[发明专利]氮化物半导体激光元件有效

专利信息
申请号: 201680042974.3 申请日: 2016-07-19
公开(公告)号: CN107851969B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 川口真生;今藤修;能崎信一郎;萩野裕幸 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01S5/343 分类号: H01S5/343
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 齐秀凤
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件在p侧光导层与p型包覆层之间具有电子势垒层。电子势垒层的带隙能量比p型包覆层大。p侧光导层由不含In的AlxGa1‑xN(0≤x<1)构成。此外,n侧光导层的膜厚dn和p侧光导层的膜厚dp满足dp≥0.25μm且dn≥dp的关系。
搜索关键词: 氮化物 半导体 激光 元件
【主权项】:
一种氮化物半导体激光元件,具备:由氮化物半导体构成的n型包覆层;由氮化物半导体构成的p型包覆层;活性层,设置在所述n型包覆层与所述p型包覆层之间;由氮化物半导体构成的n侧光导层,设置在所述n型包覆层与所述活性层之间,带隙能量比所述n型包覆层小且带隙能量比所述活性层大;由氮化物半导体构成的p侧光导层,设置在所述p型包覆层与所述活性层之间,带隙能量比所述p型包覆层小且带隙能量比所述活性层大;和由氮化物半导体构成的电子势垒层,设置在所述p侧光导层与所述p型包覆层之间,带隙能量比所述p型包覆层大,所述p侧光导层由不含In的AlxGa1‑xN构成,其中,0≤x<1,所述n侧光导层的膜厚dn和所述p侧光导层的膜厚dp满足dp≥0.25μm且dn≥dp的关系。
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  • 程凯 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2020-11-23 - 2023-07-18 - H01S5/343
  • 一种垂直腔表面发射激光器的制备方法,垂直腔表面发射激光器包括依次层叠的第一反射镜(23)、第一半导体层(24)、有源层(25)、第二半导体层(27)、氧化层(224)与第二反射镜(28),第一半导体层(24)的导电类型与第二半导体层(27)的导电类型相反;氧化层(224)包括透光区(2241)与遮光区(2242),遮光区(2242)环绕透光区(2241);制备方法包括:第一半导体层(24)与第一反射镜(23)的第一接触面(217),和/或第二半导体层(27)与第二反射镜(28)的第二接触面(214)经平坦化。由于第一半导体层(24)与第一反射镜(23)的第一接触面(217),和/或第二半导体层(27)与第二反射镜(28)的第二接触面(214)经平坦化,因此,可以改善谐振腔发光结构的发光均一性。
  • 一种高效率蓝光半导体激光芯片-202310430064.4
  • 周少丰;陈华为;刘鹏;丁亮;覃紫唅 - 深圳市星汉激光科技股份有限公司
  • 2023-04-21 - 2023-07-14 - H01S5/343
  • 本发明涉及激光器技术领域,特别涉及一种高效率蓝光半导体激光芯片。本发明提供的蓝光半导体激光芯片中,量子阱有源区包括多个交叠的量子阱层和量子垒层,所述量子阱层沿生长方向依次为多个第一量子阱层、一个第二量子阱层和多个第三量子阱层,其中,沿生长方向的多个第一量子阱层厚度逐渐减少,In组分逐渐增加,沿生长方向的多个第三量子阱层厚度逐渐增加,In组分逐渐减少,本发明利用不同量子层之间的结构和In组分差异设计,有效减少了有源区的电子泄露,提高载流子复合效率,从而获得更高的光电转换效率。
  • 一种氮化镓基激光器外延结构及具有该结构的激光器-202310272599.3
  • 贾传宇;谌春亮;刘宏展 - 东莞理工学院
  • 2023-03-17 - 2023-07-04 - H01S5/343
  • 本发明公开了一种氮化镓基激光器外延结构及具有该结构的激光器,涉及半导体光电子器件领域。本发明通过对氮化镓基激光器的有源区结构及外延生长方法进行设计,有效提升有源区晶体质量以及载流子向有源区注入效率,同时,通过设计新型光波导层结构和生长方法,在提升光场限制效果的基础上有效减少内损耗。此外,本发明还进一步设计了氮化镓基激光器外延结构的其它各层结构,进一步提升光场限制效果,降低激光器的内损耗。
  • 外延晶片以及半导体激光器-202310304148.3
  • 陈长安;郑兆祯 - 深圳市中光工业技术研究院
  • 2019-01-04 - 2023-06-09 - H01S5/343
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种外延晶片以及半导体激光器。该外延晶片包括:衬底;功能层,功能层位于衬底上;其中,功能层中的至少部分层体掺杂有Mg;发光层,发光层位于功能层中,功能层用于驱动发光层发光。通过上述方式,本发明能够提高应用本发明外延晶片的激光器的特征温度,进而提高其电光转换效率。
  • 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法-202310074651.4
  • 程斌;汪福进;白俊春;贾永 - 江苏芯港半导体有限公司
  • 2023-02-07 - 2023-06-02 - H01S5/343
  • 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:1)、在衬底(1)上生长二维六方氮化硼层(2);2)、在二维六方氮化硼层(2)上溅射AlN层(3);3)、在AlN层(3)上依次制作N型GaN层(4)、多量子阱层(5)、P型GaN层(6)和顶部DBR层(7),形成外延结构;4)、使顶部DBR层(7)与铜衬底(8)相接触以将外延结构倒装键合在铜衬底(8)上;5)、将热释放胶带紧贴于衬底(1)上,将衬底(1)和二维六方氮化硼层(2)从AlN层(3)上剥离掉;6)、在AlN层(3)上溅射底部DBR层(9)。其采用热释放胶带进行剥离,剥离工艺简单,且对外延结构无损伤;通过引入AlN层,改善了外延材料的生长质量。
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