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[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202211354572.0在审
发明人：齐藤均;佐佐木和男;植松治志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够不使用稀有气体而提高等离子体点火性的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：处理容器；载置台；金属窗，其保持与处理容器电绝缘地形成处理容器的顶部，并且被接地；隔着金属窗与载置台相对的电感耦合天线，其保持与金属窗电绝缘地配置；和用于对等离子体处理进行控制的控制部，控制部能够执行：以第一电功率向载置台供给第一高频，在金属窗与载置台之间通过电容耦合使等离子体点火的第一控制；以第二电功率向电感耦合天线供给第二高频，经由金属窗通过电感耦合来维持等离子体的第二控制；和将第一高频的电功率改变为比第一电功率大的第三电功率，对被载置在载置台上的基片实施等离子体处理的第三控制。
等离子体处理装置方法

[发明专利]电感耦合等离子体处理装置-CN202010026911.7有效
发明人：齐藤均;佐佐木和男;里吉务;东条利洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置。利用使用了金属窗而生成的电感耦合等离子体进行等离子体控制性更高且均匀性更高的等离子体处理。具备：处理容器；载置台，其载置矩形基板；矩形形状的金属窗，其构成处理容器的顶壁，与处理容器电绝缘；以及天线单元，其设于金属窗的上方，在处理容器内生成电感耦合等离子体，金属窗被第1分割分割成电绝缘的分割区域，天线单元具有高频天线，该高频天线是将具有与金属窗的上表面相对地形成的平面部的多个天线区段配置为平面部整体上成为矩形的框状区域而成的，多个天线区段分别是将天线用线沿着纵向以卷绕轴线与金属窗的上表面平行的方式卷绕成螺旋状而构成的，能够控制向多个天线区段分别供给的电流。
电感耦合等离子体处理装置

[发明专利]溅射成膜装置和溅射成膜方法-CN202211251480.X在审
发明人： 佐佐木和男;齐藤均;佐佐木芳彦;宇贺神肇 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射成膜装置和溅射成膜方法，能够高效地对靶进行溅射。溅射成膜装置具有：处理容器，其具有用于载置基板的载置台；金属窗，其与所述载置台相向，具有构成所述处理容器的顶面的第一面，且由非磁性金属构成；电感耦合天线，其与同所述金属窗的所述第一面相反一侧的、所述金属窗的第二面分离地配置，用于在所述处理容器内生成等离子体；高频电源，其与所述电感耦合天线连接；与所述金属窗连接的直流电源、直流脉冲电源以及交流电源中的任一方；以及气体供给部，其向所述处理容器内供给用于生成所述等离子体的处理气体。
溅射装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN202210681604.1在审
发明人： 佐佐木和男;町山弥;齐藤均;佐佐木芳彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供提高生产率的成膜装置和成膜方法。成膜装置对基板进行ALD成膜，具备处理腔室，其具有：旋转滚筒，将基板保持于与旋转轴线平行的保持侧面；主体部，收纳旋转滚筒，具有：多个处理室，与保持侧面相对，具有与旋转轴线平行的方向成为长度方向的长条状的处理空间；排气部，配置到多个处理室的各个之间，多个处理室至少包括：原料气体吸附室，使原料气体吸附于基板；等离子体反应室，从反应气体生成与原料气体反应的等离子体，具备：框体；长条状的金属窗，由与保持侧面相对且在等离子体反应室的长度方向以第1间隔配置成直线状的多个分割窗构成，配置为在沿着长度方向延伸的边上以与框体之间具有比第1间隔宽的第2间隔；矩形线圈天线。
装置方法

[发明专利]电池及电子设备-CN201780051275.X有效
发明人：诸冈正浩;佐佐木和男;堀越吉一;丹治雄介;本田健太 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01M50/136 文献下载
摘要：本发明公开了电池及电子设备，电池(10)具备：层叠结构体(11)，其由多个层叠部件(12A、12B)以同极的集电体相对的方式重叠而成，该层叠部件(12A、12B)层叠有在正极集电体(21)的单面上形成正极混合物层(22)而成的正极部件(20)、包含电解质的隔膜(40)、以及在负极集电体(31)的单面上形成负极混合物层(32)而成的负极部件(30)，而且正极混合物层(21)与负极混合物层(31)相对而配置；和外装部件(50)，其将层叠结构体(11)覆盖；外装部件(50)至少具备具有3×109Pa以上、优选为4×109Pa以上的杨氏模量的树脂层(51)。
电池电子设备

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202210030989.5在审
发明人：町山弥;齐藤均;佐佐木和男 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够稳定地使等离子体点火的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置能够通过感应耦合在处理室内产生等离子体，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：以能够与所述处理室内连通的方式安装在所述处理室的壁上的VUV灯；设置在所述VUV灯与所述处理室之间的开闭门，其用于对所述VUV灯与所述处理室之间进行开关；和用于将所述开闭门和所述VUV灯之间的部分与所述处理室内连接的旁通管线。
等离子体处理装置方法

[发明专利]紧固结构和紧固方法以及等离子体处理装置-CN202111304593.7在审
发明人：佐佐木芳彦;南雅人;佐佐木和男 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种在将配设在生成等离子体的处理容器的内部的金属部件与覆盖部件经由紧固螺钉紧固的构造中，能够抑制堆积物向紧固螺钉的头部的附着的紧固结构和紧固方法以及等离子体处理装置。紧固结构包括：多个金属部件，其配设在处理容器的内部，具有露出于在处理容器的内部生成的等离子体中的露出面和螺纹孔；覆盖部件，其以跨多个金属部件的露出面的方式配设，具有绝缘性，并且具有贯通孔；金属制的紧固螺钉，其具有螺钉头部，通过将贯通孔贯通并与螺纹孔螺合而将覆盖部件紧固于金属部件；和覆盖螺钉头部的螺钉覆盖件，螺钉覆盖件包括：与螺钉头部接触的金属制的第一基部；和覆盖第一基部的表面的至少一部分的由陶瓷喷涂膜构成的第一保护膜。
紧固结构方法以及等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体生成方法-CN202111079857.3在审
发明人：齐藤均;町山弥;佐佐木和男 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够实现处理容器内的清洁和部件损耗的抑制的等离子体处理装置和等离子体生成方法。等离子体处理装置包括：处理容器；金属窗，其将所述处理容器的内部划分成上部的天线室和下部的处理室，并具有多个部分窗；感应耦合天线，其在所述天线室配置在所述金属窗的上部，能够在所述处理室生成感应耦合等离子体；下部电极，其能够在所述处理室内载置基片，并被施加偏置电压用的高频电功率；电容元件，其在一端与1个或多个所述部分窗连接，且在另一端被接地；和电阻元件，其与所述电容元件并联地在一端与1个或多个所述部分窗连接、且在另一端被接地。
等离子体处理装置生成方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201810447691.8有效
发明人：高藤哲也;内田博章;渡边幸夫;里吉务;佐佐木和男;吉田守 -专利权人：东京毅力科创株式会社;高知县公立大学法人
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法和成膜装置，提供一种针对H原子的阻隔性高的保护膜。成膜方法为形成用于保护在基板上形成的氧化物半导体的保护膜的成膜方法，所述成膜方法包括：第一搬入工序，将形成氧化物半导体之前的基板或形成氧化物半导体之后的基板搬入处理容器内；以及第一成膜工序，在将被搬入到处理容器内的基板加热到250℃以上的温度的状态下，利用包含SiCl4气体、SiF4气体以及处理气体的混合气体的等离子体来形成保护膜，所述处理气体包含氮原子和氧原子中的至少任一者且不含氢原子。
方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体分布调整方法-CN201810151742.2有效
发明人： 佐佐木和男;齐藤均;山泽阳平;古屋敦城;内藤启 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制由等离子体导致的金属窗的溅射削落并且能够进行等离子体的强度的分布调整的感应耦合型的等离子体处理装置。该对基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置(100)包括：在等离子体生成区域内产生感应耦合等离子体的高频天线(11)；和配置在等离子体生成区域与高频天线(11)之间，与主体容器绝缘的金属窗(3)。金属窗(3)具有利用绝缘体相互绝缘的多个金属窗(30a～30d)，使这些金属窗(30a～30d)各自通过一个接地点接地。
等离子体处理装置分布调整方法

[发明专利]等离子体处理装置和喷头-CN201711212072.2有效
发明人： 佐佐木和男;藤井祐希 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够对基板实施均匀的等离子体处理的等离子体处理装置和喷头。从喷头(13)分割出的24个分割喷头(13a～13x)被划分为：由位于角部的分割喷头(13o、13p、13r、13s、13u、13v、13x和13m)构成的第一分割喷头组；由位于外周的分割喷头(13n、13q、13t、13w)构成的第二分割喷头组；由存在于中央附近的分割喷头(13a～13d)构成的第三分割喷头组；和由第三分割喷头组与第一分割喷头组或者第二分割喷头组夹着的分割喷头13e～13l构成的第四分割喷头组，向各分割喷头组供给的处理气体的流量能被独立地控制。
等离子体处理装置喷头

[发明专利]电子设备及其制造方法和其制造装置-CN201510633441.X有效
发明人：里吉务;石田宽;佐佐木和男;古田守 -专利权人：东京毅力科创株式会社;高知县公立大学法人
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：[课题]提供能够防止性能降低的电子设备及其制造方法和其制造装置。[解决手段]薄膜晶体管(21)具备：由IGZO膜构成的沟道(14)、与该沟道(14)邻接的蚀刻停止膜(22)、夹持该蚀刻停止膜(22)且与沟道(14)相对的钝化膜(23)，钝化膜(23)由含氟的氮化硅膜形成，蚀刻停止膜(22)与沟道(14)的边界的氟原子浓度高于沟道(14)的边界以外部分的氟原子浓度，且蚀刻停止膜(22)的上述边界以外部分的氟原子浓度分布具有面向上述边界而减少的浓度梯度。
沟道蚀刻氟原子钝化膜薄膜晶体管氮化硅膜电子设备浓度分布浓度梯度性能降低制造装置邻接含氟夹持制造

[发明专利]等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造-CN201711037451.2有效
发明人：东条利洋;宇津木康史;佐佐木和男 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造。在等离子体处理装置中，在处理室内将基板载置于载置台的载置面上，在处理室内对载置台施加偏压用的高频电力并对基板进行等离子体处理，其具有多个分隔构件，该分隔构件设于载置面的下方位置且有导电性材料构成，将处理室分隔成对基板进行等离子体处理的处理区域和与排气系统相连的排气区域，多个分隔构件不具有开口部且与接地电位相连接使得该多个分隔构件作为偏压用的高频电力的相对电极发挥功能，相邻的分隔构件以在彼此之间形成将供给到处理区域的处理气体导向排气区域的豁口的方式分开地配置。本发明能够有效地防止在处理室内的不期望部分处的放电、等离子体进入到排气区域。
等离子体处理装置应用于排气构造

[发明专利]使用等离子体的成膜方法-CN201610439083.3有效
发明人： 佐佐木和男;高藤哲也;片桐崇良 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：[课题]本发明提供能够利用电子装置结构的楔形部的膜提高覆盖率的使用等离子体的成膜方法。[解决手段]TFT(30)中，利用由包含四氟化硅气体、四氯化硅气体、氮气及氩气的处理气体生成的电感耦合等离子体形成由氮化硅膜构成的钝化层(37)。
使用等离子体方法

[发明专利]高频等离子体处理装置和高频等离子体处理方法-CN201510090022.6有效
发明人：东条利洋;佐佐木和男 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供在与被施加高频电力的电极接触的绝缘物的部分难以产生沿面放电的高频等离子体处理装置以及高频等离子体处理方法。本发明的高频等离子体处理装置，具有与绝缘物(17)接触的电极(13)，对电极(13)施加高频电力，利用由此生成的等离子体对基板(G)进行等离子体处理，该高频等离子体处理装置包括：进行等离子体处理的处理室(4)；收纳与绝缘物(17)接触的状态的电极(13)的电极收纳部(3)；对电极(13)施加高频电力的高频电源(15)；和湿度调整单元(58)，其调整电极收纳部(3)内的湿度，使得不在电极收纳部(3)内产生沿面放电。
高频等离子体处理装置方法

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