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[发明专利]可在室温下工作的单电子存储器及制备方法-CN02123969.X无效
发明人：孙劲鹏;王太宏 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2002-07-11 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用单壁碳纳米管和MOSFET设计的单电子存储器及其制备方法，该器件包括：硅衬底，其表面是一层二氧化硅绝缘层，在其上制备出具有分裂栅结构的场效应晶体管和电极；还包括具有量子点结构的单壁碳纳米管；所述的场效应晶体管的分裂栅由一个中心栅和位于中心栅两侧，平行排列的两个外栅组成，并且由位于二氧化硅绝缘层之上的导电材料层形成；在外栅和中心栅下方对应的硅衬底中，通过掺杂形成p型导电沟道，导电沟道两侧是经重掺杂分别形成的一个n型的源极和一个漏极；所述的电极与分裂栅方向垂直设置；碳纳米管的两端分别与中心栅和电极相接触。它具有分裂栅结构，降低了工作时需要的电子数目，本实用新型单电子存储器可以在室温下实现信息低功耗超高密度存储。
室温工作电子存储器制备方法

[发明专利]具有高集成度的单电子存储器及其制备方法-CN02123970.3无效
发明人：孙劲鹏;王太宏 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2002-07-11 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及具有高集成度的单电子存储器及制备方法，包括：以硅作为衬底，其表面氧化形成二氧化硅绝缘层，在其上设置栅极、电极和数据线引脚；其中两个电极、一个栅极和数据线引脚，是由位于二氧化硅绝缘层上的导电层形成的；两个电极具有一定的间距；一碳纳米管在两个电极之上，与两个电极欧姆接触；栅极位于两个电极的一侧；并在衬底的另一边设置数据线引脚；另一根碳纳米管在栅极和数据线引脚之上，并与两者欧姆接触；碳纳米管上有两个隧穿结，二者之间形成碳纳米管上的一个量子点。该方法制备出的量子点可以在室温下出现库仑阻塞现象，因此器件可在室温下工作，通过测量碳纳米管晶体管的电流可以实现存储器数据的读出。
具有集成度电子存储器及其制备方法

[发明专利]碳纳米管式集成场效应管及其制备工艺-CN02123860.X无效
发明人：赵继刚;王太宏 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2002-07-05 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用碳纳米管能够实现场效应管的集成及其制备工艺；该集成场效应管是在绝缘层上制作相间的栅极和电极，将一根超长碳纳米管放置于其上；在一些栅极上通一定值恒压，使超长碳纳米管部分截止；其效果等效为若干个碳纳米管场效应管，实现了碳纳米管场效应管集成；其制备工艺是将碳纳米管放置在绝缘层的栅极和电极上，制成集成场效应管；本发明的结构简单、易于制作和集成。
纳米集成场效应及其制备工艺

[发明专利]碳纳米管“或否”逻辑器件-CN02123861.8无效
发明人：赵继刚;王太宏 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2002-07-05 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管“或否”逻辑器件，它包括以Si作为衬底，该衬底上设有SiO₂氧化层，在Si衬底的SiO₂绝缘层上设置碳纳米管、栅极和电极；所述的栅极包括两个独立的栅极，在位于Si衬底上SiO₂绝缘层中彼此相邻的两条沟槽之中沉积的Al，并经表面氧化形成的Al₂O₃绝缘层构成，栅极的绝缘层厚度小于3纳米；所述的电极包括两个独立的电极，位于Si衬底上SiO₂绝缘层和碳纳米管之上，或碳纳米管之下；一根碳纳米管平直放置在SiO₂绝缘层的表面上，与栅极的Al₂O₃绝缘层表面以及电极的贵金属层表面相接触。一个电极加恒定偏压，另一电极为输出端，利用两个栅极控制碳纳米管截止或导通，从而实现了逻辑“或否”功能。与其它碳纳米管“或否”逻辑器件相比，本发明结构简单，且易于制作。
纳米逻辑器件

[发明专利]碳纳米管逻辑“或”门器件及其制备方法-CN02123862.6无效
发明人：赵继刚;王太宏 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2002-07-05 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管逻辑“或”门器件及其制备工艺；该器件包括衬底，在衬底上设绝缘层、碳纳米管、栅极、电极及电阻；在绝缘层上的沟槽内设两栅极，在两栅极两侧的绝缘层上的沟槽内设两电极；一碳纳米管与栅极和电极接触；两电极中的一电极接地，另一电极通过电阻与一恒压相连。利用两个栅极控制碳纳米管截止或导通，从而实现逻辑“或”功能；与其他碳纳米管逻辑电路相比，本发明逻辑“或”门电路结构简单，且易于制作和集成。
纳米逻辑器件及其制备方法

[发明专利]利用碳纳米管制作的逻辑“非”门器件-CN02123863.4无效
发明人：赵继刚;王太宏 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2002-07-05 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用碳纳米管制作的“非”门逻辑器件，该逻辑器件包括一Si衬底，该衬底上有一SiO₂绝缘层，在Si衬底上设置单壁碳纳米管、一个栅极和电极；其特征在于：所述的栅极位于Si衬底上SiO₂绝缘层中的一条沟槽之中沉积的Al，并经表面氧化形成的Al₂O₃绝缘层组成；所述的电极包括两个平行于栅极设置在栅极两侧，该电极设置在单壁碳纳米管之下或位于单壁碳纳米管之上；一根单壁碳纳米管放置在SiO₂绝缘层的表面上，与栅极的Al₂O₃绝缘层表面和电极的贵金属层表面相接触，第一电极联接恒压源，栅极为输入端。利用栅极控制碳纳米管截止或导通，从而实现了逻辑“非”功能。与其它碳纳米管逻辑器件相比，本发明逻辑“非”门器件结构简单，且易于制作和集成。
利用纳米制作逻辑器件

[发明专利]利用碳纳米管制作的随机存储器及制备方法-CN02123864.2无效
发明人：赵继刚;王太宏 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2002-07-05 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管随机存储器，包括以Si作为衬底，该衬底上有SiO₂绝缘层、碳纳米管、栅极和电极；栅极位于Si衬底上SiO₂绝缘层中的一条沟槽之中，其内沉积Al及经表面氧化形成的Al₂O₃绝缘层，栅极并与一电阻相连接，该电阻与恒压源相连接；电极平行于栅极，并在栅极两侧设置碳纳米管之上或之下，其中第一电极接地，第二电极与开关相连接，同时栅极与第二电极在衬底上短路相连；一根碳纳米管垂直于栅极和两个独立的电极，平直放置在SiO₂绝缘层的表面上，并与Al₂O₃绝缘层表面和电极表面相接触。利用栅极控制碳纳米管截止或导通状态，并且保持碳纳米管的这种状态，从而实现了容量为1bit的信息存储。本发明结构简单，且易于制作和集成。
利用纳米制作随机存储器制备方法

[发明专利]具有单壁碳纳米管结构的“与”门逻辑器件及其制作方法-CN02123865.0无效
发明人：赵继刚;王太宏 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2002-07-05 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种以单壁碳纳米管为基础的“与”门逻辑器件，该逻辑器件由一单壁碳纳米管、两个独立的栅极和三个独立的栅极构成。中间电极加恒定偏压并作为输出端，另外两个电极接地。利用两个栅极为输入端，用来控制单壁碳纳米管截止或导通，从而实现了逻辑“与”运算。与其它单壁碳纳米管逻辑电路相比，本发明结构简单，且易于制作。
具有单壁碳纳米结构逻辑器件及其制作方法

[发明专利]超短脉冲啁啾光参量激光放大器-CN00105432.5无效
发明人：许祖彦;徐瑶;陈毓川;汪家升;房晓俊;齐俊杰;梁晓燕 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2000-03-28 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种参量激光放大器，特别是涉及啁啾飞秒光参量激光放大器。本发明由空心柱透镜或半边柱透镜、非线性激光晶体、泵浦光源和啁啾光脉宽压缩器构成飞秒光参量放大器。本发明结构简单，价格便宜，实用性强。
超短脉冲啁啾参量激光放大器

[发明专利]大功率半导体激光变频装置-CN02121545.6无效
发明人：许祖彦;姚爱云;林学春;崔大复;李瑞宁;冯衍;毕勇;汪家升;张鸿博 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2002-06-25 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01S3/0941 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率半导体激光变频装置，该装置包括电源、泵源、激光晶体和由腔镜组成的谐振腔；其中泵源放在谐振腔中，激光晶体安置在泵源与作为输出光用的腔镜之间，电源与泵源电连接；其特征是：所述的泵源是一由电源泵浦的量子阱半导体激光器芯片列阵，该量子阱半导体激光器芯片列阵的外侧镀有在泵源输出的波段高反的膜作为谐振腔的另一块腔镜。该装置采用量子阱半导体激光器芯片列阵泵浦光学晶体，产生新的激光振荡或进行频率变换，克服了传统半导体激光器倍频效率低、输出激光功率小的缺点，并且结构简单，可实现高效、高功率、高光束质量的激光输出。
大功率半导体激光变频装置

[发明专利]大功率全固态双共振和频蓝光激光装置-CN02121145.0无效
发明人：李瑞宁;许祖彦;林学春;崔大复;王桂玲;毕勇;姚爱云;冯衍;汪家升;张鸿博;巩华荣;张杰;徐贵昌 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2002-06-11 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率全固态双共振和频蓝光激光装置，包括在光路上依次安置泵光源，泵光源安置在一块谐振腔镜的前方从端面泵浦激光晶体，谐振腔镜设置成一激光谐振腔；并在谐振腔镜形成的谐振腔内依次安置激光晶体、倍频晶体；还包括在激光谐振腔内的激光晶体与倍频晶体之间的光路上设有一色散补偿元件，在倍频晶体后的光路上安置一和频晶体，在谐振腔镜输出的光路上按布氏角安置一分光棱镜；所述光学元件固定在光学具座上，光学具座固定在光学平台上。该装置采用双共振组成单通或双通和频光路，克服了原有技术采用准三能级难于镀膜和难于散热的缺点，并且结构简单，其功率可达几瓦到几十瓦，实现了高效、大功率的蓝光输出。
大功率固态共振频蓝光激光装置

[发明专利]复合量子点器件及制备方法-CN02123459.0无效
发明人：竺云;王太宏 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2002-06-28 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了复合量子点器件及其制备方法。该器件包括以高掺杂的导电的GaAs作为衬底，利用分子束外延方法在其衬底上按顺序制备出掺杂的缓冲层、半导体GaAs隔离层、InAs量子点层和在InAs量子点层上覆盖一层薄的GaAs盖冒层，在衬底的盖冒层表面制备出电极，在衬底背后沉积AuGeNi作为器件背栅；还包括在缓冲层上制备一层AlGaAs/GaAs超晶格势垒层、一层δ－Si掺杂层；该器件采用常规方法制备，它由量子点、二维电子气和薄的肖特基隧穿垒层等结构构成的一种复合量子点器件，具有发光、光探测、开光、放大和存储等多种功能，可分别用作发光管、光探测器、隧穿二极管、场效应晶体管和存储器等，也可用作它们之间的一种组合。具有性能稳定、可控和应用广等优点。
复合量子器件制备方法

[发明专利]利用碳纳米管设计的非挥发性随机存储器及制备方法-CN02120849.2无效
发明人：孙劲鹏;王太宏 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2002-06-05 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用碳纳米管制备的非挥发性随机存储器及制备方法，包括上下两层碳纳米管构成的阵列，每一层碳纳米管是一组平行的单壁碳纳米管，上下两层的碳纳米管之间相互垂直但不发生接触，两层碳纳米管的每个交叉结点构成存储器的一个存储单元。本发明公开了在制备该存储器的过程中各重要参数的取值原则和器件具有最优存储特性时的工作条件，解决了传统存储器在高密度集成中所遇到散热、功耗和稳定性等方面的问题。
利用纳米设计挥发性随机存储器制备方法

[发明专利]量子点器件的三端电测量方法-CN02123464.7无效
发明人：竺云;王太宏 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2002-06-28 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种量子点器件的三端电测量方法，其测量方法是利用在量子点表面形成一薄肖特基接触，在量子点层上设三电极，其中一电极接地，一电极施加恒定偏压，另一电极施加扫描电压，由测量仪器测出在恒定偏压条件下的另一电极上扫描电压对应的电流Log曲线，由其计算出量子点隧穿电阻和量子点二维电子气电阻；本发明可全部测出量子点器件的各具体量，从而可用来判断量子点的密集程度、分布的均匀性和量子点大小的涨落，也可判断二维电子气的浓度和迁移率的高低，还可指导进一步完善器件结构，提升器件性能。
量子器件三端电测量方法

[发明专利]利用碳纳米管制备的单电子存储器及制备方法-CN02120848.4无效
发明人：孙劲鹏;王太宏 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2002-06-05 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单电子动态随机存储器件及其制备方法。该器件以硅作为衬底，在该衬底上有一个氧化硅绝缘层，在该氧化硅绝缘层上的金属或多晶硅层中刻蚀加工而成一根纳米线，该纳米线一端是数据线引脚，纳米线的两侧有两个与纳米线两边平行的控制栅存储单元为纳米线比控制栅长的部份，并伸入到碳纳米管晶体管的两电极之间。通过控制几十个甚至几个电子就可以实现存储器的正常工作，并且不受随机背景电荷的影响，解决了传统存储器发展中所面临的稳定性、功耗、散热和栅极漏电电流等若干方面的问题，可以实现低功耗下信息的超高密度存储。
利用纳米制备电子存储器方法