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[发明专利]用于功函数工程的三层高k栅极介电堆叠-CN202110644015.1有效
发明人：张家源;赖德洋;林揆伦;于雄飞;徐志安;林宗达;侯承浩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开提供了用于功函数工程的三层高k栅极介电堆叠。一种形成半导体结构的方法包括：分别在衬底的NMOS区域和PMOS区域中提供第一沟道层和第二沟道层；在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包括氧化铪的第一层；在第二沟道层上方而不在第一沟道层上方形成第一偶极图案；通过退火将来自第一偶极图案的第一金属驱动到第一层中；去除第一偶极图案；在第一层上方以及在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包括氧化铪的第二层；在第二层和第一沟道层上方而不在第二沟道层上方形成第二偶极图案；通过退火将来自第二偶极图案的第二金属驱动到第二层中；去除第二偶极图案；以及在第二层上方以及在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包含氧化铪的第三层。
用于函数工程层高栅极堆叠

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310453092.8在审
发明人：蔡欣宏;侯承浩;赖德洋;李达元;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法，包括：形成电容器，包括：形成第一电容器电极；在所述第一电容器电极之上形成第一电容器绝缘体。形成所述第一电容器绝缘体包括：氧化所述第一电容器电极的顶表面层以在所述第一电容器电极上形成金属氧化物层；通过包括第一多个ALD循环的第一ALD工艺来沉积第一氧化铝层，并且所述第一多个ALD循环具有第一ALD循环数；以及在所述第一氧化铝层之上沉积第一高k电介质层。所述第一高k电介质层通过第二ALD工艺沉积，所述第二ALD工艺具有不同于所述第一ALD循环数的第二ALD循环数。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210684086.9在审
发明人： 侯承浩;张哲豪;李达元;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：在实施例中，半导体器件包括：第一半导体部件的第一沟道区上的第一栅极电介质；第一栅极电介质上的第一栅电极；第二半导体部件的第二沟道区上的第二栅极电介质，第二栅极电介质具有比第一栅极电介质大的结晶度；以及第二栅电介质上的第二栅电极。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202210220319.X在审
发明人： 侯承浩;张哲豪;李达元;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法，形成半导体装置的方法包括在第一半导体区域上方沉积第一高介电常数介电层，在第一高介电常数介电层上执行第一退火制程，在第一高介电常数介电层上方沉积第二高介电常数介电层；以及在第一高介电常数介电层及第二高介电常数介电层上执行第二退火制程。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体装置制造方法-CN202011180468.5在审
发明人：许家玮;赖蓓盈;侯承浩;于雄飞;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置及其制造方法，其利用钝化掺质来钝化栅极介电层。利用例如浸泡法的工艺使钝化掺质穿过功函数层，导入至栅极介电质层中。钝化掺质为可帮助钝化电子捕捉缺陷(electrical trapping defects)的原子，例如为氟。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件中的栅极结构-CN202011048544.7在审
发明人：赖蓓盈;许家玮;侯承浩;于雄飞;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件中的栅极结构。一种方法包括在半导体鳍上方并沿着半导体鳍的侧壁沉积高k栅极电介质层。该方法还包括在高k栅极电介质层上方沉积n型功函数金属层，并且通过n型功函数金属层对高k栅极电介质层执行钝化处理。钝化处理包括远程等离子体工艺。该方法该包括在n型功函数金属层上方沉积填充金属，以在高k栅极电介质层上方形成金属栅极堆叠。该金属栅极堆叠包括n型功函数金属层和填充金属。
半导体器件中的栅极结构

[实用新型]一种热电阻温度传感器储存装置-CN202020315431.8有效
发明人：侯承惠;侯承浩 -专利权人：上海嘉上工业自动化仪表有限公司
申请日： 2020-03-14 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G01K1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种热电阻温度传感器储存装置，包括箱体结构、底座、限位结构和加强结构，所述底座的顶端固定连接有箱体结构，且箱体结构的内部设置有加强结构，所述箱体结构的顶端固定连接有把手，且把手的顶端固定连接有防滑垫，所述箱体结构内部的顶端固定连接有卡合块。本实用新型通过在箱体结构的内部设置有加强结构，加强结构是双层结构，由第一加强层和第二加强层组成，并通过加强筋连接，加强筋呈“X”形，形成多个三角形，三角形具有稳定性，可以有效加强箱体结构的结强度，防止箱体结构出现损坏，可以有效的保护其内部的温度传感器，以此来达成加强装置结构强度的目的。
一种热电阻温度传感器储存装置

[实用新型]一种温度传感器保护外壳-CN202020315435.6有效
发明人：侯承惠;侯承浩 -专利权人：上海嘉上工业自动化仪表有限公司
申请日： 2020-03-14 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G01K1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种温度传感器保护外壳，包括防护壳、框架、铰接轴、侧板和卡板，所述防护壳的顶部通过铰接轴固定铰接有框架，且框架的两侧壁上皆设置有拆装机构，所述防护壳的两内壁上皆固定连接有防护机构，所述防护机构的内部依次设置有连接板、连接杆、防护垫片、壳体、防护弹簧以及内槽，所述连接板远离防护壳一侧的内壁上皆固定连接有壳体，且壳体的内部皆设置有内槽，所述内槽的内部皆设置有连接杆，所述连接杆一侧的内槽内壁上皆固定连接有防护弹簧。本实用新型不仅实现了该温度传感器保护外壳使用时便于拆装的功能，实现了该温度传感器保护外壳使用时的防护功能，而且降低了该温度传感器保护外壳使用时的操作难度。
一种温度传感器保护外壳

[实用新型]一种温度检测用温度传感器-CN202020315445.X有效
发明人：侯承惠;侯承浩 -专利权人：上海嘉上工业自动化仪表有限公司
申请日： 2020-03-14 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G01K1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种温度检测用温度传感器，包括快速接头、防护结构、感应机构和固定块，所述快速接头的外侧固定连接有卡环，所述快速接头内部的底端固定连接有尖头，所述快速接头的底端固定连接有安装环，所述安装环的底端固定连接有固定块，所述固定块的底端固定连接有固定环，且固定环的外侧固定连接有防护结构。本实用新型通过在安装环的顶端固定连接有快速接头，快速接头和安装处构成卡合结构，卡合结构便于拆装，可以快速安装拆卸，螺纹杆的外侧设置有外螺纹，这样传感器可以拧上安装的位置，这样可以块速安装拆卸，节约安装时间，以此来达成传感器可以快速安装的目的。
一种温度检测温度传感器

[发明专利]半导体工艺所用的方法-CN201910281681.6在审
发明人：林宗达;侯承浩;张哲豪;于雄飞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种半导体工艺所用的方法。此处所述的实施例关于形成装置的栅极结构的方法，比如置换栅极工艺与其形成的装置。在一实施例中，方法包括顺应性地形成栅极介电层于自基板延伸的鳍状物上，且栅极介电层沿着鳍状物上的栅极间隔物的侧壁；在采用含硅前驱物与含氟、氘、或上述的组合的掺质气体的沉积工艺时，顺应性地沉积虚置层于栅极介电层上，且沉积的虚置层包括氟、氘、或上述的组合的掺质；进行热工艺，以自虚置层驱动掺质至栅极介电层中；移除虚置层；以及形成一或多个含金属层于栅极介电层上。
栅极介电层掺质沉积鳍状物半导体工艺含硅前驱物栅极间隔物含金属层形成装置栅极工艺栅极结构热工艺侧壁含氟基板移除置换驱动延伸

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201611085233.1在审
发明人： 侯承浩;许家玮;于雄飞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种共掺杂鳍式场效晶体管的方法及结构包括形成一栅极堆叠，以至少局部位于延伸自一基底的一鳍部上方。在各个不同的实施例中，一阻挡金属层沉积于栅极堆叠上方。进行一热氟处理，其形成一氟化层于阻挡金属层内，且氟化层具有多个氟原子。在一些实施例中，在形成氟化层之后，进行退火以驱入至少一些的氟原子于栅极堆叠内(驱入界面层及高介电常数介电层)，借以利用上述至少一些的氟原子共掺杂栅极堆叠。
半导体装置制造方法

[发明专利]场效应晶体管的金属栅电极-CN201210026682.4有效
发明人： 侯承浩;林秉顺;李达元;于雄飞;周群渊;徐帆毅;陈建豪;许光源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：公开了一种集成电路制造，更具体而言，公开了具有低电阻金属栅电极的场效应晶体管。用于场效应晶体管的金属栅电极的示例性结构包括由第一金属材料形成的下部，其中所述下部具有凹部、底部和侧壁部，其中每个侧壁部具有第一宽度；以及由第二金属材料形成的上部，其中所述上部具有突出部和本体部，其中所述本体部具有第二宽度，其中所述突出部延伸至凹部内，其中第二宽度与第一宽度的比值为约5至10。本发明还提供了一种场效应晶体管的金属栅电极。
场效应晶体管金属电极

[发明专利]闸栅极介电层的制造方法-CN201010250775.6有效
发明人：李威养;于雄飞;陈建豪;侯承浩;李达元;许光源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-08-10 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供一种栅极介电层的制造方法，该方法包含：形成一高介电常数介电层于一基材上；以原子层沉积工艺形成一含氧层于此高介电常数介电层上；及在此含氧层上进行一惰性等离子体处理。本发明可避免在基材顶部表面生成不欲形成的氧化硅，因此可保持装置效能特性。
栅极介电层制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200910173269.9无效
发明人：张哲豪;侯承浩;余振华;吴泰伯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置的制造方法。该方法包括提供一基底；以自由基(radical)对基底进行处理，而在其上形成一界面层；以及在界面层上形成一高介电常数材料层。上述自由基是择自于以下群族：含水自由基、氮/氢自由基及硫/氢自由基。本发明的优点包括：(1)基底(通道)/界面层界面钝化；(2)因高介电常数前驱物而改变界面层表面(较接的润湿界面)；(3)在高介电常数材料沉积之后，界面层/高介电常数材料的界面钝化；(4)界面处的大气污染源少；(5)抑制热引扩散；(6)栅极介电层的EOT小于10埃。因此，栅极介电层的EOT符合先进的技术要求(例如，45nm以下)。
半导体装置制造方法

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