|
钻瓜专利网为您找到相关结果 12个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体器件-CN201280012204.6有效
-
金子贵昭;井上尚也;林喜宏
-
瑞萨电子株式会社
-
2012-03-06
-
2016-11-09
-
H01L21/822
- 本发明涉及半导体器件,所述半导体器件包括:半导体器件形成于其上的半导体衬底;第一焊盘及第二焊盘;形成于半导体衬底之上的第一绝缘膜;嵌入到设置于第一绝缘膜内的沟槽中的多个布线线路;设置为覆盖第一绝缘膜和多个布线线路的第二绝缘膜;形成于第二绝缘膜之上的半导体层;与半导体层连接的源电极;以及与半导体层连接的漏电极。多个布线线路包括设置于与半导体层相对的位置的栅电极。半导体层、源电极、漏电极和栅电极构成ESD保护器件以释放由ESD浪涌导致的从第一焊盘到第二焊盘的电流。
- 半导体器件
|