“今坂俊博”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]线圈器件以及线圈器件的制造方法-CN202310297567.9在审
发明人：鸟井阳平;吉野学;山口靖雄;蔀拓一郎;今坂俊博 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01F27/32 文献下载
摘要：提供具有由绝缘膜绝缘的第1线圈及第2线圈、抑制了绝缘膜的变形的线圈器件及其制造方法。具有：基板，具有第1主面和与第1主面相对的第2主面；第1绝缘膜，在将从第2主面朝向第1主面的方向作为第1方向的情况下与基板在第1方向侧相接地设置；第1线圈部，与第1绝缘膜在第1方向侧相接地设置，为涡旋状的导体膜；第2绝缘膜，设置为覆盖第1线圈部的第1方向侧以及未设置第1线圈部的第1绝缘膜的第1方向侧；第2线圈部，与第2绝缘膜的第1方向侧相接地设置，为涡旋状的导体膜；以及第1槽，设置于第2绝缘膜，在俯视观察时在相比于第2线圈部的外周端处于内侧的区域，在第2绝缘膜的第1方向侧的面沿第1方向具有宽度。
线圈器件以及制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310136192.8在审
发明人：蔀拓一郎;吉野学;今坂俊博 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：得到半导体装置，其抑制工艺成本的增加，具有包含电阻性场板的高耐压构造。电阻性场板(6)以从外侧的主电极(4)逐渐接近内侧的主电极(3)的方式，在俯视观察时配置为螺旋状。多个浮置层(8)在俯视观察时以高电位区域(1)为中心朝向低电位区域(2)配置为放射状。电阻性场板(6)隔着层间绝缘膜(10)设置于多个浮置层(8)之上，因此具有反映了多个浮置层(8)各自的膜厚的浮置台阶(S8)。即，电阻性场板(6)是以沿环绕方向重复产生浮置台阶(S8)的方式设置的。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]变压器元件、半导体装置、变压器元件的制造方法以及半导体装置的制造方法-CN202310135786.7在审
发明人：山口靖雄;吉野学;今坂俊博;鸟井阳平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：提供一种能够抑制对线圈的特性造成的影响且将用于线圈的导线键合的焊盘增厚的变压器元件及其制造方法、半导体装置及其制造方法。变压器元件具有：面状的第1线圈；第1绝缘膜，其设置于第1线圈的上侧；面状的第2线圈，其设置于第1绝缘膜之上，与第1线圈相对；第1焊盘，其设置于第1绝缘膜之上，与第2线圈的一端侧连接；第2焊盘，其设置于第1焊盘之上；以及第2绝缘膜，其以覆盖第2线圈的方式设置于第1绝缘膜之上以及第2线圈之上，第1焊盘和第2焊盘合起来的厚度比第2线圈厚，第2焊盘部分地覆盖第2绝缘膜。
变压器元件半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202310129713.7在审
发明人：川崎裕二;今坂俊博 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：涉及半导体装置及其制造方法，能够防止耐压性能降低。半导体装置的特征在于具有：第1导电型的半导体基板；第2导电型的RESURF层；第2导电型的埋入层，形成于高电位侧电路的底部；以及MOSFET，将RESURF层作为漂移层，MOSFET具有：第2导电型的N型半导体层，作为漏极层起作用；第1导电型的P型半导体层，处于N型半导体层的低电位侧电路侧；以及第2导电型的N型半导体层，形成于P型半导体层的表面，作为源极层起作用，N型半导体层的端部与埋入层的端部相比处于低电位侧电路侧，埋入层及N型半导体层的端部在俯视观察时具有弯曲部(30、40)。弯曲部(40)的曲率中心O′的位置与弯曲部(30)相比靠近高电位侧电路，弯曲部(40)的曲率小于弯曲部(30)。
半导体装置制造方法

[发明专利]变压器装置及半导体装置-CN202210017074.0在审
发明人： 今坂俊博;吉野学;山口靖雄;鸟井阳平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01F27/30 文献下载
摘要：本发明涉及变压器装置及半导体装置。提供能够高品质地将导线接合于使线圈间绝缘的绝缘层上侧的焊盘的变压器装置。变压器装置具有：面状的第1线圈；第1绝缘层，其设置于第1线圈上侧；中间层，其设置于第1绝缘层上侧；第2绝缘层，其设置于中间层上侧；面状的第2线圈，其设置于第2绝缘层上侧，与第1线圈相对；以及导电性的焊盘，其设置于第2绝缘层上侧，与第2线圈的一端侧连接，焊盘配置于在俯视观察时与中间层至少局部地重叠的位置处，中间层比第1绝缘层及第2绝缘层的硬度高。
变压器装置半导体

[发明专利]变压器元件-CN202111422605.6在审
发明人：山口靖雄;吉野学;今坂俊博;鸟井阳平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够减小变压器元件的尺寸的技术。变压器元件具有：初级线圈，其多个初级局部线圈的中心轴配置于绝缘膜的面内方向的一条直线上；次级线圈，其包含在绝缘膜内配置的多个次级局部线圈，多个次级局部线圈的中心轴配置于一条直线上。在俯视观察时，初级局部线圈夹在一组次级局部线圈之间，或次级局部线圈夹在一组初级局部线圈之间。
变压器元件

[发明专利]半导体装置及集成电路-CN202011510550.X在审
发明人： 今坂俊博;清水和宏;吉野学;川崎裕二 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：涉及半导体装置及集成电路。改善在RESURF区域形成的MOSFET的耐压性能的提高与接通电阻的降低之间的折衷关系。半导体装置具有：N型扩散层(3)，形成于P型扩散层(1)的表层部，作为RESURF区域而起作用；N型填埋扩散层(2)，形成于N型扩散层(3)的高电位侧电路侧的底部，杂质峰值浓度比N型扩散层(3)高；以及MOSFET，将N型扩散层(3)作为漂移层。MOSFET具有：热氧化膜(9)，形成于成为漏极区域的N型扩散层(4)与成为源极区域的N型扩散层(7)之间；以及N型扩散层(14)，形成于热氧化膜(9)之下，杂质峰值浓度比N型扩散层(3)高。N型扩散层(14)的低电位侧电路侧的端部比N型填埋扩散层的低电位侧电路侧的端部更靠近低电位侧电路。
半导体装置集成电路

[发明专利]半导体装置-CN202011238738.3在审
发明人：清水和宏;川崎裕二;今坂俊博;吉野学 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：向自举电容(39)供给充电电流的半导体装置具有半导体层(1)、N+型扩散区域(5b)及N型扩散区域(2)、P+型扩散区域(4a)及P型扩散区域(3a)、N+型扩散区域(5a)、源极电极(10b)、漏极电极(10c)、背栅极电极(10a)、栅极电极(9a)。N+型扩散区域(5b)及N型扩散区域(2)与自举电容(39)的第1电极电连接。电源电压(Vcc)供给至N+型扩散区域(5a)。源极电极(10b)与第3半导体区域(N+型扩散区域(5a))连接且被供给电源电压。背栅极电极(10a)连接至与N+型扩散区域(5a)分离的区域，并且接地。源极电极(10b)与背栅极电极(10a)之间的耐压大于电源电压。
半导体装置

1
共 8 条