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[发明专利]图像传感器-CN202111042907.0在审
发明人：姜旋律;郑演焕;洪硕勇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：一种图像传感器，包括：像素阵列，其包括连接到在第一方向上延伸的行线和在与第一方向相交的第二方向上延伸的列线的多个像素；斜坡电压生成器，其被配置为输出斜坡电压；多个比较器，多个比较器中的每一个包括第一输入端子和第二输入端子，斜坡电压输入到第一输入端子，第二输入端子连接到列线之一；以及复制电路，其具有与比较器的一部分的结构相同的结构。比较器中的每一个包括：多个晶体管；第一自动调零晶体管，其连接到第一输入端子；第二自动调零晶体管，其连接到第二输入端子；以及布线，其连接到多个晶体管、第一自动调零晶体管和第二自动调零晶体管。
图像传感器

[发明专利]使用用于移动设备内的始终开启的应用的图像传感器-CN202110951736.7在审
发明人：罗伊·埃利佐夫;约尔·雅夫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：一种移动设备，包括应用处理器和图像传感器。应用处理器包括：成像子系统，被配置为处理通过第一接口的高分辨率图像数据；以及传感器集线器，被配置为处理通过第二接口的传感器数据。所述图像传感器在第一模式和第二模式中的一种模式下操作。在第一模式期间，图像传感器被配置为响应于来自成像子系统的请求而捕获高分辨率图像数据，并且成像子系统被配置为使用第一接口来访问高分辨率图像数据以执行第一操作。在第二模式期间，图像传感器被配置为捕获低分辨率图像数据，并且传感器集线器被配置为使用第二总线来访问低分辨率图像数据以执行第二操作。
使用用于移动设备始终开启应用图像传感器

[发明专利]成像元件和电子设备-CN201780011966.7有效
发明人：梶原悠;中沟正彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本技术涉及一种使像素能够灵活地共享电荷电压转换单元的成像元件和电子设备。成像元件包括像素阵列单元，像素阵列单元中布置有各自具有电荷电压转换单元和开关的像素，且多个所述像素的电荷电压转换单元经由各自的开关并行地连接至信号线。本技术例如应用于其中像素共享电荷电压转换单元的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。
成像元件电子设备

[发明专利]固体摄像器件、固体摄像器件操作方法、摄像装置和电子设备-CN201780042516.4有效
发明人：丹羽笃亲;熊谷央一;二见振一郎;博斯塔曼·阿纳斯;中沟正彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本发明涉及可以在不会使所有像素的摄像特性劣化的情况下以低功耗实现低分辨率图像的固体摄像器件、固体摄像器件操作方法、摄像装置和电子装置。浮动线连接分别针对各共用像素的设置在具有预定行数的各行中的浮动扩散(FD)，共用像素包括至少一个或多个像素，开关在FD和浮动线的连接与断开之间切换。根据分辨率，即低分辨率，通过开关执行FD和浮动线的连接与断开之间的切换。本发明适用于固体摄像器件。
固体摄像器件操作方法装置电子设备

[发明专利]受光设备和受光设备的信号读出方法-CN201880035324.5有效
发明人：须川成利;黑田理人 -专利权人：国立大学法人东北大学
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：提供兼顾实现了高饱和性能和高灵敏度性能的受光设备。具有受光像素，该受光像素具备：受光元件；第一电容元件(1)，其蓄积通过该受光元件接收光而产生的光电荷；第二电容元件(2)，该电容元件(1)中蓄积的光电荷的量的一部分被传输并蓄积到该第二电容元件(2)；开关单元(S)，其用于进行从所述电容元件(1)向所述电容元件(2)传输光电荷的光电荷传输动作的开启或关闭；复位用开关单元(R)，其用于将所述电容元件(1)和所述电容元件(2)复位；像素选择用开关单元(X)；以及源极跟随开关单元(SF)，其中，所述电容元件(1)的有效饱和电容(1)是所述电容元件(2)的有效饱和电容(2)的10倍～5000倍。
设备信号读出方法

[发明专利]背面照明的全局快门成像阵列-CN201780084510.3有效
发明人： H·T·杜;C·宫;A·M·麦格纳尼 -专利权人： BAE系统成像解决方案有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：公开了一种成像阵列及其使用方法，其适用于利用全局快门的背面照明成像阵列。成像阵列包括具有像素传感器有序阵列的多个像素传感器。每个像素传感器包括主光电二极管和校正光电二极管。控制器在第一时刻复位所有主光电二极管，该第一时刻对于所有像素传感器是相同的；在该第一时刻之后的第二时刻复位所有校正光电二极管，该第二时刻对于所有像素传感器是相同的，并且该控制器顺序读出像素传感器。在第三时刻读出该像素传感器，该第三时刻对于不同的像素传感器是不同的。测量校正电荷以校正不同的读出时刻。
背面照明全局快门成像阵列

[发明专利]具有埋入式沟道的双转换增益电路-CN201910115252.1有效
发明人：吴敏锡 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本发明题为“具有埋入式沟道的双转换增益电路”。本发明公开了一种成像设备，所述成像设备可具有各自具有光电二极管和浮动扩散节点的图像传感器像素的阵列。所述阵列中的每个图像传感器像素还可包括双转换增益开关和双转换增益电容器，所述双转换增益电容器允许所述图像传感器像素以低转换增益模式和高转换增益模式操作，在所述低转换增益模式期间，所述开关被接通以在所述浮动扩散节点和所述双转换增益电容器之间共享电荷，在所述高转换增益模式中，所述开关被关断。在积聚期间，所述光电二极管可生成比可保持在所述浮动扩散节点处更多的电荷。埋入式沟道可设置在所述双转换增益开关下方以提供路径，沿着所述路径，即使当所述双转换增益开关断开时，过量电荷也可在所述浮动扩散节点和所述双转换增益电容器之间共享。
具有埋入沟道转换增益电路

[实用新型]一种帧积分光电成像处理电路的偏置电路-CN202121332433.9有效
发明人：李凯;李谋涛 -专利权人：武汉微智芯科技有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本实用新型提供一种帧积分光电成像处理电路的偏置电路，包括DAC芯片、偏置电路和像元电路，所述偏置电路包括若干参考元电阻ROA、若干第二参考元电阻ROB、若干第二偏置MOS管PMOS、若干第二偏置MOS管NMOS，各所述第二偏置MOS管PMOS的栅极与DAC芯片相连，各所述第二偏置MOS管PMOS的栅极与偏置电压Vgsk接口相连，各所述第二偏置MOS管NMOS的栅极均与偏置电压Vgfid接口相连，各所述第二偏置MOS管NMOS的漏极均与偏置电压Vgfid接口相连。
一种积分光电成像处理电路偏置

[发明专利]一种CMOS像素寻址模块和方法-CN202111301742.4在审
发明人：刘彤芳;吴恩德 -专利权人：地太科特电子制造（北京）有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种CMOS像素寻址模块和方法，该CMOS像素寻址模块与CMOS像素阵列结构相连；CMOS像素阵列结构包括：多个CMOS像素阵列块；CMOS像素寻址模块包括：地址控制模块和均与地址控制模块相连的多个行地址译码器；地址控制模块与每个CMOS像素阵列块相连；每个CMOS像素阵列块分别对应一个行地址译码器，并与相对应的行地址译码器相连接。通过该实施例方案，实现了分块直接寻址，提高了寻址速度，提高了整体的良率和可靠性。
一种 cmos 像素寻址模块方法

[发明专利]成像器件和电子设备-CN201811510589.4有效
发明人：山口和哲;吉川玲;樋爪幸二;川又大典 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本申请涉及成像器件和电子设备。成像器件，包括：多个共享像素单元，在像素阵列部分中成行成列排列，多个共享像素单元包括：第一共享像素单元，位于第m行和第n列，第一共享像素单元至少包括共享第一浮置扩散的8个光电转换区域，其中，m和n均是大于0的整数；第二共享像素单元，位于第m行和第n+1列，第二共享像素单元至少包括共享第二浮置扩散的8个光电转换区域；第一行信号线，耦接至第一共享像素单元；第一列信号线，耦接至第一共享像素单元；第一模数转换器，耦接至第一列信号线；第二行信号线，耦接至第二共享像素单元；第二列信号线，耦接至第二共享像素单元；以及第二模数转换器，耦接至第二列信号线。
成像器件电子设备

[发明专利]摄像元件、焦点调节装置及摄像装置-CN201880022406.6有效
发明人：中西奏太;船水航;寿圆正博 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：摄像元件设有多个像素，所述像素包括：第1光电转换部，其对透射了微透镜的光进行光电转换而生成电荷；第2光电转换部，其对透射了所述微透镜的光进行光电转换而生成电荷；第1蓄积部，其蓄积由所述第1光电转换部生成的电荷；第2蓄积部，其蓄积由所述第2光电转换部生成的电荷；第3蓄积部，其蓄积由所述第1光电转换部生成的电荷和由所述第2光电转换部生成的电荷；第1传输部，其将由所述第1光电转换部生成的电荷传输至所述第1蓄积部；第2传输部，其将由所述第2光电转换部生成的电荷传输至所述第2蓄积部；以及第3传输部，其将由所述第1光电转换部生成的电荷及由所述第2光电转换部生成的电荷传输至所述第3蓄积部。
摄像元件焦点调节装置

[发明专利]固态成像捕捉装置和电子装置-CN201880026004.3有效
发明人：高塚举文;杉森友策 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本技术涉及一种固态图像捕捉装置和电子装置，其能够提高电荷经由传输门从电荷累积单元传输到电荷电压转换单元的效率。本技术的一个方面提供了一种固态图像捕捉装置，其被配置为使得：在用于获取信号电平的A/D转换操作之前，切换单元切换到LG状态至少一次，并且切换到HG状态至少一次；当切换单元已经切换到LG状态和当切换单元已经切换到HG状态时，所述传输单元将电荷累积单元中累积的电荷转移到电荷/电压转换单元至少两次；并且所述电荷/电压转换单元将当切换单元已经切换到LG状态时转移的电荷和当切换单元已经切换到HG状态时转移的电荷相加，并将所得电荷转换成电压信号。例如，本技术可以应用于CMOS图像传感器。
固态成像捕捉装置电子

[发明专利]使用接通/关断事件和灰度检测斜坡的基于事件的视觉传感器-CN202080034755.7在审
发明人：克里斯蒂安·布伦德利;拉斐尔·伯纳 -专利权人：索尼高级视觉传感股份公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：一种动态视觉传感器(例如基于事件的视觉传感器)采用模数转换器(ADC)(例如斜坡ADC)，该模数转换器对来自感光器的信号进行模数转换。只有先前的光值需要存储在像素中。这通过生成三个斜坡来完成。此外，对数压缩可以通过在线性增加计数的同时以指数方式增加参考电压、或者在线性增加参考电压的同时以指数方式增加计数来实现。
使用接通事件灰度检测斜坡基于视觉传感器

[发明专利]用于图像传感器像素的NMOS比较器-CN202080034766.5在审
发明人：拉斐尔·伯纳;克里斯蒂安·布伦德利 -专利权人：索尼高级视觉传感股份公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：仅限NMOS的运算跨导放大器(OTA)将PMOS晶体管替换为光学传感器(诸如动态视觉传感器或基于事件的视觉传感器)的像素中的开关电容伪电阻器。因此，如果采用堆叠CMOS图像传感器(CIS)处理，则上部晶圆可以保持没有N个阱，同时在上部晶圆上的OTA仍然完整。因此，每个像素只能有一个晶圆到晶圆的连接。此外，通过将开关电容伪电阻器作为三端器件操作，还可以增加增益。
用于图像传感器像素 nmos 比较

[发明专利]用于减少图像信息损失的像素阵列和包括其的图像传感器-CN202110634338.2在审
发明人：朴素妍;郑炳旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：提供了一种用于减少图像信息损失的像素阵列和包括该像素阵列的图像传感器。像素阵列包括：具有特定大小的多个滤色器阵列(CFA)单元，每个CFA单元在该CFA单元的宽度方向和长度方向上包括多个CFA块，其中每一个CFA块包括子块和不同于子块的远离中心区域，子块在每一个CFA块的中心区域处并且包括m×n个颜色像素，远离中心区域包括颜色像素，其中，子块的m×n个颜色像素包括感测第一颜色至第三颜色的颜色像素，并且远离中心区域包括感测第一颜色的相对较多数量个第一像素和感测选自第二颜色和第三颜色中的至少一种颜色的相对较少数量个第二像素。
用于减少图像信息损失像素阵列包括图像传感器