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[发明专利]铜互连工艺-CN202310947181.8在审
发明人： 何亚川;郭振强;黄鹏;姜慧琴 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种铜互连工艺。铜互连工艺包括以下步骤：提供互连介质层，所述互连介质层中形成互连槽；沉积形成阻挡层，所述阻挡层覆盖在所述互连槽的内壁上；沉积铜金属层，所述铜金属层填充满带有所述阻挡层的互连槽中；去除所述铜金属层的上部形成第一凹槽；去除所述第一凹槽位置处的阻挡层形成第二凹槽；剩余铜金属层的上表面被氧化形成氧化铜层；沉积层间介质层，所述层间介质层填充满所述第二凹槽后覆盖在所述互连介质层上。
互连工艺

[发明专利]铜互连结构的制造方法-CN202310948928.1在审
发明人： 何亚川;郭振强;黄鹏;姜慧琴 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种铜互连结构的制造方法。所述铜互连结构的制造方法包括以下步骤：提供半导体互连介质结构，所述互连介质结构中形成互连线槽，所述互连线槽从所述互连介质结构的上表面向下延伸；在所述互连线槽中形成衬垫层；向带有所述衬垫层的互连线槽中沉积金属铜；通过化学机械研磨工艺平坦化所述金属铜的表层；向平坦化后的金属铜表面轰击还原性气体等离子体，去除位于平坦化后金属铜表面的氧化铜；在所述半导体互连介质结构上形成上层层间介质层。本申请能够去除金属铜表面的氧化铜，避免铜离子扩散进入介质层中，影响器件的TDDB性能。
互连结构制造方法

[发明专利]金属互连结构的制作方法-CN202310631259.5在审
发明人：姜慧琴;郭振强;黄鹏;何亚川 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种金属互连结构的制作方法。所述金属互连结构的制作方法包括以下步骤：在反应腔中，基于掩膜层的图案，刻蚀介质层形成互连槽；向所述反应腔中通入惰性气体，驱逐所述反应腔中的水蒸气；清洗所述介质层，去除刻蚀副产物；再次向所述反应腔中通入惰性气体，驱逐所述反应腔中的水蒸气；向所述互连槽中填充金属层。该金属互连结构的制作方法，可以解决相关技术中低介电常数材料的介质层TDDB变差的问题。
金属互连结构制作方法

[发明专利]CMOS图像传感器的工艺方法-CN202310024715.X在审
发明人：姜慧琴;郭振强;何亚川 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器的工艺方法，在半导体衬底上形成氧化层；然后进行刻蚀并填充形成STI，划出有源区；光刻及刻蚀，图案化后进行所述像素区的第一次高能粒子注入形成第一阱区；去除光刻胶，进行快速热退火和激活工艺；进行第二次离子注入，完成像素区的第二阱区注入；进行第三次离子注入，完成像素区的第三阱区注入。本发明通过调整工艺顺序并在第一次离子注入之后增加热处理工艺过程，快速热退火可提高第一次离子注入之后的离子激活率，激活工艺可充分修复晶格损伤，减小暗电流，从而明显改善白噪声性能；调整离子注入顺序可防止过多热预算使第二阱区以及第三阱区的扩散严重，改变掺杂离子分布，致使部分器件失效。
cmos 图像传感器工艺方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制备方法-CN202211244818.9在审
发明人： 何亚川;郭振强;黄鹏;姜慧琴 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器及其制备方法，其中方法包括：提供一衬底，衬底中形成有光电二极管区和浮空扩散区，光电二极管区中形成有第一阱区；在所述光电二极管区中分别形成第二阱区和第三阱区；形成栅氧化层和栅极；在所述第三阱区表面形成钉扎层；对所述光电二极管区的衬底表面进行氮元素掺杂；执行热退火工艺。本申请通过对衬底表面进行氮元素掺杂，并执行热退火工艺以激活半导体结构中的掺杂离子，同时促使氮元素与衬底中的硅元素充分反应以形成键合能更强的硅氮键。在后续等离子体的工艺制程中，硅氮键不易在等离子体的轰击下发生断裂，可以有效避免后续工艺带来的等离子体诱发损伤，避免暗电流和白色像素的产生，提高产品图像质量。
cmos 图像传感器及其制备方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202210639306.6在审
发明人： 何亚川;郭振强 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，其中图像传感器包括：衬底，所述衬底内具有第一光电掺杂区，所述第一光电掺杂区内具有第一类型离子；传输栅极，位于所述衬底上，所述传输栅极覆盖部分所述第一光电掺杂区；第一钉扎层，位于所述传输栅极暴露出的所述第一光电掺杂区上，所述第一钉扎层内具有第二类型离子，所述第二类型离子与所述第一类型离子的导电类型相反，在垂直于所述传输栅极的延伸方向上，所述第一钉扎层的长度与所述第一光电掺杂区的长度的比值为0.55～0.65。本发明实施例提供的图像传感器，可以降低光电二极管和传输栅极边缘之间的势磊，有利于改善图像滞后现象，提高图像传感器的性能。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法-CN202010777763.2在审
发明人： 何亚川;黄信斌 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括衬底；形成于衬底内的隔离结构；字线，所述字线包括第一凸部和第二凸部，其中，所述第一凸部和第二凸部位于所述隔离结构内，且所述第一凸部的深度大于所述第二凸部的深度。第一凸部具有较长的深度，可以增强字线对晶体管沟道的控制能力，改善漏电流。
半导体结构制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法-CN202110458513.7在审
发明人： 何亚川;孙少俊;黄鹏;肖敬才 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，像素高能离子注入区的形成方法包括如下步骤：步骤一、形成衬垫氧化层；步骤二、在衬垫氧化层表面形成材料不同的第二介质层并叠加形成掩蔽层；步骤三、采用光刻工艺形成光刻胶图形将像素高能离子注入区打开；步骤四、进行高能离子注入形成像素高能离子注入区，利用掩蔽层中第二介质层和衬垫氧化层的材料不同的特性，增加掩蔽层对沟道效应的阻止能力。本发明能提高像素高能离子注入区的质量，降低所述像素高能离子注入区的拖尾深度。
cmos 图像传感器制造方法

[发明专利]数据平台、数据处理方法及电子设备-CN201910986024.1有效
发明人：桂朝;闫嘉;张岩;何亚川;冯丽君;张晓洁;李士光;雷天宇;张鹏 -专利权人：智慧足迹数据科技有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G06F16/242 文献下载
摘要：本发明提供了一种数据平台、数据处理方法及电子设备，涉及数据处理技术领域，该数据平台包括模型展示模块，用于显示数据分析模型的展示页面；该数据分析模型通过SQL脚本实现；模型选择模块，用于当接收到任一数据分析模型的选中指令时，调用被选中数据分析模型对应的SQL脚本；参数获取模块，用于获取被选中数据分析模型的参数信息；模型实例化模块，用于根据参数信息实例化上述被选中数据分析模型对应的SQL脚本，得到可执行SQL脚本；运算模块，用于运算该可执行SQL脚本，得到结果数据表；输出模块，用于输出该结果数据表。该数据平台可以简化用户利用数据平台处理人口位置大数据的操作过程，操作更加简易，使用更加便捷。
数据平台数据处理方法电子设备

[发明专利]纳米二氧化硅及其表面改性方法-CN201910271355.7在审
发明人：孙蓉;李刚;朱朋莉;赵涛;何亚川 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C09C1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米二氧化硅，所述纳米二氧化硅的表面经由双硅烷偶联剂进行改性，所述双硅烷偶联剂通过共价键结合到纳米二氧化硅的表面。本发明还公开了所述纳米二氧化硅的的表面改性方法，包括：提供纳米二氧化硅材料并进行高温烘干处理；将双硅烷偶联剂加入到有机溶剂中配制形成第一溶液；将纳米二氧化硅材料加入到第一溶液，搅拌分散后形成第二溶液；对第二溶液进行高温回流反应工艺，冷却后依次经过离心洗涤工艺和干燥工艺处理，制备获得改性的纳米二氧化硅。本发明提供的纳米二氧化硅及其改性方法，采用双硅烷偶联剂对纳米二氧化硅进行表面改性，使得纳米二氧化硅/环氧树脂复合材料的粘接强度显著提高，粘度明显降低。
纳米二氧化硅及其表面改性方法

[发明专利]报表模板的生成方法和装置-CN201911084947.4在审
发明人：李士光;桂朝;闫嘉;张岩;张晓洁;何亚川;冯丽君 -专利权人：智慧足迹数据科技有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： G06F40/186 文献下载
摘要：本发明提供了报表模板的生成方法和装置，包括：获取异构数据源、图表类型和图表外观配置参数；获取用户构建的全局变量配置对象；根据异构数据源、图表类型、图表外观配置参数和全局变量配置对象，生成多个图表模板；将多个图表模板加载至报表页面中，生成报表模板，用户可使用报表模块中的图表模板，节省用户时间。
报表模板生成方法装置

[发明专利]纳米二氧化硅的单分子层表面改性方法-CN201910271404.7在审
发明人：孙蓉;李刚;朱朋莉;何亚川;赵涛 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C09C1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米二氧化硅的单分子层表面改性方法，其包括：提供纳米二氧化硅材料并对所述纳米二氧化硅材料进行高温烘干处理；将高温烘干处理后的纳米二氧化硅材料加入到硅烷偶联剂溶剂中，搅拌分散后形成混合溶液；对所述混合溶液进行高温回流反应工艺，冷却后依次经过离心洗涤工艺和干燥工艺处理，制备获得单分子层表面改性的纳米二氧化硅。本发明提供的改性方法能够获得单分子层改性表面改性的纳米二氧化硅，其不仅能够降低改性时偶联剂的用量，而且更好地改善改性的纳米二氧化硅作为填料在树脂中的分散性从而使得复合材料具有更优良的综合性能。
纳米二氧化硅改性单分子层表面改性高温烘干混合溶液硅烷偶联剂单分子层反应工艺改性表面干燥工艺高温回流搅拌分散离心洗涤综合性能复合材料分散性偶联剂树脂溶剂制备冷却

[发明专利]乙烯基聚合物包覆纳米二氧化硅微球及改性环氧树脂的制备方法-CN201611077570.6有效
发明人：孙蓉;何亚川;李刚;朱朋莉;赵涛 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C08K9/10 文献下载
摘要：本发明提供一种乙烯基聚合物包覆纳米二氧化硅微球的制备方法以及含有该乙烯基聚合物包覆纳米二氧化硅微球的改性环氧树脂的制备方法。上述方法，用偶联剂对纳米二氧化硅微球进行表面改性，再加入乙烯基单体进行乳液聚合包覆，得到单分散性乙烯基聚合物包覆纳米二氧化硅微球。该制备方法能耗低，产品纯度高，分散性好，对环境无污染，且对纳米二氧化硅微球表面乙烯基聚合物的包覆状态可通过改变反应条件加以控制。上述改性环氧树脂的制备方法，将复合微球用于改性环氧树脂，可以很好的改善环氧树脂基体的粘度及其分散性，而且也可以很好的解决底部填充胶中热膨胀系数不匹配的问题。最重要的是可以显著提高环氧树脂复合材料的冲击强度和断裂韧性。
纳米二氧化硅乙烯基聚合物包覆微球改性环氧树脂制备环氧树脂复合材料环氧树脂基体底部填充胶环境无污染热膨胀系数乙烯基单体表面改性产品纯度单分散性断裂韧性反应条件分散性好复合微球乳液聚合微球表面分散性偶联剂能耗匹配

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