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[发明专利]一种多类型器件单粒子效应统筹监测系统及监测方法-CN202010578602.0有效
发明人：李悦;朱翔;马英起;陈睿;上官士鹏;韩建伟 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明属于单粒子效应测试技术领域，具体涉及一种多类型器件单粒子效应统筹监测系统，包括：设置在测试间的上位机、设置在辐照间的多类型器件单粒子效应监测模块和辐照源；所述多类型器件单粒子效应监测模块包括：综合测试单元、实验单元和母板单元；所述综合测试单元，用于根据接收到的上位机指令，对实验单元中的每个待测器件的单粒子效应进行循环检测，并将检测得到的每个待测器件的单粒子翻转次数、单粒子锁定次数以及循环检测次数以日志形式打包成测试数据，并将该测试数据及其对应的待测器件信息，发送至上位机；所述上位机，用于接收每个待测器件的测试数据及其对应的待测器件信息，并将其进行图形界面显示。
一种类型器件粒子效应统筹监测系统方法

[发明专利]一种基于连续激光源的集成电路失效定位系统及方法-CN202111576967.0在审
发明人：陈睿;韩建伟;杨涵;陈钱;梁亚楠;马英起;上官士鹏;朱翔;李悦 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于连续激光源的集成电路失效定位系统及方法，包括：基于红外激光器照射待测电路样品，获取所述待测电路样品的扫描数据；基于红外相机对所述待测电路样品进行拍照，获取电路布局图；将所述扫描数据与所述电路布局图进行对照，获得失效定位点。本发明解决了集成电路阻性失效的失效点定位问题，实现了集成电路阻性失效和晶体管栅极破损的精确、快速定位。提高了集成电路失效定位的测试效率和定位精度，为集成电路失效分析的研究提供了技术支持。
一种基于连续激光集成电路失效定位系统方法

[发明专利]一种用于检测半导体器件硬缺陷故障点的定位装置及方法-CN202110761209.X有效
发明人：韩建伟;刘鹏程;马英起;朱翔;上官士鹏 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种用于检测半导体器件硬缺陷故障点的定位装置及方法，装置包括光源模块、光学模块、物镜、信号提取系统、三维移动台、移动台控制箱、控制计算机；方法包括采集物镜焦点处被测器件的红外显微图像,并记录该图像对应的物镜焦点坐标以及坐标点的频率信号强度，获得频率强度分布图；通过将红外显微图像和频率强度分布图进行叠加，获得信号强度分布图；通过分析信号强度分布图，定位被测器件上硬缺陷故障点的位置；本发明用于Flip‑Chip封装的集成电路进行故障点定位以及集成电路内部的扫描链电路全功能的故障点定位，同时适用于短路、漏电、观察微小失效如晶体管击穿、铝硅互熔短路和介质层裂纹这几种失效模式并且定位准确。
一种用于检测半导体器件缺陷故障定位装置方法

[发明专利]一种GaN功率器件单粒子效应脉冲激光试验方法-CN202110760925.6有效
发明人：马英起;崔艺馨;韩建伟;上官士鹏;王英豪 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN功率器件单粒子效应脉冲激光试验方法，利用GaN功率器件单粒子效应的单、双光子吸收机制脉冲激光等效重离子评价技术，创新采用理论与试验相结合的技术方法；以GaN功率器件为典型应用示范，针对宽禁带器件单粒子效应的试验要求，形成脉冲激光正面、背部辐射GaN样品沉积有效能量和等效LET值的理论模型，明确激光定量评估试验的表征方法和依据；进行单粒子效应敏感度的激光和重离子比对试验，确定器件的激光有效能量与重离子LET值的对应关系。本发明方法能够作为重离子实验的重要补充，降低实验成本，提高实验效率及准确性，为实际应用中抗辐射器件的选用及抗辐射加固设计提供测试参考。
一种 gan 功率器件粒子效应脉冲激光试验方法

[发明专利]用于半导体器件瞬态辐射感生电荷的测量方法、系统及装置-CN202111264358.1在审
发明人：陈睿;韩建伟;李赛;陈钱;梁亚楠;马英起;上官士鹏;朱翔;李悦;王璇 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了用于半导体器件瞬态辐射感生电荷的测量方法、系统及装置，方法包括将半导体测试器件固定在测试区域并通过直流电压源为半导体测试器件进行供电，通过辐照源诱发半导体测试器件产生感生信号；通过移动半导体测试器件，获取半导体测试器件发生单粒子瞬态脉冲信号的敏感位置，固定辐照源的入射位置，改变辐照源的入射能量，采集不同能量下的第一辐射感生信号；固定入射位置和入射能量，通过改变直流电压源的电压，采集不同电压下器件的第二辐射感生信号；根据第一辐射感生信号和第二辐射感生信号，获取半导体测试器件的瞬态辐射感生电荷，本发明根据上述方法对应设计了实现系统和装置，从而为半导体器件的抗辐射加固设计提供依据。
用于半导体器件瞬态辐射感生电荷测量方法系统装置

[发明专利]一种激光探测集成电路内部电平状态的系统-CN202110243216.0有效
发明人：马英起;刘鹏程;韩建伟;朱翔;上官士鹏 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光探测集成电路内部电平状态的系统，包括：连续激光器、光学模块、物镜、三维移动台、测试机、光电探测器、放大器、信号分离器、信号提取器、控制计算机、移动台控制箱；本发明利用激光穿过芯片背部硅衬底无损直接探测其内部节点电平状态，时间分辨率高，可大面积二维扫描芯片，采用基于硅基半导体器件固有不对称性的共光路探测方案，能实现集成电路内部特定频率工作点的定位和电平状态变化波形提取。
一种激光探测集成电路内部电平状态系统

[发明专利]半导体器件瞬态剂量率效应激光模拟装置及评估系统-CN202110255495.2有效
发明人：马英起;陈钱;韩建伟;朱翔;上官士鹏 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件瞬态剂量率效应激光模拟装置及评估系统，包括：激光产生和控制模块、光路模块、检测模块、载物模块和上位机；激光产生和控制模块，用于产生脉冲激光，并对脉冲激光往光学模块传播进行控制；光路模块，用于调制激光产生和控制模块输入的脉冲激光，对激光光斑进行调节控制和测量，对激光能量进行调节控制和测量，将调制后的脉冲激光辐照到半导体器件上；检测模块，用于对半导体器件进行供电和功能测试以及辐照后的电学参数测量。采用本发明技术方案，可以提高激光模拟的准确性，同时可以对激光模拟瞬态剂量率效应进行定量评估。
半导体器件瞬态剂量率效应激光模拟装置评估系统

[发明专利]一种器件单粒子效应薄弱点测绘甄别装置及方法-CN201910634349.3有效
发明人：朱翔;韩建伟;李悦;马英起;陈睿;上官士鹏 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明提出一种器件单粒子效应薄弱点测绘甄别装置及方法，所述装置包括：上位机控制模块(11)、单粒子翻转检测组件(13)、被测器件承载器(14)、三维移动平台(15)、可控脉冲激光发射器(16)、CCD组件(17)和工控机组件(12)；所述上位机控制模块(11)，用于将设置的移动位置区间和测试模式参数发送至工控机组件(12)；还根据工控机组件(12)采集到的故障数据进行显示并绘图，获得被测器件发生单粒子效应时的敏感性与敏感区域；所述工控机组件(12)，用于根据接收设置的参数形成移动控制指令，发送至单粒子翻转检测组件(13)以及控制三维移动平台(15)；还将单粒子翻转状态数据和CCD图像上传至上位机控制模块(11)。本发明能够对待测器件发生单粒子效应时的物理位置和时间进行测绘甄别。
一种器件粒子效应薄弱测绘甄别装置方法

[发明专利]一种密码芯片的安全检测方法及其装置-CN201711441238.8有效
发明人：朱翔;韩建伟;马英起;上官士鹏;李悦 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种密码芯片的安全检测方法，其包括：根据激光攻击策略，在一个或多个第一激光注入点处对密码芯片进行激光注入，该密码芯片生成一个或多个第一密文；对其进行分析，在该一个或多个第一激光注入点中筛选出符合该激光攻击策略的一个或多个第二激光注入点；该一个或多个第一密文分别与该一个或多个第一激光注入点相关联；在不同的激光触发时间，在该一个或多个第二激光注入点处对该密码芯片进行激光注入；从该密码芯片生成的一个或多个第二密文中筛选出符合不同的激光触发时间的一个或多个第三密文；该一个或多个第二密文与该一个或多个第二激光注入点相关联；以及根据该一个或多个第三密文进行密钥分析，得出恢复密码芯片的密钥。
一种密码芯片安全检测方法及其装置

[发明专利]激光微束背部辐照芯片试验的聚焦平面定位装置及方法-CN201510347659.9有效
发明人：马英起;韩建伟;封国强;姜昱光;上官士鹏;余永涛;朱翔;陈睿 -专利权人：中国科学院空间科学与应用研究中心
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明提供了激光微束背部辐照芯片试验的聚焦平面定位装置，用于对被测器件进行聚焦平面定位，所述装置包括试验用激光源(1)、聚焦光路调节模块(2)、成像CCD模块(3)、三维移动台(4)及三维移动台控制模块(5)；所述试验用激光源(1)用于发射固定参数的脉冲激光；所述聚焦光路调节模块(2)用于对所述试验用激光源(1)发射的脉冲激光进行调节；所述成像CCD模块(3)用于对被测器件的激光反射光斑进行成像；所述三维移动台(4)用于放置被测器件试验电路板；所述三维移动台控制模块(5)用于接收所述成像CCD模块(3)输出的反射光斑成像信号，进行成像对比度检测后形成反馈信号指令，自动调节所述三维移动台(4)的位置。
激光背部辐照芯片试验聚焦平面定位装置方法

[发明专利]FPGA单粒子效应动态故障测试装置及方法-CN201410419050.3有效
发明人：朱翔;封国强;韩建伟;姜昱光;上官士鹏;马英起;陈睿;余永涛 -专利权人：中国科学院空间科学与应用研究中心
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种FPGA单粒子效应动态故障测试装置，包括控制电路模块(11)、上位机控制模块(12)、可控脉冲激光模块(15)以及三维移动模块(16)；其中，三维移动模块(16)在测试时用于安装待测试的被测FPGA器件(13)；上位机控制模块(12)与控制电路模块(11)连接，控制电路模块(11)连接到可控脉冲激光模块(15)，在测试时，控制电路模块(11)还分别连接到被测FPGA器件(13)以及与被测FPGA器件(13)所对应的对照FPGA器件(14)。
fpga 粒子效应动态故障测试装置方法

[发明专利]一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法-CN201510523492.7在审
发明人：封国强;马英起;韩建伟;上官士鹏;朱翔;陈睿 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法，首先，通过聚焦的激光垂直照射置于空气中的半导体器件；垂直移动半导体器件，调节激光的聚焦平面分别移至半导体器件的上表面和下表面，使得两个表面产生的反射光通过CCD相机接收后均形成清晰的光斑成像，然后记录两个位置的高度h₂和高度h₁；最后，利用公式h＝n·ΔZ计算得出半导体器件的厚度h，n表示半导体器件的材料折射率，ΔZ＝h₁-h₂。上述光学测量方法利用光在不同材料的界面处具有较强的反射原理，测量时将聚焦光束的焦平面分别定位于被测材料的两个界面处，得出聚焦光束定位距离ΔZ，从而计算得到被测材料的厚度h，无需增加膜厚测量设备，即可实现材料厚度的现场原位测量，降低了测量成本。
一种用于半导体器件材料厚度光学测量方法

[发明专利]一种暴露芯片衬底面的封装方法-CN201510524221.3在审
发明人：封国强;上官士鹏;韩建伟;马英起;朱翔;陈睿 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种暴露芯片衬底面的封装方法，该封装方法通过利用本发明所述的封装方法，能够在芯片封装过程中直接实现其衬底面的暴露处理，方便进行芯片的可靠性测试和失效分析；且能够保证芯片封装处理过程中芯片功能和结构不受影响。解决了现有的芯片处理方法，无法做到在封装的过程中打开芯片衬底面的功能。
一种暴露芯片衬底封装方法

[发明专利]一种用于半导体器件材料吸收系数的光学测量方法-CN201510524097.0在审
发明人：封国强;马英起;韩建伟;上官士鹏;朱翔;陈睿 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于半导体器件材料吸收系数的光学测量方法，包括：步骤1)测量半导体器件材料被测位置的厚度d及反射率R；步骤2)利用能量计分别测量照射于被测位置一面的光能量E₁和经被测位置另一面穿透的光能量E₂后，计算获得经被测位置一面反射后入射至材料内的光能量E₀＝E₁(1-R)，和穿透至被测位置另一面反射前的光能量E＝E₂/(1-R)；步骤3)利用公式E＝E₀e^-αd计算得到材料的吸收系数α。利用该光学测量方法能够实现材料吸收系数的现场原位测量，降低了测量成本。
一种用于半导体器件材料吸收系数光学测量方法

[发明专利]一种用于半导体器件材料反射率的光学测量方法-CN201510432217.4在审
发明人：封国强;马英起;韩建伟;上官士鹏;朱翔;陈睿 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于半导体器件材料反射率的光学测量方法，对于单一材料利用能量计分别测量入射于被测表面的入射光能量E₁和经被测表面反射的反射光能量E₁’后，计算获得在空气中的半导体器件材料反射率R₁＝E₁’/E₁，对于双层材料分别测量两种相接触的材料在空气中的反射率r₁和r₂后，根据材料界面处反射率公式和计算获得两种材料的折射率n₁和n₂，其中n₃表示空气的折射率，进而计算获得两种材料接触面处的反射率上述光学测量方法弥补了当前反射率测量方法仅限于平行光的问题，能够实现对不同聚焦程度光束的反射率测量。
一种用于半导体器件材料反射率光学测量方法

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