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[发明专利]GaN器件及其制备方法-CN202311120237.9在审
发明人：张安邦 -专利权人： 上海新微半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN器件及其制备方法，通过形成具有不同功函数的第一栅金属电极及第二栅金属电极，且使得第二栅金属电极位于具有较大功函数的第一栅金属电极的外围，从而可使得GaN器件具有不同的微区栅控能力，构成具有不同局部阀值电压的GaN器件，以使得GaN器件的gm‑VGS特性曲线中的峰值区间展宽，提升GaN器件的线性度。
gan 器件及其制备方法

[实用新型]一种分子束外延设备中的衬底托板-CN202320519270.8有效
发明人：赵旭熠;许东;王玮竹;尚金铭;唐天义 -专利权人： 上海新微半导体有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种分子束外延设备中的衬底托板，将晶圆衬底通过卡槽固定，可以缩小晶圆衬底与衬底托板的接触面积，从而扩大了分子束外延工艺过程中晶圆衬底的可利用面积，还可以提升外延生长过程中，晶圆衬底边缘的热均匀性，从而提高晶圆生长良率；此外，由于组成内环的第一半圆环与第二半圆环之间设置有一定宽度的缝隙，从而可以兼容原始晶圆衬底存在的加工误差，并能够进一步限制晶圆衬底在生长过程中的滑动，以减少分子束外延工艺过程中在晶圆边缘产生的划痕和污染，从而提高分子束外延产品的生长良率。
一种分子外延设备中的衬底

[发明专利]射频芯片在片测试的去嵌结构、方法、存储介质及终端-CN202310451463.9在审
发明人：陈坤;马灵美;吴亮;袁其响;许东 -专利权人： 上海新微半导体有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种射频芯片在片测试的去嵌结构、方法、存储介质及终端，包括：基于第一、第二微带线测试结构的T参数得到测试夹具的直通T参数，并转换为测试夹具的直通S参数；测试负载测试结构，分别得到待测件两侧的测试夹具的反射系数；基于待测件两侧的测试夹具的反射系数、负载的本征S参数及测试夹具的直通S参数求解得到待测件两侧的测试夹具的S参数；通过矩阵转换得到待测件两侧的测试夹具的T参数；基于待测件的测试结构的T参数、待测件两侧的测试夹具的T参数求解待测件的本征T参数，并转换为待测件的本征S参数。本发明没有假设和等效，没有引入额外误差源，去嵌入精度高；适用于非对称夹具去嵌，待测芯片可为任意形式，应用前景好。
射频芯片测试结构方法存储介质终端

[发明专利]赝配高电子迁移率晶体管、外延结构及制备方法-CN202210994932.7有效
发明人：尚金铭;王玮竹;许东 -专利权人： 上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种赝配高电子迁移率晶体管、外延结构及制备方法，复合缓冲层可以在较短生长时间内充分的阻止衬底的缺陷向沟道延伸，增强器件质量；InGaAs复合沟道层In组分和各层厚度渐变，以最大限度的增加InGaAs沟道内In的含量，形成良好的二维电子气限制，从而提高二维电子气浓度和迁移率，进而增强器件质量；脉冲掺杂层中引入AlAs薄层和GaAs材料生长速率的变化还可以提高Si的掺杂效率，有效地减少杂质的吸附进一步提高沟道中二维电子气浓度；通过使用生长中断方法生长复合缓冲层以及复合沟道层，以实现不同材料的高质量生长，实现各层之间带隙的平滑过渡，从而减少界面粗糙散射和合金无序散射，进一步提高沟道层中二维电子气浓度，进而增强器件的性能。
赝配高电子迁移率晶体管外延结构制备方法

[发明专利]一种集成电容器及其制备方法-CN202211436445.5在审
发明人：雷嘉成;彭昊炆;许东 -专利权人： 上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电容器及其制备方法，该集成电容器包括衬底、介电层、下极板层、第一介质层、凹槽、第二介质层及上极板层，其中，介电层覆盖衬底上表面；下极板层位于介电层的上表面，下极板层沿X方向的长度小于介电层沿X方向的长度；第一介质层中设有凹槽，第一介质层覆盖凹槽两侧介电层的上表面及下极板层的显露表面，凹槽位于下极板层上方，凹槽底面显露出下极板层的上表面；第二介质层覆盖第一介质层上表面及凹槽的内壁和底面；上极板层位于第二介质层的上表面，且上极板层填充凹槽。本发明通过形成位于第一介质层中的凹槽之后，再依次形成第二介质层及填充凹槽的上极板层，避免了形成凹槽时损伤第二介质层，简化了器件结构。
一种集成电容器及其制备方法

[发明专利]基于SOI和III-V半导体的混合集成可调谐激光器-CN202210837367.3有效
发明人：陈熙;许东 -专利权人： 上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SOI和III‑V半导体的混合集成可调谐激光器，包括SOI半导体结构及III‑V族半导体结构，SOI半导体结构包括交叉SOI波导区、第一SOI波长选择反射区、第二SOI波长选择反射区及端面反射区；III‑V族半导体结构包括第一波导耦合区、III‑V波导增益区、第二波导耦合区、第三波导耦合区及III‑V族转镜区。本发明将SOI半导体结构与III‑V族半导体结构相结合，可分别利用III‑V半导体实现有源增益的功能，以及硅光子基于集成电路平台先进工艺制备能力，对可调谐激光器各部分的功能区进行相对独立的控制，以提供尺寸小、易集成、成本低，宽波段波长调谐的可调谐激光器，且使得可调谐激光器在集成光电子领域和光通信领域有广阔的应用前景。
基于 soi iii 半导体混合集成调谐激光器

[发明专利]一种半导体器件结构及其制备方法-CN202211677819.2在审
发明人：郭德霄;许东;雷嘉成;刘胜北;彭昊炆 -专利权人： 上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，器件结构包括：衬底层、器件外延层、场板介质层、负电容介质层、栅极层、场板电极；场板介质层设置于器件外延层上，负电容介质层设置于场板介质层上，栅极层设置于场板介质层和负电容介质层的第一侧，且栅极层自该第一侧朝第二侧延伸以至少覆盖部分负电容介质层，以形成场板电极。本发明通过在场板电极与场板介质层之间设置负电容介质层，引入了负电容结构，从而在产生等量电荷的情况下需要更少的输入能量，平衡了GaN基HEMT器件引入场板电极产生的附加电容，在保持场板电极带来的高击穿电压和高使用寿命的同时，缩短了充放电时间，提高了器件开关速度，优化了GaN基HEMT器件的开关特性和频率特性。
一种半导体器件结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件结构及其制备方法-CN202211354658.3在审
发明人：沈硕珩;许东 -专利权人： 上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，所述半导体器件结构包括：衬底层、生长阻挡层、外延结构；衬底层的材料为(110)单晶硅；衬底层设置多个相间的凹槽，生长阻挡层覆盖凹槽的第一侧壁，外延结构覆盖凹槽的第二侧壁并突出于凹槽形成脊形外延部。本发明通过使用(110)单晶硅，使外延结构可以在侧壁生长有效的外延面，改善器件在晶圆上的空间利用率，提高单位晶圆可容纳的HEMT器件密度；同时利用(110)单晶硅上的外延生长结构，使脊形外延部可以与衬底层没有接触，从而降低层间应力产生位错的概率，降低器件对缓冲层的依赖；另外通过侧壁选区外延生长技术，降低了外延结构外延生长产生的位错密度，改善器件外延结构质量。
一种半导体器件结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202211677778.7在审
发明人：王玮竹;许东;沈硕珩;江灵荣;任芳;尚金铭 -专利权人： 上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括：于衬底层上设置介质层；于所述介质层形成多个凹槽；于凹槽内设置成核层，成核层和介质层形成复合层；于复合层上生长金刚石层；去除衬底层，以显露出复合层；于复合层的表面设置三五族化合物层。本发明通过在金刚石层上间隔设置介质层和成核层构成的复合层，复合层作为三五族化合物层生长的成核层，同时利用间隔的成核层横向外延时湮灭位错，降低了垂直外延产生的位错密度，从而形成以金刚石为基底的低缺陷密度的高质量三五族化合物层及其构成的HEMT器件。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202211513199.9在审
发明人：郭德霄;许东;刘胜北;雷嘉成;彭昊炆 -专利权人： 上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。该高电子迁移率晶体管中，势垒层位于非栅极区域的部分中掺杂有硅离子，势垒层位于栅极区域的部分中则未掺杂有硅离子或者仅有扩散的少量硅离子，从而可以在维持器件的较高阈值电压的情况下，大大提高沟道层内的二维电子气的浓度，继而降低导通电阻，有效缓解器件的阈值电压和导通电阻二者相互制约的问题。此外，本发明中在势垒层内掺杂的是硅离子，而硅离子的掺杂工艺更容易控制、精度更高，有利于提高所形成的器件稳定性。
电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202211513212.0在审
发明人：雷嘉成;许东;彭昊炆 -专利权人： 上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。该制备方法中，在形成P型掺杂层后，利用退火工艺促使P型掺杂层中的P型离子在栅极区域向下扩散至势垒层中，从而可提高器件的阈值电压。此外，还有利于增大势垒层中的铝镓氮层内铝的组份，并可进一步增大势垒层的厚度，进而能够降低器件的导通电阻，有效缓解了器件的阈值电压和导通电阻二者相互制约的问题。
电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种集成电容器及其制备方法-CN202211435807.9在审
发明人：雷嘉成;许东;彭昊炆 -专利权人： 上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电容器及其制备方法，该集成电容器包括衬底、介电层、下极板层、第一介质层、第二介质层、接触孔、焊垫及上极板层，其中，介电层覆盖衬底上表面；下极板层位于介电层上表面，在X方向下极板层的长度小于介电层的长度；第一介质层覆盖下极板层显露表面；第二介质层覆盖第一介质层上表面；接触孔位于下极板层上方的第二介质层中且底面显露出下极板层；焊垫覆盖接触孔内壁及底面并与下极板层电连接，上极板层位于下极板层上方的第二介质层的上表面，上极板层与焊垫间隔设置。本发明通过低温形成覆盖下极板层的第一介质层之后形成高温工艺的第二介质层，避免了炉管的污染下极板层有效面积变化，降低了维护炉管频率及维护成本。
一种集成电容器及其制备方法

[发明专利]一种边发射半导体激光器及其制备方法-CN202211095216.1在审
发明人：徐超;方瑞禹;李耀耀;鲍辉;许东 -专利权人： 上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供一种边发射半导体激光器及其制备方法，该边发射半导体激光器包括半导体层、介电层、第一导热层、第二导热层、顶电极及翼型散热层，其中，半导体层包括衬底、外延层、脊波导及凹槽，外延层位于衬底的上表面，凹槽位于外延层上表层且开口向上，凹槽位于脊波导沿X方向的两侧，介电层覆盖半导体层的上表面，且设有位于脊波导顶面的电极开口，第一导热层位于电极开口与腔面之间并与电极开口间隔设置，第二导热层覆盖第一导热层与腔面之间的脊波导，翼型散热层位于第一导热层的上表面，顶电极填充电极开口。本发明通过于腔面处设置翼型散热层以增大散热面积、减少产热量，提升了器件的散热能力。
一种发射半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种多波长半导体激光器及其制备方法-CN202211095396.3在审
发明人：徐超;方瑞禹;许东 -专利权人： 上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明提供一种多波长半导体激光器及其制备方法，该多波长半导体激光器包括衬底、第一叠层结构、光栅层、第二叠层结构、脊波导及介电层，其中，第一叠层结构位于衬底上表面，包括依次层叠的第一导电类型包层、第一导电类型波导层、量子阱层、第二导电类型波导层、下包层、停止层及上包层；多个光栅层位于上包层上表面并沿X方向排列；第二叠层结构位于光栅层上表面并包括向上依次堆叠的第二导电类型外延包层及第二导电类型接触层；多个脊波导沿X方向间隔设置；介电层覆盖脊波导侧壁及停止层上表面。本发明通过在上包层的沿X方向上设置多个不同光栅周期的光栅层，一个光栅层对应一个脊波导，实现多波长激光的发射，抑制了散斑效应。
一种波长半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件结构及其制备方法-CN202211291561.2在审
发明人：王玮竹;许东;沈硕珩;江灵荣;任芳;尚金铭 -专利权人： 上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构包括：衬底层、埋氧层、第一基层、第二基层、第一器件结构和第二器件结构，第一基层上设置三五族化合物半导体层，第一器件结构基于三五族化合物半导体层形成，第一基层材料为金刚石薄膜。本发明通过在单片集成单元中采用金刚石作为三五族化合物器件的基底，提高了三五族化合物器件与其他器件之间的电绝缘隔离性能，减少寄生器件或漏电流，提高单片集成单元的可靠性；同时金刚石作为三五族化合物器件的基底，提高三五族化合物器件的散热效率，加强单片集成单元在大功率器件领域的应用适应性。
一种半导体器件结构及其制备方法

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