专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]超高动态范围CMOS传感器-CN201980069870.5有效
  • H·T·杜;C·宫;P·G·利姆;A·M·麦格纳尼 - BAE系统成像解决方案有限公司
  • 2019-10-10 - 2023-09-12 - H04N23/741
  • 公开了具有连接到位线的多个像素传感器的成像阵列。每个像素传感器包括:电容性溢流像素传感器,其特征在于具有具有开关端子的溢流电容器、和浮动扩散节点;缓冲放大器,其响应于行选择信号将浮动扩散节点连接到位线的;开关,其将该开关端子连接到地或升压电压的。所述成像阵列还包括开关控制器,其控制所述开关并且连接到所述位线,所述开关控制器确定所述位线上的电压,所述开关控制器在所述像素传感器曝光期间将所述开关端子连接至所述升压电压,并且根据所述位线上的电压,在读取存储在所述溢流电容器中的电荷期间将所述开关端子连接到地或所述升压电压。
  • 超高动态范围cmos传感器
  • [发明专利]超高动态范围双光电二极管像素架构-CN201780019198.X有效
  • H·T·杜;A·M·麦格纳尼;R·D·麦克格雷斯 - BAE系统成像解决方案有限公司
  • 2017-02-21 - 2023-06-27 - H04N25/581
  • 像素包括:高响应光电二极管,其收集光电荷;第一传输栅极,其使电荷能够从高响应光电二极管传输走,将其完全清空到低响应光电二极管上;第二传输栅极,其使电荷从低响应光电二极管传输走,将其完全清空到浮动扩散节点上;第三传输栅极,用于防止模糊;浮动扩散节点,用于收集传输的电荷,产生电压变化;用于重置浮动扩散节点的装置。源极跟随器由浮动扩散节点上的电压调制,以控制位线电压和列放大器输出。在实施例中,光电荷集成在高响应光电二极管上和低响应光电二极管上。列读出电路包括:列放大器,其使用电容设置放大器增益;三个采样电容,其用作模拟存储器并用于相关双采样;和比较器,其协助提供最终输出。
  • 超高动态范围光电二极管像素架构
  • [发明专利]缓解运动图片的LED频闪-CN201880077409.X有效
  • A·M·麦格纳尼;C·R·阿达姆斯;C·B·瓦尔德 - BAE系统成像解决方案有限公司
  • 2018-11-28 - 2022-06-14 - H04N5/235
  • 公开了一种用于拍摄运动图片的设备、一种用于拍摄运动图片的方法、以及新颖的像素传感器阵列。该设备包括矩形成像阵列、多个列处理电路、和控制器。矩形成像阵列的特征在于具有多个行和多个列的UHDR像素传感器、以及多个读出线、和多个行选择线。每个列处理电路连接至多个读出线中的相应一个。控制器使矩形成像阵列测量由脉动光源照明的场景的多个图像,该脉动光源的特征在于具有照明时段和暗时段。每个图像在包括曝光时段和停滞时段的帧时段中生成,该停滞时段小于暗时段。
  • 缓解运动图片led频闪
  • [发明专利]背面照明的全局快门成像阵列-CN201780084510.3有效
  • H·T·杜;C·宫;A·M·麦格纳尼 - BAE系统成像解决方案有限公司
  • 2017-01-25 - 2022-02-08 - H04N5/3745
  • 公开了一种成像阵列及其使用方法,其适用于利用全局快门的背面照明成像阵列。成像阵列包括具有像素传感器有序阵列的多个像素传感器。每个像素传感器包括主光电二极管和校正光电二极管。控制器在第一时刻复位所有主光电二极管,该第一时刻对于所有像素传感器是相同的;在该第一时刻之后的第二时刻复位所有校正光电二极管,该第二时刻对于所有像素传感器是相同的,并且该控制器顺序读出像素传感器。在第三时刻读出该像素传感器,该第三时刻对于不同的像素传感器是不同的。测量校正电荷以校正不同的读出时刻。
  • 背面照明全局快门成像阵列
  • [发明专利]降低暗电流的影响的全局快门装置-CN201680092075.4有效
  • H·T·杜;P·G·利姆;S·W·米姆斯 - BAE系统成像解决方案有限公司
  • 2016-12-19 - 2021-10-29 - H04N5/341
  • 公开了一种具有连接到位线的多个像素传感器的成像阵列。每个像素传感器包括具有光电二极管、浮动扩散节点、和放大器的第一光电检测器。浮动扩散节点的特征在于具有寄生光电二极管和寄生电容。放大器放大浮动扩散节点上的电压,从而在放大器输出上生成信号。第一光电探测器还包括:位线栅极,其响应于行选择信号而将放大器输出连接到位线;以及分压电容器,其具有连接到浮动扩散节点的第一端子和连接到驱动源的第二端子,驱动源响应于驱动控制信号而在地与地之间不同的驱动电位之间切换第二端子上的电压。
  • 降低电流影响全局快门装置
  • [发明专利]高动态范围成像传感器阵列-CN201680085750.0有效
  • B·穆;A·M·麦格纳尼;S·W·米姆斯 - BAE系统成像解决方案有限公司
  • 2016-08-18 - 2021-04-23 - H04N5/353
  • 本发明公开了一种具有矩形成像阵列的装置,其特征在于多个像素传感器和多个读出线。该装置具有多个列处理电路,每个列处理电路连接到相应的一个读出线和多个信号注入器,一个信号注入器连接到每个读出线。每个信号注入器使预定数量的电压中的一个耦合到该读出线。在图像记录周期期间确定每个像素传感器的曝光。信号注入器在校准周期期间将多个校准电压注入读出线,并通过测量多个校准电压的放大器的输出来确定一个列处理电路中的放大器的增益函数,校准周期在成像记录周期之间。
  • 动态范围成像传感器阵列
  • [发明专利]用于CMOS成像传感器的自动对焦系统-CN201780087438.X有效
  • B·穆;A·M·麦格纳尼 - BAE系统成像解决方案有限公司
  • 2017-02-28 - 2020-10-16 - H01L27/146
  • 本发明包括一种成像装置,其包括像素传感器二维阵列。每个像素传感器包括主光电二极管、自动对焦光电二极管、和微透镜,该微透镜将光聚集到主光电二极管和自动对焦光电二极管上。像素传感器的成像阵列包括像素传感器的第一和第二自动对焦阵列,像素传感器的第一自动对焦阵列中的像素传感器具有自动对焦光电二极管,该自动对焦光电二极管被定位成使得每个自动对焦光电二极管优先从该像素传感器中的微透镜的一半接收光,并且,像素传感器的第二自动对焦阵列中的像素传感器具有每个自动对焦光电二极管,该自动对焦光电二极管被定位成使得每个自动对焦光电二极管优先从该像素传感器中的微透镜的另一半接收光。自动对焦光电二极管可以由与每个像素传感器或常规光电二极管中的浮动扩散节点相关联的寄生光电二极管构成。
  • 用于cmos成像传感器自动对焦系统
  • [发明专利]利用寄生光电二极管的具有改进的动态范围的成像阵列-CN201480049492.1有效
  • B·福勒 - BAE系统成像解决方案有限公司
  • 2014-06-27 - 2019-09-13 - H01L27/146
  • 公开了一种像素传感器,具有主光电检测器和寄生光电二极管,以及一种读出该像素传感器的方法。该像素传感器是通过当浮动扩散节点从该主光电二极管隔离出来时,读出该像素传感器中的浮动扩散节点上的第一电位而读出的。然后将该像素传感器曝光在光下,使得该浮动扩散节点和该光电检测器也曝光在该光下。然后当浮动扩散节点从该主光电二极管隔离出来时,读出该浮动扩散节点上的第二电位。在读出该第一和第二电位后,读出该浮动扩散节点上的第三电位。然后使该主光电二极管与该浮动扩散节点连接,读出该浮动扩散节点上的第四电位。由所读出的这些电位决定出第一和第二光强度。
  • 利用寄生光电二极管具有改进动态范围成像阵列
  • [发明专利]适用于CMOS成像传感器的放大器-CN201480061257.6有效
  • B·福勒;H·T·杜;X·刘 - BAE系统成像解决方案有限公司
  • 2014-08-27 - 2017-07-04 - H03F3/213
  • 本发明公开了列读出放大器和使用该方法的成像阵列。列读出放大器包括具有放大器信号输出的信号放大器、第一滤波电容器、具有缓冲放大器输入和缓冲放大器输出的缓冲放大器、和开关网络。在第一时间阶段,开关网络将放大器信号输出连接到缓冲放大器输入,并将缓冲放大器输出连接到第一滤波电容器,并且在第二时间阶段,开关网络将放大器信号输出直接连接到第一滤波电容器。时间阶段可以是固定的持续时间或通过缓冲放大器的输入与输出之间的电位差而确定。列读出放大器能够用在成像阵列中,来读出像素列。
  • 适用于cmos成像传感器放大器

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