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[发明专利]锗锑碲粉体、靶材的制备方法-CN201910664915.5在审
发明人：沈文兴;白平平;朱刘;童培云;肖翀 -专利权人： 先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗锑碲粉体的制备方法，其包括如下步骤：S1、二元合金合成；S2、粉碎制粉；S3、均质混料；S4、三元合金粉体合成。本发明同时提出一种锗锑碲靶材的制备方法。本发明提出一种锗锑碲合金、靶材的制备方法，所制备得到的锗锑碲合金的收率大于98%；所制备得到的靶材相对密度大于98%，靶材纯度为4N或以上，相对密度高、组分均匀、微观缺陷少。
制备靶材锗锑碲粉体锗锑碲合金合成靶材纯度二元合金粉碎制粉三元合金微观缺陷混料均质收率

[发明专利]硒化铟靶材的制备模具及制备方法-CN201910579741.2在审
发明人：白平平;童培云;白向钰;谢小林;赵佳 -专利权人： 先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒化铟靶材的制备模具，模具包括上方开口且中空的外模和上封盖，外模形成一圆筒形的装料空间，上封盖包括与外模盖合的盖面和自盖面向上凸伸的封盖柄，封盖柄上开设有真空抽气孔，模具还包括垫设于外模内的若干石墨纸和支撑片。本发明同时提出一种硒化铟靶材的制备方法。该制备模具和制备方法采用热等静压技术制备高密度、低电阻的硒化铟靶材，所制备得到的硒化铟靶材的密度达到99%以上、靶材1cm间的电阻值低于1200Ω/cm，所制备得到的硒化铟靶材适用于半导体镀膜。
靶材硒化铟制备外模制备模具上封盖封盖盖面模具热等静压技术半导体镀膜真空抽气孔上方开口装料低电阻石墨纸圆筒形支撑片中空的电阻盖合凸伸

[发明专利]一种铜镓靶材及其制备方法-CN201910574761.0在审
发明人：蔡新志;朱刘;童培云;黄宇彬;冉成义;阿南·辛格·迪欧达特 -专利权人： 先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及靶材制备技术领域，尤其涉及一种铜镓靶材及其制备方法。所述制备方法包括：A)将高纯铜和高纯镓混合，得到混合物料；B)在真空的条件下，将所述混合物料熔化后，进行精炼和浇铸，冷却后，得到铸锭；C)将所述铸锭进行热轧：将所述铸锭加热至700～850℃，并保温1～3h后，按照每道次减少0.25～1mm，轧制1～4道后，重新加热10～15min，得到板坯；D)将步骤C)中的板坯进行矫平，冷却后，得到的板坯经机加工后，得到铜镓靶材。本发明通过熔炼‑轧制的方法可以得到低氧含量、组分均匀、晶粒细化和强度较高的高纯铜镓靶材。实验表明，本发明制备的铜镓靶材晶粒尺寸较小，致密度较高。
靶材制备板坯铸锭轧制混合物料高纯铜加热冷却制备技术领域熔化晶粒晶粒细化高纯镓机加工熔炼低氧矫平热轧保温浇铸精炼

[发明专利]一种高熔点碲化物合金中游离碲的去除方法-CN201711273933.8有效
发明人：文崇斌;朱刘;胡智向;范文涛 -专利权人： 先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种高熔点碲化物合金中游离碲的去除方法，在一定的真空度下，通过两次特定温度的加热与一定时间的保温，很好地将游离碲从高熔点碲化物合金中分离出来。与现有技术相比，本发明的去除方法简单易行，操作中无需浪费大量氢气，有效节约了资源，同时，得到的高熔点碲化物合金的机械性能较优。另外，分离出来的游离碲可以通过设置冷凝和收集设施进行收集，有效地保证了资源的回收，减少了污染。实验表明，采用本发明公开的去除方法，可以使得高熔点碲化物合金中游离碲的去除率超过95％。
碲化物合金高熔点去除游离机械性能氢气有效地冷凝加热保温回收节约污染保证

[发明专利]形成旋转溅射靶的方法-CN201680016453.0有效
发明人：辛钟源;尼古劳斯·马戈丹特 -专利权人： 先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射靶组件，通过溅射靶体和背衬支撑件的相对定位来形成，使得所述背衬支撑件被放置在所述溅射靶体的内径内。利用包围所述靶体的感应加热器对该组合体进行加热，使得达到用于结合的合适温度。加热被中断，使得结合的材料冷却并且在所述溅射靶体与所述背衬支撑件之间建立结合关系。实施例包括在感应加热器与内部的靶体之间添加导电层，所述导电层以导电织物套的形式，该靶体以在结合期间增强轴向和径向梯度加热的方式被感应加热。所述导电套可以与以LiMO₂(例如LiCoO₂)靶体的形式的低导电材料一起使用。还可以在所述靶体周围放置非粘性的保护套，诸如放置在所述导电套与所述靶体之间。
形成旋转溅射方法

[发明专利]一种碲化镉靶材及其制备方法-CN201910554343.5在审
发明人：范文涛;朱刘;胡智向 -专利权人： 先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料生产技术领域，尤其涉及一种碲化镉靶材及其制备方法。所述制备方法包括：A)将碲粉和镉粉混匀，得到混合粉末；B)将所述混合粉末进行热压烧结，得到碲化镉靶材。本发明将碲粉和镉粉混匀后，直接进行热压烧结即可制得碲化镉靶材。本发明中的热压烧结无需在真空条件下进行，即使在真空条件下进行，也是可以实现本发明的效果。因而，工序简单，周期短，对设备要求较低，成本较低，可规模化生产。制得的碲化镉靶材纯度和密度均较高。实验表明，本发明制备的碲化镉靶材的杂质及其含量均较少，碲化镉靶材的纯度可以达到5N，满足目前太阳能靶材的要求；同时，碲化镉靶材的密度较高，不低于理论密度的97.2％。
碲化镉靶材制备热压烧结混合粉末真空条件混匀碲粉镉粉规模化生产靶材纯度光电材料生产技术对设备太阳能

[发明专利]一种平面靶材的加工方法-CN201910522209.7在审
发明人：黄宇彬;蔡新志;童培云;于金凤;朱刘 -专利权人： 先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： B23C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及靶材制造技术领域，尤其涉及一种平面靶材的加工方法。所述平面靶材的加工方法，包括以下步骤：A)在铝材料上加工出冷却液沟槽和零件固定槽，得到平面靶材的工装；B)将所述工装与待加工的平面靶材的背板贴合固定；C)对所述待加工的平面靶材的侧面依次进行粗加工和精加工；所述粗加工和精加工的过程中，采用无水乙醇作为冷却液；D)对所述精加工后的平面靶材进行上表面加工。采用本发明提供的加工方法得到的平面靶材外形精度较优，表面粗糙度较低。实验表明，采用本发明提供的加工方法得到的平面靶材符合尺寸公差，可以实现不超过0.03mm的外形精度，且平面靶材的粗糙度Ra不超过0.8。
平面靶材加工精加工冷却液工装表面粗糙度尺寸公差粗糙度Ra 零件固定贴合固定无水乙醇铝材料上表面靶材背板侧面制造

[发明专利]平面靶材的退绑修复方法-CN201910151128.0在审
发明人：余芳;朱刘;童培云;文崇斌 -专利权人： 先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种平面靶材的退绑修复方法，其包括如下步骤：S1、平面靶材包括若干退绑片和若干非退绑片，在每一非退绑片上施加一压块，压块与非退绑片的接触面积占非退绑片面积的1/3~1/2；在每一非退绑片上盖上锡箔纸；S2、对退绑片启动加热，以0.5~1℃/min的升温速率升温至80~100℃，然后保温30~50min；S3、再以1~1.5℃/min的升温速率升温至140~150℃，然后保温10~20 min；S4、继续以1~1.5℃/min的升温速率升温至180~200℃，然后保温20~35 min；待铟完全融化后，退绑片即从平面靶材上退绑。本发明不仅能实现靶材片的退绑，还能重新绑定靶材片实现靶材的修复。
平面靶材靶材保温修复压块锡箔纸绑定上盖与非加热融化施加

[发明专利]金属靶材绑定焊料及其制备方法-CN201811462525.1在审
发明人：余芳;朱刘;童培云 -专利权人： 先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属靶材绑定焊料及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：S1、配料：按重量比锡：银：铜=94~95%：4.99~5.99%：0.01~0.05%配料，混合均匀，放入一真空感应炉中；S2、抽真空：将真空感应炉抽真空至真空度小于3×10^‑3Pa，关闭真空泵，向真空感应炉通入保护气体至常压，真空感应炉再抽真空至真空度小于3×10^‑2Pa，关闭真空泵，然后向真空感应炉通入保护气体至10~50Pa；S3、第一段加热：开启感应加热，真空感应炉以第一升温速率升温至235~275℃，保温T1时间；S4、第二段加热：然后真空感应炉以第二升温速率升温至300‑450℃，保温T2时间；S5、出炉：停止加热，当温度降到30℃以下，出炉，得到焊料。本焊料原料简单易得，制备流程短，靶材的绑定焊合率均大于95%，浸润性高于铟。
真空感应炉焊料制备抽真空绑定保护气体金属靶材真空泵出炉加热保温感应加热停止加热浸润性温度降重量比靶材常压放入焊合

[发明专利]锡酸镉靶材的制备方法-CN201811220400.8在审
发明人：文崇斌;朱刘;陈肯;曾成亮;胡智向;余芳 -专利权人： 先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明涉及一种锡酸镉靶材的制备方法，其包括如下步骤：S1、原料混合；S2、球磨；S3、冷等静压；S4、烧结。本发明锡酸镉靶材的制备方法采用冷等静压以及常温烧结相结合的方法来制备锡酸镉靶材，无需石墨坩埚，不会引入杂质，所制备得到的锡酸镉靶材相对密度大于95%、电阻率≤10Ω·cm。
锡酸镉靶材制备冷等静压烧结石墨坩埚原料混合电阻率球磨引入

[发明专利]ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法-CN201811068915.0在审
发明人：余芳;朱刘;童培云 -专利权人： 先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法，其包括如下步骤：S1、靶坯表面金属化；S2、背板表面金属化；S3、绑定铟层的处理；S4、靶材绑定；S5、降温。本方法利用铟来绑定ITO的靶坯和背板，所得到的ITO靶材或其他陶瓷靶材的冷却及电接触性能良好、导热性能良好，其焊合率大于98%，高于现有技术，且在实际应用中，所制备得到的ITO靶材或其他陶瓷靶材在溅射中未出现溅射不均匀和靶材开裂问题。
绑定陶瓷靶材靶材溅射表面金属化电接触性能背板表面导热性能金属化背板焊合制备铟层冷却应用

[发明专利]氢氧化铟的制备方法-CN201810957120.9在审
发明人：钟小华;童培云;朱刘 -专利权人： 先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氢氧化铟的制备方法，其包括如下步骤：S1、将铟锭于200～400℃熔融，熔融液倒入盛有纯水的容器中，同时用纯水喷在倒出的熔融液上，得到铟花，用筛网过滤铟花；S2、用硝酸将过滤后的铟花溶解，得到硝酸铟混合溶液，将硝酸铟混合溶液用水稀释至铟的摩尔浓度为0.1～5.0mol/L；S3、向所述混合溶液中加入水溶性的酸胺类分散剂，再加入碱性水溶液产生沉淀物，得到氢氧化物前驱体浆料；S4、将浆料转移到储罐中用陶瓷膜设备进行洗涤；S5、将洗涤后的浆料进行喷雾干燥，得到干燥后的氢氧化铟粉末。本发明采用化学沉淀联合喷雾干燥法，具有工艺简单、周期短，易于进行产业化生产等特点，而且产品粒度均一、分散性好、团聚少，纯度高。
氢氧化铟浆料铟花混合溶液熔融液硝酸铟制备洗涤氢氧化物前驱体产业化生产混合溶液中碱性水溶液喷雾干燥法陶瓷膜设备产品粒度分散性好化学沉淀喷雾干燥筛网过滤分散剂硝酸储罐倒出均一熔融酸胺稀释铟锭过滤溶解团聚联合

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