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[实用新型]用于燃气管安全预警的地质沉降监测装置-CN202321349093.X有效
发明人：徐光军;张勇;余迪 -专利权人：舟山市蓝焰燃气有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01C5/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了用于燃气管安全预警的地质沉降监测装置，解决了通过人工监测燃气管道沉降不仅效率低而且成本高的问题。壳体内安装有依次连接的位移传感器、信号处理模块以及无线传输模块，壳体配有安装板，壳体的底面设有用于与位移传感器配合的位移件，位移件部分位于壳体外，位移件与安装板之间连接有弹性复位件，位移件远离位移传感器的一端连接有线绳，线绳的另一端与燃气管的引入管连接。当地面发生沉降后会带动燃气管下沉，进而线绳拉动位移件移动，位移传感器对位移件位移进行检测然后将信号输送至信号处理模块，经处理的信号通过无线传输模块输送至监控中心，便于及时发现燃气管道的沉降量。
用于燃气安全预警地质沉降监测装置

[发明专利]一种油泥与飞灰协同无害化资源化处置的方法-CN202210261674.1有效
发明人：汪印;李智伟;余迪;赖登国;洪辰毅;刘学蛟;潘蓓蓓 -专利权人：中国科学院城市环境研究所
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种油泥与飞灰协同无害化资源化处置的方法，该方法主要包括以下步骤：S1、油泥与飞灰混合预处理；S2、预处理后的物料进行低温烘干，产生气相和固相；S3、低温烘干后固相送入热解装置进行热解炭化，热解产物包括热解残渣、热解气和热解油蒸汽；本发明同时实现了油泥与飞灰两种危险废弃物的协同无害化、资源化处置，解决了油泥和飞灰中的毒性物质高效脱除的瓶颈问题，环保性好且实现了能量的梯级利用，能带来较为可观的经济效益和环境效益。
一种油泥协同无害化资源处置方法

[发明专利]一种水体蓝藻处理装置-CN202310803781.7在审
发明人：董道武;徐传烨;李中华;张有锁;陈利恒;高艳超;赵丽娜;余迪;刘元卿 -专利权人：中交（苏州）城市开发建设有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： E02B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种水体蓝藻处理装置，包括水上部分和水下部分，且所述水上部分和所述水下部分通过管路连接；所述水上部分包括悬浮在水体中的漏斗，所述漏斗上设置有盖板，所述漏斗和所述盖板之间形成吸入口，在所述漏斗的下端设置有连接软管；所述水下部分包括埋在水底淤泥中的吸收管，所述吸收管的下端侧壁上设置有埋藻管，在所述吸收管的内壁上安装有沿所述埋藻管轴线设置的输送螺杆。本发明通过负压引流的方式将水面蓝藻吸入至水底，并通过输送螺杆配合埋藻管挤压破碎蓝藻，以及将破碎或其中未破碎蓝藻全部推至淤泥内集中掩埋处理，从而使蓝藻无法上浮而失活，处理效果更佳。
一种水体蓝藻处理装置

[发明专利]一种侧蚀量可控的锗蚀刻液-CN202111503295.0有效
发明人：尹印;陈小超;万杨阳;贺兆波;张庭;余迪;彭浩;冯凯;王书萍 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种侧蚀量可控的锗蚀刻液及其制备方法。所述蚀刻液主要用于蚀刻晶圆上的锗膜层，并控制光阻结构下方的侧蚀量，组成包括氧化剂、氟离子源、粘度调节剂、pH调节剂和高纯水。氧化剂将锗氧化，且不损伤硅衬底；氟离子源主要起到络合溶解锗的氧化物的作用；粘度调节剂用于控制蚀刻液粘度，改善侧向钻蚀能力；锗膜层上方光阻对pH值非常敏感，pH调节剂可以避免pH过低时导致光阻剥离。
一种侧蚀量可控蚀刻

[发明专利]一种高选择性锗蚀刻液-CN202211145213.4有效
发明人：彭浩;尹印;叶瑞;倪高国;余迪;万杨阳;贺兆波;张庭;王亮 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种高选择性锗蚀刻液。所述高选择性锗蚀刻液主要用于相对硅选择性蚀刻锗，组成包括氧化剂、氟离子源、添加剂和超纯水。该蚀刻液利用氧化剂将锗被氧化形成氧化物；锗的氧化物通过与氟离子源络合溶解而被去除；利用添加剂调节锗的蚀刻速率，使蚀刻液对锗相对于硅具有更快的蚀刻速率即对锗有更高的选择性。
一种选择性蚀刻

[发明专利]一种基于气候变化的小麦物候期和产量预测方法及系统-CN202310334965.3在审
发明人：严应存;高贵生;何生录;余迪;李红梅;李璠;赵梦凡 -专利权人：青海省气象科学研究所
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明公开一种基于气候变化的小麦物候期和产量预测方法及系统，涉及农业技术领域，方法包括：获取待预测区域的物候期数据、产量数据、产量构成因素数据和气候数据；对物候期数据、产量数据和产量构成因素数据进行统计计算，得到物候期指标数据和产量指标数据，进一步进行通径分析，得到物候期气候参数和产量气候参数；再进行逐步回归，得到物候期预测模型和产量预测模型；基于气候数据，结合若干个气候预测模型对应的初始气候预测数据，得到待预测区域的气候预测数据；基于气候预测数据，结合物候期预测模型和产量预测模型，得到物候期预测结果和产量预测结果。本发明不仅能预测小麦产量，还能预测小麦物候期，并且大大地提高了预测精度。
一种基于气候变化小麦物候产量预测方法系统

[发明专利]一种相对于叠层金属侧蚀可控的W蚀刻液及其制备方法-CN202211669852.0在审
发明人：彭浩;尹印;万杨阳;贺兆波;张庭;王亮;余迪;叶瑞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种相对于叠层金属侧蚀可控的W层蚀刻液及其制备方法。其组成包括氧化剂、助氧剂、缓冲试剂、抑制剂、表面活性剂和超纯水。该蚀刻液利用氧化剂将W被氧化形成氧化物而被蚀刻；无机酸作为次氧化剂；醋酸铵等缓冲试剂为蚀刻液提供了稳定的蚀刻环境；抑制剂可以抑制铝离子和铜离子对W蚀刻的影响；表面活性剂可以降低溶液表面张力，促进W蚀刻的均匀性和完整性。本发明提供了一种相对于叠层金属侧蚀可控的W蚀刻液及其制备方法，按照方法使用该蚀刻液不仅能有效控制叠层金属中W层被蚀刻，还可实现W的蚀刻精度高和蚀刻形貌好等优良品质，并且保证TiN和Ti层金属未被蚀刻，AlCu具有极低蚀刻速率。
一种相对于金属可控蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种TiN和Ti金属薄膜蚀刻液及其制备方法-CN202211670386.8在审
发明人：彭浩;尹印;贺兆波;万杨阳;张庭;余迪;王亮;胡力 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种TiN和Ti金属薄膜蚀刻液及其制备方法。所述的蚀刻液的组成主要包括氧化剂、稳定剂、铵盐、助氧剂、表面活性剂和醋酸。该蚀刻液利用氧化剂将TiN和Ti氧化形成氧化物而被蚀刻；铵盐作为缓蚀剂可以与金属离子进行络合；无机酸或有机酸作为次氧化剂，既增加氧化剂的氧化性又提供了足够的氢离子，使氧化剂的浓度维持在较高的水平，维持蚀刻速率稳定，延长蚀刻液的使用/储存寿命；表面活性剂可以降低溶液表面张力，促进TiN和Ti的蚀刻均匀性和完整性。按照本发明的方法使用该蚀刻液能够保证TiN金属薄膜和Ti金属薄膜的蚀刻速率基本一致（二者蚀刻速率差值≤17Å/min）。
一种 tin ti 金属薄膜蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种晶圆激光烧蚀后的清洗液及清洗方法-CN202211094575.5在审
发明人：尹印;贺兆波;叶瑞;余迪;万杨阳;张庭;彭浩 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-09-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C11D1/72 文献下载
摘要：本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种晶圆激光烧蚀后的清洗液及清洗方法。所述清洗液主要用于晶圆激光烧蚀后有机物残留及颗粒的清洗，并减少对晶圆表面金属的腐蚀，组成包括有机溶剂、金属缓蚀剂、表面活性剂、pH调节剂和高纯水。有机溶剂用于溶解有机物残留；金属缓蚀剂可以避免清洗液对晶圆表面金属造成腐蚀；表面活性剂用于改善清洗液的浸润性并使颗粒物脱离晶圆表面进入溶液；pH调节剂维持清洗液的碱性环境，增强对晶圆表面烧熔物的清洗效果。
一种激光烧蚀后清洗方法

[发明专利]一种视频分发方法、装置及电子设备-CN201811458456.7有效
发明人：王兴军;门君毅;蔡国斌;袁耀辉;许宏珍;余迪;马力;赵云 -专利权人：南京超聚通信科技有限公司;清华大学深圳研究生院
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H04N21/4402 文献下载
摘要：本申请实施方式公开了一种视频分发方法、装置及电子设备，其中，视频分发方法包括：获取每个视频节目的热度；其中，所述热度为在统计时间段内用户群体对视频节目的喜好程度；根据每个视频节目的热度确定通过轮播信道或点播方式分发所述视频节目的视频内容。
一种视频分发方法装置电子设备

[发明专利]一种相对于叠层金属选择性蚀刻AlCu层的蚀刻液及其制备方法-CN202211669848.4在审
发明人：彭浩;尹印;万杨阳;贺兆波;张庭;余迪;王亮;叶瑞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种相对于叠层金属选择性蚀刻AlCu层的蚀刻液及其制备方法。所述的蚀刻液主要用于相对于叠层金属（由光阻、AlCu合金层、W层、TiN层和Ti层自上而下构成）选择性蚀刻AlCu合金层，其组成包括氧化剂、腐蚀剂、添加剂、络合剂、均蚀剂和超纯水。本发明提供了一种相对于叠层金属选择性蚀刻AlCu层的蚀刻液及其制备方法，按照方法使用该蚀刻液不仅能有效控制叠层金属中AlCu层被蚀刻且其他金属层未被蚀刻，蚀刻精度高和蚀刻形貌好，而且对基板的电化学性能无损伤。
一种相对于金属选择性蚀刻 alcu 及其制备方法

[发明专利]一种P-硅的浸泡腐蚀液-CN202211669828.7在审
发明人：万杨阳;尹印;贺兆波;张庭;余迪;彭浩;王亮 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种P‑硅的浸泡腐蚀液，该蚀刻液由硝酸、过一硫酸、醋酸、含氟酸、铵盐、添加剂和去离子水组成。在该蚀刻液中，硝酸为主氧化剂，过一硫酸为助氧化剂，加快了对硅的氧化速率，含氟酸在蚀刻液中溶解二氧化硅，醋酸起到了缓冲蚀刻速率的作用的同时还与铵盐协同作用使反应过程中生成大量的微小气泡在硅片表面与溶液间迅速的交换，从而获得均一的蚀刻表面。添加剂增加了蚀刻液对反应生成物的溶解能力。因此本发明中的P‑硅的浸泡腐蚀液能够在浸泡工艺条件下，蚀刻P‑硅，避免了黑硅的生成，获得均匀的磨砂表面。
一种浸泡腐蚀

[发明专利]一种铌酸锂晶片清洗液-CN202211682400.6在审
发明人：余迪;尹印;贺兆波;王亮;万杨阳;彭浩;臧洋;路明;孟牧麟;刘春丽;邓爱华 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C11D1/72 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料清洗领域，具体涉及一种铌酸锂晶片清洗液，该清洗液主要用于铌酸锂晶片表面的有机物污染、无机颗粒残留和金属杂质，且清洗液几乎不腐蚀铌酸锂晶片，主要成分包括10~30%的非氧化性酸、10~35%的有机溶剂、1~5%的表面活性剂、纯水。该清洗液性质稳定，具有较高闪点，使用时安全系数高，具有广阔的使用前景和工业化使用价值。
一种铌酸锂晶片清洗

[发明专利]一种金蚀刻液-CN202111512488.2有效
发明人：万杨阳;尹印;贺兆波;张庭;冯凯;王书萍;李鑫;李金航;钟昌东;黎鹏飞;彭浩;余迪 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种金蚀刻液。该蚀刻液由氧化剂、络合剂、增溶剂、pH缓冲剂、添加剂、氧化剂再生剂和去离子水组成。氧化剂为I2，络合剂为KI，增溶剂为极性有机溶剂，PH缓冲剂为多元酸盐，添加剂为含亲水基的芳香硝基化合物，氧化剂再生剂为吡咯烷酮类化合物。吡咯烷铜类化合物，与溶液中I‑发生氧化还原反应，将I‑氧化成I2，补充了被消耗的I2，使得药液中的I2和I‑处于动态平衡，从而延长了蚀刻液的寿命。因此本发明中的金蚀刻液能够维持稳定的蚀刻速率和寿命，同时蚀刻出均匀的金表面。
一种蚀刻

[发明专利]TiN去除液-CN202210674335.6有效
发明人：万杨阳;尹印;贺兆波;余迪;彭浩;张庭;冯凯;王书萍;钟昌东;李金航;叶瑞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种TiN去除液。该去除液由氧化剂、pH缓冲剂、添加剂A、添加剂B和去离子水组成。氧化剂为H2O2，pH缓冲剂为有机酸及有机酸盐混合物，添加剂A为过硫酸盐，能够提高对TiN层的蚀刻速率，添加剂B为酚磺酸、醇类、金属掩蔽剂的混合物。其中TiN先被H2O2氧化成TiO2，再由水合氢离子将TiO2溶解。pH缓蚀剂通过调节溶液的pH，使其维持酸性环境，减缓了H2O2的分解，增强其稳定性，延长了蚀刻液寿命及对TiO2的溶解速率。添加剂A增强了TiN的蚀刻速率，使得TiN层能快速的去除，且没有残留。添加剂B的引入抑制了对Cu、Co、Al、W、TEOS的蚀刻，使得该去除液与Cu、Co、Al、W、TEOS膜层有很好的兼容性，TiN/（Cu、Co、Al、TEOS）选择比高。
tin 去除

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