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[发明专利]基于氧化镓纳米线的鳍式场效应晶体管及其制备方法-CN202210260818.1在审
发明人： 伊晓燕;徐思远;张逸韵;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于氧化镓纳米线的鳍式场效应晶体管，包括：衬底；绝缘介质层，设置在所述衬底上；至少一根氧化镓纳米线，作为导电沟道，设置在所述绝缘介质层上；金属层，设置在所述绝缘介质层上；栅极介质层，设置在所述至少一根氧化镓纳米线上；以及栅极金属层，设置在所述栅极介质层上。
基于氧化纳米场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于或然率的坡面植被有效减沙覆盖度阈值确定方法-CN202310463708.X在审
发明人：孙一;刘晓燕;田勇;伊晓燕;王协康;屈博;顾志刚;马静;潘淼 -专利权人：黄河水利委员会黄河水利科学研究院
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于或然率的坡面植被有效减沙覆盖度阈值确定方法，属于水土流失治理技术领域。本发明选取了坡面水土流失治理中植被减沙方面的关键参数，包括坡面表层泥沙组成、适生植被特征对坡面泥沙输移影响程度，提供了针对坡面地表特征的坡面植被有效减沙率覆盖度阈值的确定方法，该方法充分考虑了坡面表层泥沙平均粒径、适生植被株径、植被覆盖度对坡面植被减沙的作用机制，仅依靠坡面表层泥沙平均粒径及适生植被株径即可实现坡面植被有效减沙覆盖度阈值的快速计算，简单易行，快捷可靠。
一种基于或然率植被有效覆盖阈值确定方法

[发明专利]氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法-CN202110669326.3有效
发明人： 伊晓燕;林辰;詹腾;刘志强;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法，该光电芯片包括芯片主体和覆盖在芯片主体上的钝化层；芯片主体包括衬底，第一线圈金属层、肖特基二极管、发光二极管、电容下电极金属层、底金属层、肖特基接触金属层均设置在衬底上；肖特基接触金属层延伸至肖特基二极管上表面；电容下电极金属层延伸至肖特基二极管表面；电容下电极金属层与电容上电极金属层之间设置第一介质隔离层；电容上电极金属层延伸至发光二极管上表面；底金属层延伸至发光二极管的上表面；衬底上的底金属层上设置第二介质隔离层；第二线圈金属层设置在第二介质隔离层上，并与底金属层连接；第一线圈金属层、电容上电极金属层、底金属层、第二线圈金属层上均设置石墨烯层。
氮化石墨混合集成光电芯片及其制备方法

[发明专利]红外探测器及其制备方法-CN202310279623.6在审
发明人：贾春阳;张逸韵;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本公开提供一种红外探测器及其制备方法，该红外探测器包括：衬底，设置于衬底上的势垒绝缘缓冲层，以及至少一个叠层单元，该至少一个叠层单元均匀设置于势垒绝缘缓冲层上，每个叠层单元均包括：超晶格吸收区，设置于势垒绝缘缓冲层上的中间位置，p型接触区，设置于超晶格吸收区一侧面，n型接触区，设置于超晶格吸收区另一侧面，该另一侧面与p型接触区所在的侧面对应，金属电极，分别设置于p型接触区和n型接触区上，势垒绝缘保护层，设置于超晶格吸收区上，钝化保护层，设置于势垒绝缘保护层上，掩膜保护层，分别设置于势垒绝缘缓冲层上的两侧位置、p型接触区的侧面、n型接触区的侧面以及钝化保护层上。该红外探测器结构简单，响应速度快。
红外探测器及其制备方法

[发明专利]氮化物薄膜结构及其制备方法-CN202111153828.7在审
发明人：尹越;林学春;刘志强;梁萌;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物薄膜结构，包括：石英衬底(1)；二硫化钨缓冲层(2)，与石英衬底(1)通过范德华力相互结合；氮化物薄膜层(3)，设置于二硫化钨缓冲层(2)上；以及器件结构层(4)，设置于氮化物薄膜层(3)上。采用与氮化物材料晶格十分匹配的极性材料二硫化钨作为缓冲层，促进氮化物外延层的合并，并对其取向进行诱导。
氮化物薄膜结构及其制备方法

[发明专利]用于神经调控的光电集成模块-CN202210554954.1有效
发明人： 伊晓燕;周斌茹;詹腾;刘志强;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： A61N5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于神经调控的光电集成模块，包括：人造颅骨单元，用于为神经监测提供光学窗口，人造颅骨单元包括柔性透明薄膜制成的颅骨盖；柔性光学刺激阵列单元，柔性光学刺激阵列单元贴附于人造颅骨内侧，柔性光学刺激阵列单元包括若干光刺激点和记录电极；其中，光刺激点的设置位点根据待测动物的脑神经元分布位置确定，光刺激点用于对样品的神经元进行光刺激干扰样品的神经元活动；记录电极用于接收样品的神经元受到刺激产生的神经反馈信号；驱动控制单元，集成于柔性光刺激阵列单元上，穿过人造颅骨单元并固定于人造颅骨单元外侧，用于对柔性光刺激阵列单元进行选择驱动，并为柔性光刺激阵列单元提供能量以及神经反馈信号的传输。
用于神经调控光电集成模块

[发明专利]氮化物发光器件制备方法-CN202110674980.3在审
发明人： 伊晓燕;宋武睿;刘志强;梁萌;张逸韵;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供一种氮化物发光器件制备方法，包括：在衬底上制备底层的底层DBR层；在所述底层DBR层上覆盖单层或多层的二维材料薄膜，形成二维材料缓冲层；在所述二维材料缓冲层上依次生长低温GaN成核层和GaN buffer层；在所述GaN buffer层上外延RCLED主体结构，所述RCLED主体结构在所述GaN buffer层上由下至上依次包括：n‑GaN层、多量子阱发光层及p‑GaN层；在所述顶层DBR层两侧的所述金属氧化物透明导电层上设置有p电极，在所述台阶区域上设置有n电极；在所述氮化物发光器件表面沉积绝缘层，并光刻腐蚀去除部分所述绝缘层且暴露出所述出光口、p电极及n电极，完成氮化物发光器件的制备。
氮化物发光器件制备方法

[发明专利]基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器及制备方法-CN202110682878.8在审
发明人： 伊晓燕;宋武睿;刘志强;梁萌;张逸韵;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器及制备方法，该制备方法包括：在衬底上外延非掺GaN层；在非掺GaN层上制备介质DBR；在介质DBR上覆盖石墨烯层；刻蚀石墨烯层和介质DBR使所非掺GaN层裸露，形成图形化的底层介质DBR；在非掺杂GaN层的裸露区域和底层介质DBR上外延形成GaN合并层；在GaN合并层上形成外延主体层；在外延主体层上形成导电层；在导电层上制备图形化的顶层介质DBR，得到所述垂直发射发光器。本公开提供的基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器的制备工艺简单，大幅降低器件的生产成本。
基于石墨介质 dbr 垂直发射发光制备方法

[发明专利]用于光医疗的柔性LED封装结构-CN202110562742.3在审
发明人：杨华;郑怀文;李燕;于飞;刘喆;姚然;宋昌斌;伊晓燕;李晋闽;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：一种LED封装结构，包括：外壳(1)，其内密封有发光元件(2)及相变材料(4)，其中，所述发光元件(2)产生的光波可透过所述相变材料(4)，所述相变材料(4)用于吸收所述发光元件(2)产生的热量。该LED封装结构通过设置相变材料，将发光元件产生的热量吸收至相变材料上，使光医疗产品在使用时间内达到适合人体的温度，解决了市面上光医疗产品的散热问题。
用于医疗柔性 led 封装结构

[发明专利]GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线-CN202110543134.8在审
发明人：刘志强;闫岩;张硕;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线，其中，该制备方法包括：在衬底上制备二维材料层，得到复合生长模板；在复合生长模板的二维材料层上制备金属薄膜层；将带有金属薄膜层的复合生长模板设置于生长设备中，生长GaN纳米线。
gan 纳米制备方法

[发明专利]基于LED可见光的定位方法、装置、电子设备及存储介质-CN202110548879.3在审
发明人：刘志强;冯涛;梁萌;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01S5/16 文献下载
摘要：一种基于LED可见光的定位方法，包括：发射LED可见光，使LED可见光射向预设空间内的各探测位置；探测各探测位置的可见光光强；将可见光光强输入预设的位置数据库，使可见光光强与预设的位置数据库中的预存光强匹配，其中，位置数据库中预存有预设空间内各探测位置的预存光强和位置信息；当可见光光强与预存光强匹配时，输出对应的探测位置的位置信息。该方法利用光通信技术实现了一种离线定位技术，方法简单，易于实现，设备成本低。
基于 led 可见光定位方法装置电子设备存储介质

[发明专利]肖特基势垒二极管及其制备方法-CN202110525116.7在审
发明人：刘志强;冯涛;梁萌;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基势垒二极管及其制备方法，肖特基势垒二极管包括：异质结，异质结包括依次叠加的氮化镓层，石墨烯插入层和势垒层；其中，石墨烯插入层用于提高氮化镓层与势垒层之间的二维电子气迁移率。本发明提供的肖特基势垒二极管突破了GaN材料本身对载流子迁移率的限制，极大提升了二维电子气的迁移率，得到满足太赫兹波段工作要求的工作器件。
肖特基势垒二极管及其制备方法

[发明专利]基于多色谐振腔发光二极管的生物探针及其制备方法-CN202210864222.2在审
发明人： 伊晓燕;周斌茹;张逸韵;刘志强;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多色谐振腔发光二极管的生物探针的制备方法，包括：在衬底上键合多个发光波长不同的单色谐振腔发光二极管，形成生物探针前驱体，键合每个单色谐振腔发光二极管包括：在衬底上形成第一键合金属层；在蓝宝石外延片上依次形成第一反射层、第二键合金属层；将蓝宝石外延片倒装，并键合第一键合金属层和第二键合金属层，形成第三键合金属层；刻蚀倒装后的蓝宝石外延片，得到外延层；在外延层上形成绝缘层；在绝缘层上形成N电极和P电极，适用于为外延层施加电压以产生激光；在绝缘层上形成第二反射层，其与第一反射层构成控制激光出光角度的谐振腔；将生物探针前驱体的尖端削尖，得到生物探针；在生物探针的表面形成生物封装层。
基于多色谐振腔发光二极管生物探针及其制备方法

[发明专利]一种混色LED器件-CN202110671506.5有效
发明人：王军喜;李燕;杨华;伊晓燕;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种混色LED器件，属于LED封装技术领域，该混色LED器件包括：外壳，用于充当反射层和基板的作用；至少一个发光元件，安装在所述外壳的内表面；匀光元件，安装在所述外壳的内部，用于充当匀光作用和出光面的作用。
一种 led 器件

[发明专利]生物探针及其制备方法-CN202210707834.0在审
发明人： 伊晓燕;周斌茹;张逸韵;詹腾;刘志强;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种生物探针及其制备方法，该生物探针包括衬底；键合金属层，覆盖于衬底上，用于键合衬底和第一金属反射层；第一金属反射层，覆盖于键合金属层上，用于作为底部反射镜，使光从正面射出；外延层，设置于第一金属反射层上，用于形成发光区；第二金属反射层，覆盖第一金属反射层以及外延层的边缘，用于限定探针的有效区域和第一电极区域，以及限制外延层侧壁，使光从外延层正面射出；电极层，形成于有效区域内，覆盖外延层的边缘并与外延层接触；光学调控层，通过覆盖电极层来限定电极层的第二电极区域，通过覆盖外延层形成光子晶体；其中，光学调控层和第二金属反射层包括由不同介电系数材料周期排列形成的层状结构。
生物探针及其制备方法

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