收层/传输层来为沟道提供相同极性光生载流子，提高了现有技术中的碳化硅晶体管器件的迁移率、开关速度等其他重要参数。
一种基于 sic 新型晶体管器件及其制备方法

[发明专利]一种基于N型SiC的新型晶体管器件及其制备方法-CN201911228621.4有效
发明人：关赫;汪钰成;白晓晨 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于N型SiC的新型晶体管器件及其制备方法，包括：选取碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底表面使用第一掩模版生长电子传输层；在所述电子传输层表面生长钙钛矿光吸收层；在所述钙钛矿光吸收层表面生长绝缘层；在所述绝缘层表面生长栅电极；在所述碳化硅衬底表面使用第二掩模版生长源漏电极，最终形成所述基于N型碳化硅/钙钛矿传输层异质结的晶体管器件。由于本发明的晶体管采用钙钛矿光吸收层/电子传输层来为沟道提供相同极性光生载流子，提高了现有技术中的碳化硅晶体管器件的迁移率、开关速度等其他重要参数。
一种基于 sic 新型晶体管器件及其制备方法

[发明专利]基于氧化镓钙钛矿多层堆叠结构的PIN二极管及其制备方法-CN201911166662.5有效
发明人：汪钰成;关赫 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，具体提供了一种基于Ga2O3/钙钛矿多层堆叠结构的PIN二极管，包括最底层的Ga2O3衬底、生长在Ga2O3衬底表面一侧的CsPbI3层和另一侧的底电极、生长在CsPbI3层表面以CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl3、CH3NH3SnI3等材料的钙钛矿层、生长在以CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl3、CH3NH3SnI3等材料的钙钛矿层表面的本征Ga2O3层以及生长在Ga2O3层表面的顶电极；本发明的PIN二极管具有使载流子快速分离和传导的性能，应用在光电探测器中可以使光电探测器实现紫外‑可见光的双波段探测。
基于氧化镓钙钛矿多层堆叠结构 pin 二极管及其制备方法

[发明专利]KU波段低噪声放大器-CN201611090968.3有效
发明人：关赫;杜永乾;张双喜 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开一种KU波段低噪声放大器，包括第一级共源共栅级联电感源级负反馈结构、级间匹配网络、第二级共源共栅级联电感源级负反馈结构，所述的第一级共源共栅级联电感源级负反馈结构通过级间匹配网络和第二级共源共栅级联电感源级负反馈结构相连接。本发明具有以下有益效果：(1)工作频带为12GHz～18GHz；(2)增益(S21)最小为20dB，且具备良好的增益平坦度；(3)在工作带宽内输入匹配S11、输出匹配S22噪声系数小于‑10dB；(4)在波段内K＞1，即电路满足无条件稳定。
ku 波段低噪声放大器

[发明专利]一种基于氮化镓异质结外延的长关型HEMT器件及其制备方法-CN202010218097.9在审
发明人：关赫;沈桂宇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体提供了一种基于氮化镓异质结外延的长关型HEMT器件，包括最底层的高阻Si衬底以及依次从下到上堆叠的AlGaN\AlN缓冲层、GaN外延层、AlN插入层、AlInGaN势垒层、GaN帽层和顶层的栅电极、源漏电极，其具有击穿电压高、导通电阻低、开关速度快、零反向恢复电荷、体积小和能耗低、抗辐射等优势。本发明还提供了一种基于氮化镓异质结外延的长关型HEMT器件的制备方法，其成本低廉，工艺简单，可进行工业化批量生产。
一种基于氮化镓异质结外延长关型 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]基于氮化镓外延异质结的常开型HEMT器件及其制备方法-CN202010218115.3在审
发明人：关赫;沈桂宇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，尤其涉及一种基于氮化镓外延异质结的常开型HEMT器件及其制备方法。器件包括GaN外延、SiN钝化层、源漏电极、栅电极、第一SiO2钝化层、源场板、第二SiO2钝化层；所述GaN外延位于最底层，所述SiN钝化层、源漏电极均位于GaN外延表面，第一SiO2钝化层位于SiN钝化层表面、源漏电极之间并覆盖栅电极；所述源场板位于第一SiO2钝化层和源电极表面，所述第二SiO2钝化层位于最顶层并覆盖源场板，这种器件发热量小，极限工作温度高，且GaN介电常数较小，器件的寄生电容更小，使其更适用于制造抗辐射、耐高温、高频、微波器件。
基于氮化外延异质结常开 hemt 器件及其制备方法

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