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[发明专利]线性化膜氧化生长方法-CN202280012665.7在审
发明人： 克里斯托弗·S·奥尔森;托宾·卡芙曼·奥斯本 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了在半导体基板上形成氧化物层的方法。该方法包含通过在第一温度下将半导体基板暴露于具有第一氧百分比的第一气体混合物，以第一生长速率在该基板上形成氧化物层的第一含氧化物部分。通过在第二温度下将该基板暴露于具有第二氧百分比的第二气体混合物，以第二生长速率在该基板上形成第二含氧化物部分。通过在第三温度下将该基板暴露于具有第三氧百分比的第三气体混合物，以第三生长速率在该基板上形成第三含氧化物部分。第一生长速率慢于每个随后的生长速率，并且第二生长速率之后的每个生长速率彼此在50％以内。
线性化氧化生长方法

[发明专利]用于3DNAND应用的隧道氧化物的高压氨氮化-CN201780033161.2有效
发明人： 克里斯托弗·S·奥尔森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文公开的实施方式总体涉及用于形成半导体结构的系统。处理腔室包括腔室主体、基板支撑装置、石英包壳、一个或多个加热装置、气体注入组件和泵装置。所述腔室主体限定内部容积。所述基板支撑装置经构造以在处理期间支撑一个或多个基板。所述石英包壳设置在所述处理腔室中。所述石英包壳经构造以容纳所述基板支撑装置。所述加热装置围绕所述石英包壳设置。所述气体注入组件耦接到所述处理腔室。所述气体注入组件经构造以向所述处理腔室的所述内部容积提供NH3气体。所述泵装置耦接到所述处理腔室。所述泵装置经构造以将所述处理腔室保持在至少10atm的压力下。
用于 dnand 应用隧道氧化物高压氮化

[发明专利]具有挡板的气体注射器-CN201880066517.7有效
发明人：维希瓦·库马尔·帕迪;劳拉·哈夫雷查克;庄野贤一;卡尔蒂克·萨哈;克里斯托弗·S·奥尔森;赛拉朱·泰拉瓦尔尤拉;凯拉什·普拉丹;雷内·乔治;约翰内斯·F·斯温伯格;斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文中提供了用于提供均匀流体流的气体注射器。所述气体注射器包括充气主体。所述充气主体包括：凹口；凸部，与所述凹口相邻且侧向延伸远离所述充气主体；及多个喷嘴，从所述充气主体的外表面侧向延伸。所述充气主体在所述充气主体的外壁中具有多个孔。各个喷嘴与所述充气主体的内部容积流体连通。通过引导流体流，所述气体注射器提供了均匀的沉积作用。
具有挡板气体注射器

[发明专利]用于远程等离子体氧化腔室的狗骨式入口锥形轮廓-CN201880087578.1有效
发明人：维希瓦·库马尔·帕迪;卡尔蒂克·萨哈;克里斯托弗·S·奥尔森;阿古斯·索菲安·查德拉;汉瑟·劳;庄野贤一;荷曼撒·拉朱 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式总体涉及用于高深宽比结构的保形氧化的处理腔室。处理腔室包括腔室主体，腔室主体具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，和设置在第一侧的流动组件。流动组件包括分流器，以引导流体流动远离设置在处理腔室的处理区域中的基板的中心。分流器包括新月形的第一侧、顶部和底部。处理腔室还包括邻近第二侧定位的分散式泵送结构。流动组件被设计为减少自由基的流动收缩，带来自由基浓度和通量增加。
用于远程等离子体氧化狗骨式入口锥形轮廓

[发明专利]清洁方法-CN201680064740.9有效
发明人：彼得·斯通;克里斯托弗·S·奥尔森;郭塘坊;谢平汉;丁震文 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开内容的实现方式一般地涉及用于在基板表面上外延沉积的方法和设备。更具体言之，本公开内容的实现方式一般地涉及用于在外延沉积之前作表面预备(preparation)的方法和设备。在一个实现方式中，提供了一种处理基板的方法。该方法包括以下步骤：通过使用等离子体蚀刻处理来蚀刻含硅基板的表面以形成该含硅基板的经蚀刻的表面，及在该含硅基板的经蚀刻的表面上形成外延层。该等离子体蚀刻处理包括以下步骤：将包含含氟前驱物和含氢前驱物的蚀刻剂气体混合物流入第一处理腔室的基板处理区域，及由流入基板处理区域的该蚀刻剂气体混合物形成等离子体。
清洁方法

[发明专利]用于输送气体至工艺腔室的设备及系统-CN202180071341.6在审
发明人： 克里斯托弗·S·奥尔森;劳拉·哈夫雷查克;托宾·卡芙曼·奥斯本;张文飞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文描述的实施方式大体涉及一种气体组件，该气体组件设置在主机门与工艺腔室之间。该气体组件提供进入处理容积的多区域气体交叉流分配。这些区域中的每个区域都是被独立地控制的。这些区域各自包括单个喷嘴，这些区域各自包括与多个喷嘴流体耦接的气室，或其组合。这些喷嘴，诸如与喷嘴一起被包括的气室，设置在该歧管内且在该歧管的第一主表面与第二主表面之间。这些喷嘴的出口与该歧管的第二主表面流体连通，并与该工艺腔室的容积流体连通。多个独立受控的区域为流量敏感的化学工艺提供了质量流量可控性。该气体组件包括适配器板，该适配器板被构造为耦接至真空主机机器人。
用于输送气体工艺设备系统

[发明专利]利用非晶硅和氧化的薄氧化物层的生长-CN202180068175.4在审
发明人： 克里斯托弗·S·奥尔森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：一种用于形成氧化物层的方法，包含在基板上形成界面层，在此界面层上形成非晶硅层，执行直接氧化工艺以使形成的非晶硅层选择性氧化，和执行热氧化工艺以使形成的非晶硅层氧化。
利用非晶硅氧化氧化物生长

[发明专利]用于改善自由基浓度的侧面注入设计-CN202210541866.8在审
发明人：庄野贤一;维希瓦·库马尔·帕迪;克里斯托弗·S·奥尔森;汉瑟·劳;阿古斯·索菲安·查德拉;泰万·基姆;托宾·卡芙曼·奥斯本 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在一个实例中，腔室入口组件包括腔室入口、用于输送管线的外部耦接件以及用于处理腔室的处理区域的内部耦接件。内部耦接件和外部耦接件分别在腔室入口的内端和外端上，其中内部耦接件的横截面面积大于外部耦接件的横截面面积。腔室入口组件还包括纵向剖面，该纵向剖面包含内端和外端以及第一边和第二边，第一边和第二边位于腔室入口的相对侧，其中纵向剖面的形状包括以下各者中的至少一个：三角形、修改式三角形、梯形、修改式梯形、矩形、修改式矩形、菱形和修改式菱形。腔室入口组件还包括盒，该盒包含腔室入口并经配置以设置到处理腔室的侧壁中。
用于改善自由基浓度侧面注入设计

[发明专利]远程等离子体氧化室-CN201880029034.X有效
发明人： 克里斯托弗·S·奥尔森;埃里克·克哈雷·施诺;劳拉·哈夫雷;阿古斯·索菲安·查德拉;柴塔尼亚·A·普拉萨德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式一般涉及一种用于高深宽比结构的共形氧化的处理腔室。处理腔室包括位于腔室主体的第一侧中的衬里组件和位于基板支撑部中的两个泵送口，基板支撑部邻近腔室主体的与第一侧相对的第二侧。衬里组件包括分流器，以引导流体流离开设置在处理腔室的处理区域中的基板的中心。衬里组件可由石英制成，以尽量减少与处理气体(例如自由基)的相互作用。该衬里组件旨在减少自由基的流动收缩，以致自由基浓度和通量增加。可单独控制两个泵送口以调节通过处理腔室的处理区域的自由基的流动。
远程等离子体氧化

[发明专利]用于改善自由基浓度的侧面注入设计-CN201980009302.6有效
发明人：庄野贤一;维希瓦·库马尔·帕迪;克里斯托弗·S·奥尔森;汉瑟·劳;阿古斯·索菲安·查德拉;泰万·基姆;托宾·卡芙曼·奥斯本 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在一个实例中，腔室入口组件包括腔室入口、用于输送管线的外部耦接件以及用于处理腔室的处理区域的内部耦接件。内部耦接件和外部耦接件分别在腔室入口的内端和外端上，其中内部耦接件的横截面面积大于外部耦接件的横截面面积。腔室入口组件还包括纵向剖面，该纵向剖面包含内端和外端以及第一边和第二边，第一边和第二边位于腔室入口的相对侧，其中纵向剖面的形状包括以下各者中的至少一个：三角形、修改式三角形、梯形、修改式梯形、矩形、修改式矩形、菱形和修改式菱形。腔室入口组件还包括盒，该盒包含腔室入口并经配置以设置到处理腔室的侧壁中。
用于改善自由基浓度侧面注入设计

[发明专利]用于高纵横比共形自由基氧化的蒸汽氧化反应-CN201710947719.X有效
发明人： 克里斯托弗·S·奥尔森;泰万·基姆 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：基板氧化组件包括：界定处理容积的腔室主体；设置在处理容积中的基板支撑件；耦接到处理容积的等离子体源；流动耦接到处理容积的蒸汽源；和基板加热器。一种处理半导体基板的方法包括：开始基板的高纵横比结构的共形自由基氧化，包括：加热基板；以及将基板暴露于蒸汽；以及共形氧化基板。半导体器件包括含硅和氮层；在含硅和氮层中形成的具有至少40:1的纵横比的特征；以及在特征面上的氧化层，所述氧化层在含硅和氮层的底部区域中具有的厚度是顶部区域中的氧化层的厚度的至少95％。
用于纵横自由基氧化蒸汽反应

[发明专利]用于高纵横比共形自由基氧化的蒸汽氧化反应-CN201710827129.3有效
发明人： 克里斯托弗·S·奥尔森;泰万·基姆 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：基板氧化组件包括：界定处理容积的腔室主体；设置在处理容积中的基板支撑件；耦接到处理容积的等离子体源；流动耦接到处理容积的蒸汽源；和基板加热器。一种处理半导体基板的方法包括：开始基板的高纵横比结构的共形自由基氧化，包括：加热基板；以及将基板暴露于蒸汽；以及共形氧化基板。半导体器件包括含硅和氮层；在含硅和氮层中形成的具有至少40:1的纵横比的特征；以及在特征面上的氧化层，所述氧化层在含硅和氮层的底部区域中具有的厚度是顶部区域中的氧化层的厚度的至少95％。
用于纵横自由基氧化蒸汽反应

[发明专利]用于较佳的晶片均匀性的不对称的注射-CN202080011807.9在审
发明人：庄野贤一;维希瓦·库马尔·帕迪;克里斯托弗·S·奥尔森;卡尔蒂克·萨哈;汉瑟·劳;托宾·卡芙曼·奥斯本;雷内·乔治;劳拉·哈夫雷查克;埃里卡·汉森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-30 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于处理基板的气体注射器包含：主体，所述主体具有能连接至气体源的入口，所述气体源被配置为当处理在设置于处理腔室的处理容积内的基板支撑件上的基板时，在第一方向上提供气流至所述入口；及气体注射通道，所述气体注射通道形成在所述主体中。所述气体注射通道与所述入口流体连通且被配置为将所述气流输送至所述处理腔室的入口。所述气体注射通道具有平行于第二方向和第三方向的第一内表面和第二内表面。所述第二方向和所述第三方向不与所述基板的中心相交，并朝向所述基板支撑件的第一边缘而与所述第一方向成一角度。
用于晶片均匀不对称注射

[发明专利]用于对暴露的硅表面进行选择性氧化的设备和方法-CN201710561519.0有效
发明人：潘恒;马修·斯科特·罗杰斯;阿古斯·S·查德拉;克里斯托弗·S·奥尔森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文描述用于选择性地氧化硅的装置和方法。用于对暴露的硅表面进行选择性氧化的设备包括：热处理腔室，所述热处理腔室具有多个壁、第一入口连接件和第二入口连接件，其中壁界定处理腔室内的处理区域；处理腔室内的基板支撑件；与第一入口连接件连接的氢源；与氢源连接的热源；和与第二入口连接件和氧源连接的远程等离子体源。一种用于对非金属表面进行选择性氧化的方法，所述方法可包括：在小于800℃的温度下的处理腔室中定位基板；使氢流入处理腔室中；产生含氧远程等离子体；在处理腔室中将远程等离子体与氢气混合以产生活性处理气体；和使基板暴露于活性气体。
用于暴露表面进行选择性氧化设备方法

[发明专利]用于供应改良的气流至处理腔室的处理空间的方法和设备-CN201980082954.2在审
发明人：维希瓦·库马尔·帕迪;庄野贤一;卡尔蒂克·萨哈;克里斯托弗·S·奥尔森;阿古斯·索菲安·查德拉;托宾·卡芙曼·奥斯本;泰万·基姆;汉瑟·劳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容一般提供在电子装置制造处理期间向处理腔室的处理空间提供至少为亚稳态的自由基分子物质和/或自由基原子物质的方法及其相关设备。在一个具体实施方式中，设备是设置在远程等离子体源和处理腔室之间的气体注入组件。气体注入组件包括：主体；设置在主体中的介电衬垫，介电衬垫限定了气体混合空间；将气体注入组件耦接至处理腔室的第一凸缘；以及将气体注入组件耦接至远程等离子体源的第二凸缘。气体注入组件还包括穿过主体和衬垫形成的一个或多个气体注入口。
用于供应改良气流处理空间方法设备

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