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[发明专利]一种具有新型栅线结构的太阳电池及其制备方法-CN202211682654.8在审
发明人：张勇;张坤铭;伍明跃;吴真龙 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有新型栅线结构的太阳电池及其制备方法，包括：衬底；位于衬底一侧的外延层；位于外延层背离衬底一侧的栅线结构，栅线结构包括主栅线和多条副栅线；多条副栅线在第一方向上等间隔排列，副栅线包括首端副栅线、中间副栅线和尾端副栅线，首端副栅线远离中间副栅线的一端与主栅线连接；副栅线还包括位于尾端副栅线远离中间副栅线一端的栅线贴片结构。该栅线贴片结构可以用来收集太阳电池的边缘电流，确保副栅线不会掉栅的同时以较小的电阻来传输更多的电流，且尾端副栅线的栅线贴片结构在保证了电流收集效率的同时，并没有增加过多的遮光比，这对太阳电池的效率增加具有一定的作用。
一种具有新型结构太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种多结太阳电池及其制作方法-CN202111289650.9在审
发明人：吴真龙;翁妹芝;伍明跃 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种多结太阳电池及其制作方法，该多结太阳电池包括：多个子电池，多个子电池包括第一子电池、第二子电池和第三子电池，第三子电池为AlGaInP电池，包括第一发射区，第一发射区包括第一子发射区和第二子发射区，第一子发射区为n型掺杂的AlxGa1‑xInP层，第二子发射区为n型掺杂的AlyGa1‑yInP层，yx，第一子发射区n型掺杂浓度小于第二子发射区n型掺杂浓度，避免了在高Al组分发射区，进行高浓度n型掺杂，保证了AlGaInP电池发射区的光电流，进而保证了AlGaInP电池工作性能，并且还有助于提高第一子发射区和第二子发射区的工作性能，进而提高了AlGaInP电池工作性能。
一种太阳电池及其制作方法

[发明专利]一种氮化物半导体发光二极管-CN201711207110.5有效
发明人：郑锦坚;李水清;钟志白;周启伦;林峰;吴雅萍;李志明;杜伟华;邓和清;伍明跃;陈松岩;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，V‑pits，多量子阱，至少具有一V‑pits开启层和/或至少具有一V‑pits调制层，以及P型氮化物半导体，其特征在于：所述V‑pits开启层和V‑pits调制层具有不同的C碳含量，调节（10‑11）面和（0001）面的速率匹配，通过控制C含量控制位错线开出V‑pits并调控V‑pits尺寸和密度；并控制In_kGa_1‑kN/GaN的厚度比例和In_zGa_1‑zN/GaN的厚度比例，调控V‑pits的尺寸和密度。
一种氮化物半导体发光二极管

[发明专利]一种氮化物半导体发光二极管-CN201710935627.X有效
发明人：郑锦坚;周启伦;钟志白;陈松岩;康俊勇;杜伟华;李志明;邓和清;臧雅姝;伍明跃;徐宸科;林峰;李水清 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体；所述多量子阱具有V‑pits；所述V‑pits的侧壁具有V‑pits侧壁阻挡层，所述V‑pits侧壁阻挡层包括V‑pits侧壁电子阻挡层和V‑pits侧壁空穴阻挡层的组合，所述V‑pits侧壁电子阻挡层的势垒高度大于多量子阱无V‑pits区域上方的第一氮化物半导体的势垒高度，所述V‑pits侧壁空穴阻挡层的势垒高度大于多量子阱无V‑pits区域上方的第二氮化物半导体的势垒高度，所述V‑pits侧壁的电子阻挡层和空穴阻挡层形成高势垒，阻挡电子和空穴往V‑pits中心输运，防止被V‑pits底部的穿透位错吸收产生非辐射复合，提升电子和空穴在无V‑pits区域的沿c轴的纵向输运，提升电子和空穴的注入和复合效率。
一种氮化物半导体发光二极管

[发明专利]一种LED显示组件及其制作方法-CN201710192858.6有效
发明人：郑锦坚;周启伦;钟志白;徐宸科;杜伟华;李志明;伍明跃;邓和清;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED显示组件及其制作方法，包括：在第一导电型的第一半导体层蚀刻出的若干组第一导电型的第二半导体层，有源层，应力控制层，应力作用层，第一隔离层，第二隔离层，第二导电型的第三半导体层，第一导电接触层，第二导电接触层，电极以及包括电连接点的集成电路控制板；所述有源层设置有若干组的有源层单元，有源层单元通过侧壁形成第一隔离层进行分隔，所述第一导电型的第二半导体通过侧壁形成第二隔离层进行分隔，并邻接第二导电接触层；于所述第一隔离层和第二隔离层的间隙形成应力作用层、应力控制层及第一导电接触层；所述第一导电接触层、第二导电接触层分别与集成电路控制板的电连接点连接。
一种 led 显示组件及其制作方法

[发明专利]一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法-CN201710051343.4有效
发明人：郑锦坚;周启伦;钟志白;伍明跃;李志明;邓和清;杨焕荣;吴建国;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法，包括衬底，第一导电型的第一半导体层，至少一具有M个开口向上或向下V形坑的多量子阱的第一有源层，至少一界面连接层，至少一具有N个开口向上或向下V形坑的多量子阱的第二有源层组成的多重堆叠的多量子阱结构，第一有源层和第二有源层交替垒加；以及邻接所述多重堆叠的多量子阱结构的第二导电型的第二半导体层，可以调控组合V形坑的体积、形态和密度，提升量子效应和发光效率。
一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种氮化物发光二极管及其制作方法-CN201610739694.X有效
发明人：郑锦坚;李志明;钟志白;廖树涛;代睿冬;张世鑫;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制作方法，在P型氮化物和N型氮化物中插入应力控制层/反射层/电磁场发生层的复合结构，在电流通过电磁场发生层时，因电磁感应产生磁场，控制应力控制层产生应力，从而调控多量子阱受的应力类型和大小，提高发光二极管的o光比例和量子阱的载流子跃迁复合效率，提升发光效率和改善efficiency droop效应。
一种氮化物发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种氮化物发光二极管-CN201610384832.7有效
发明人：郑锦坚;李志明;钟志白;杨焕荣;廖树涛;杜伟华;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V形坑，第一AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格、In量子点/InN量子点形成的局域量子态、第二AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格组成的复合结构，P型氮化物以及P型接触层，所述多量子阱区域的V形坑中沉积第一AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格、In量子点/InN量子点形成的局域量子态、第二AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格的复合结构，V形坑上下两组AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格结构，将位错阻挡在V形坑中，阻挡其继续往上延伸，有效地减少位错，降低非辐射复合，降低漏电和改善ESD，提升发光效率和发光强度；而两组超晶格结构中间的In量子点/InN量子点组成的混合局域量子态，提升量子阱的量子效应，进一步提升发光效率和发光强度。
一种氮化物发光二极管

[发明专利]一种氮化物发光二极管-CN201610739916.8有效
发明人：郑锦坚;钟志白;李志明;邓和清;杜伟华;苏龙兴;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物发光二极管，包括：衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，应力控制层，P型氮化物，以及P型接触层，其中多量子阱区域的V‑pits两侧和/或上方至少具有一应力控制层，通过调节所述应力控制层的张应力或压应力，从而给V‑Pits的侧壁施加张应力或压应力，控制V‑pits的开角θ，调控V‑pits对多量子阱MQW发出光的反射效率，降低全反射角对出光的影响，提升光提取效率，提升氮化物发光二极管的发光强度和发光效率。
一种氮化物发光二极管

[发明专利]一种LED芯片结构及制作方法-CN201610047379.0有效
发明人：杜伟华;郑建森;郑锦坚;李志明;伍明跃;周启伦;林峰;李水清 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片结构及制作方法，包括：衬底、位于衬底之上的第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层组成的发光外延层、位于第一导电类型半导体层上的第一电极以及位于第二导电类型半导体层上的第二电极，其特征在于：在所述发光外延层中插入颗粒介质层，作为掩膜层，以控制穿透位错均匀性，从而在所述发光外延层中形成非均匀分布的V型坑，以改善电流分布和注入均匀性，提高发光效率。
发光外延层导电类型半导体层第一导电类型半导体层衬底非均匀分布注入均匀性穿透位错第二电极第一电极电流分布发光效率颗粒介质发光层均匀性掩膜层制作

[发明专利]一种GaAs基发光二极管及其制作方法-CN201610291711.8有效
发明人：郑元宇;郑建森;伍明跃;周启伦;邱财华;罗宵;林峰;李水清;吴超瑜;蔡坤煌 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种GaAs基发光二极管及其制作方法，依次包括衬底，DBR反射层，N型半导体层，量子阱发光层，P型半导体层，过渡层和GaP电流扩展层，其特征在于：所述过渡层包括组分渐变层、低温低速GaP层和界面处理层，所述GaP电流扩展层采用先高温后低温生长方式。过渡层能有效地将位错线压制在界面处；高温GaP电流扩展层，与界面处理层相接，能更进一步地把延伸到界面层上的位错线压制在该高温GaP电流扩展层中，为后续高质量GaP电流扩展层生长提供良好的基础。
一种 gaas 发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种具有AlN量子点的氮化物发光二极管及其制作方法-CN201610197676.3有效
发明人：郑锦坚;钟志白;杜伟华;李志明;杨焕荣;廖树涛;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有AlN量子点的氮化物发光二极管及其制作方法，包括：衬底，缓冲层，N型氮化物，具有V‑pits的多量子阱，P型氮化物，无Mg掺杂的AlN量子点，具有高Mg掺杂的P型氮化物以及P型接触层，其中在P型氮化物和具有高Mg掺杂的P型氮化物之间插入AlN量子点层，量子点通过高电阻的AlN量子点的多步弛豫沉积方法，均匀地堵住位错线的终端，防止电流流经位错线区域，提高反向电压、降低漏电、改善电流的横向扩展和改善ESD。
一种具有 aln 量子氮化物发光二极管及其制作方法

[发明专利]用于LED外延晶圆制程的石墨承载盘-CN201410838373.6有效
发明人：郑锦坚;寻飞林;邓和清;李志明;杜伟华;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于LED外延晶圆制程的石墨承载盘，包括若干个设置在承载盘上方的晶圆凹槽，用于置放外延晶圆衬底，其特征在于：所述承载盘的中心区域上设置有凸部结构，能够减小外延生长过程中的承载盘中心区域的涡流面积，改善内圈的外延晶圆朝向承载盘轴中心的局部区域发光强度偏低的问题，从而改善内圈的亮度均匀性，提升内外圈外延片的亮度整体均匀性。 1
承载盘晶圆中心区域石墨内圈制程外延生长过程涡流亮度均匀性晶圆凹槽局部区域凸部结构均匀性内外圈外延片衬底减小置放

[发明专利]一种氮化物纳米线的制作方法-CN201510436537.7有效
发明人：郑锦坚;邓和清;寻飞林;李志明;杜伟华;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物纳米线的制作方法，包括以下工艺步骤：（1）在衬底上外延生长氮化镓缓冲层；（2）将缓冲层蚀刻成具有间隙的均匀分布的纳米尺度的柱状缓冲层；（3）在柱状缓冲层及间隙上沉积氮化硅掩膜层；（4）将激光束聚焦在柱状缓冲层，使氮化镓分解成金属镓纳米点，生成的氮气将柱状上方的掩膜层冲破，形成金属镓纳米点的自催化的催化剂模板；（5）使用金属镓纳米点作为自催化生长的催化剂，外延生长均匀排列的氮化镓纳米线；（6）采用高温氮化方法，使纳米线顶端的金属镓纳米点反应生成氮化镓。
一种氮化物纳米制作方法

[发明专利]一种氮化物发光二极管磁电应力耦合的原位测试系统-CN201510578415.1有效
发明人：郑锦坚;寻飞林;邓和清;杜伟华;李志明;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物发光二极管磁电应力耦合的原位测试系统，包括：氮化物发光二极管、外加电流源、XRD测试组件和磁场发生装置，其特征在于：氮化物发光二极管侧壁形成磁性材料，在所述氮化物发光二极管的P型电极和N型电极两端通入电流，置于XRD测试组件的样品台上，通过磁场发生装置在氮化物发光二极管周围产生磁场，使氮化物发光二极管产生磁场‑电场‑应力耦合效应，利用XRD单晶衍射进行原位测试发光二极管在磁场和电场变化过程中的晶格常数，进而原位控制磁场和电场的大小，调控氮化物的应力变化，使发光二极管获得最高发光效率。
一种氮化物发光二极管磁电应力耦合原位测试系统

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