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- [发明专利]半导体激光器-CN200410047569.X无效
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伊藤启司;木户口勋;高山彻;今藤修
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松下电器产业株式会社
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2004-05-24
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2005-02-02
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H01S5/20
- 本发明的半导体激光器装置，在基片(101)上至少含有第1导电型的包覆层(102)、活性层(104)和第2导电型的包覆层(107)，其中，具有用于注入载流子的条形结构(117)，射出激光的谐振器的前方端面的条形的宽度大于位于相反侧的后方端面的条形的宽度，而且，前方端面的反射率低于后方端面的反射率。由此，能够根据半导体激光器内部的谐振器方向的光强度分布，控制载流子向活性层(104)注入，能够谋求降低阈值电流，提高斜度效率及提高纽结水平，能够提供一种在高光输出工作时也能以基横模稳定振荡激光的半导体激光器装置。
- 半导体激光器
- [发明专利]半导体激光装置-CN01136085.2有效
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左文字克哉;高山彻;今藤修;油利正昭
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松下电器产业株式会社
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2001-10-08
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2002-05-01
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H01S5/323
- 一种半导体激光装置,分别在活性层4的下方设有由AlX1Ga1－x1As所构成的n型包层2,在活性层4的上方设有由(AlxGa1－x)yIn1－yP所构成的势垒高度规定用p型包层6。势垒高度规定用p型包层6比n型包层2含有更多的组成元素,势垒高度规定用p型包层6与活性层4之间的导带端的势差大于n型包层2与活性层4之间的导带端的势差。在抑制从活性层4向p型包层6的载流子溢出的同时,还通过在n型包层2上使用热传导率较高的材料抑制热饱和现象来提高光输出。提供抑制了热饱和现象的光输出较高的半导体激光装置。
- 半导体激光装置
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