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- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210990570.4在审
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上田岳洋
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瑞萨电子株式会社
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2022-08-18
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2023-03-03
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H01L27/06
- 本公开涉及半导体器件及其制造方法。本发明抑制了制造成本的增加并且降低了开关噪声。一种场效应晶体管具有嵌入在半导体衬底的上表面中的沟槽中的栅极电极、形成在半导体衬底中的源极区、以及形成在半导体衬底的下表面上的漏极区，该场效应晶体管被提供有：形成在半导体衬底上并且电连接到栅极电极的栅极布线、形成在半导体衬底上的栅极焊盘、连接在栅极焊盘与栅极布线之间并且被配置为在场效应晶体管导通时起作用的第一电阻器、连接在栅极焊盘与栅极布线之间并且被配置为在场效应晶体管关断时起作用的第二电阻器、以及被包括在栅极焊盘与栅极布线之间的第一电阻器或第二电阻器中的整流二极管。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体器件-CN200710112177.0有效
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上田岳洋
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恩益禧电子股份有限公司
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2004-08-06
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2007-12-05
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H01L23/525
- 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的绝缘层；熔丝元件；第一导电板，以及第一和第二导电壁，其中所述熔丝元件包括其间流过所述电流的第一和第二终端以及形成在所述第一和第二终端之间的体，并且所述第一导电板完全覆盖所述熔丝元件的至少所述体，以及其中所述绝缘层包括第一和第二绝缘膜，所述熔丝元件形成在所述第一和第二绝缘膜之间，所述第一和第二导电壁的每个包括形成在所述第一和第二绝缘膜之间的第一部分，以及其中所述第一部分由与所述熔丝元件相同的材料构成，并且具有与所述熔丝元件相同的厚度。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体器件-CN200610002481.5无效
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上田岳洋
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恩益禧电子股份有限公司
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2006-01-26
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2006-11-01
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H01L27/02
- 本发明提供了一种半导体器件。图2所示的熔丝外围电路具有：熔丝(10)、电位差给予电路(20)、电位差减小电路(30)、端子(40)、存储器电路(50)、传输门(60)以及逻辑门(70)。电位差给予电路(20)被构造为具有：传输门(22)，即第一传输门；端子(24)，即第一端子；以及端子(26)，从而当判断熔丝(10)的断开时，电位差给予电路(20)给予熔丝(10)的两端的之间的预定电位差。电位差减小电路(30)被构造为具有：传输门(32)，即第二传输门；端子(34)，即第二端子；以及端子(36)，并且减小由上述电位差给予电路(20)施加的熔丝(10)的两端之间的电位差。
- 半导体器件
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