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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]掺杂多晶硅的平坦化方法以及多晶硅浮栅的制作方法-CN200810105616.X有效
发明人：黎铭琦;蒋莉;邵颖;邹陆军 -专利权人： 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种掺杂多晶硅的平坦化方法以及多晶硅浮栅的制作方法，其中所述掺杂多晶硅的平坦化方法包括：提供本征态的多晶硅，进行化学机械抛光，对多晶硅进行掺杂。其中，所述多晶硅的掺杂浓度大于5.0E+20cm^-2。采用所述方法形成的多晶硅的表面平整度高。
掺杂多晶平坦方法以及硅浮栅制作方法

[发明专利]半导体器件及栅极的形成方法-CN200810105309.1有效
发明人：黄怡;杜珊珊;张海洋 -专利权人： 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括步骤：刻蚀前一衬底；检测所述前一衬底的刻蚀结果分布情况；根据所述前一衬底的刻蚀结果分布情况对后一衬底在光刻刻蚀掩膜图形时的曝光参数进行调整；按照所述后一衬底的曝光参数对所述后一衬底进行光刻，形成刻蚀掩膜图形；刻蚀所述后一衬底。本发明还公开了相关的栅极形成方法。采用本发明的半导体器件及栅极的形成方法，改善了因不同的刻蚀设备的刻蚀结果存在某种特定的分布特点而导致的刻蚀结果不一致的问题。
半导体器件栅极形成方法

[发明专利]提高栅极侧壁氧化层厚度一致性的方法及栅极的制造方法-CN200810105623.X无效
发明人：魏莹璐;居建华 -专利权人： 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种提高栅极侧壁氧化层厚度一致性的方法，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有包含多晶硅层的栅极，在所述多晶硅层中掺有杂质离子；对所述栅极执行原位水蒸气产生氧化工艺，在所述栅极侧壁形成氧化层；其中，所述的原位水蒸气产生氧化工艺中的温度为800至1500℃。本发明还提供一种栅极的制造方法。本发明能够提高栅极侧壁的氧化层的厚度一致性，且工艺较为简单。
提高栅极侧壁氧化厚度一致性方法制造

[发明专利]光刻胶用量检测方法和系统、数据分类采集系统-CN200810105622.5无效
发明人：杨光宇 -专利权人： 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种光刻胶用量的检测方法，包括：采集生产线上光刻胶喷洒的当前信息；根据所述当前信息判断当前喷洒的特征；获取与该当前喷洒相同特征的历史信息；将所述当前信息中的喷洒容量值与历史信息中的喷洒容量值进行求和计算，获得新的喷洒容量值；其中，所述当前信息与历史信息均至少包括：光刻胶名称、喷洒容量值和喷洒时间。本发明还提供一种光刻胶用量的检测系统以及一种数据信息的分类采集系统。能够分类获取光刻胶用量的实际用量值，便于检测生产线上光刻胶的实际使用量。
光刻用量检测方法系统数据分类采集

[发明专利]异常数据检验方法和装置-CN200810105628.2无效
发明人：杨斯元 -专利权人： 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：一种异常数据检验方法和应用该方法的检验装置，所述方法包括，将未经过滤的数据样本按照大小顺序进行排序，在所述数据样本中选择合适的百分位，计算与之对应的百位分数值，将计算结果作为所述数据样本的数值筛选限值，所述数据样本中数值大于数值筛选上限值或小于数值筛选下限值的数据为异常数据点。本发明通过改进对异常数据的检验方法，提高了检验精度，有助于提高产品良率、降低废片、减少生产成本，并实现了以往无法实现的对非正态分布类型数据的检验，提高了生产效率。
异常数据检验方法装置

[发明专利]金属互连结构的电阻模拟方法-CN200810105629.7无效
发明人：彭兴伟 -专利权人： 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种金属互连结构的电阻模拟方法，包括：选定第一类互连结构，所述第一类互连结构具有碟形凹陷；测算方块电阻值Rsh；选定第二类互连结构，所述第二类互连结构具有碟形凹陷，第二类互连结构与第一类互连结构的材料相同，宽度小于第一类互连结构的宽度，根据公式(1)计算DW的数值；根据公式(2)计算DWDISH的值；根据公式(3)以及计算出的DW，DWDISH，Rsh值。所述方法可以比较准确的模拟不同宽度的铜互连电阻。
金属互连结构电阻模拟方法

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