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[发明专利]弹性波装置-CN201910207419.7有效
发明人：佐治真理 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明在抑制IDT电极的耐功率性的下降的同时降低成为瑞利波的杂散的西沙瓦波的强度。IDT电极(3)形成在压电体基板(2)上。第一氧化硅膜(4)形成在压电体基板(2)上，使得覆盖IDT电极(3)。高声速电介质膜(5)形成在第一氧化硅膜(4)上，使得覆盖第一氧化硅膜(4)。第二氧化硅膜(6)形成在高声速电介质膜(5)上。压电体基板(2)的材料为铌酸锂。在高声速电介质膜(5)中，传播的纵波声速与在第一氧化硅膜(4)传播的纵波声速相比为高速。高声速电介质膜(5)形成于在压电体基板(2)的厚度方向(D1)上距第一主面(21)的距离为(t1+t2)×0.42以下的位置。
弹性装置

[发明专利]体声波谐振器、其制作方法和半导体器件-CN201910329139.3有效
发明人：李亮;钱丽勋;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;李宏军;李丽;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器、其制作方法和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；所述下电极层或所述上电极层的内部设有凹槽，所述凹槽内部填充有与对应电极层的电极材料不同的填充材料。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，在所述下电极层或所述上电极层的内部设置凹槽，凹槽内部填充与对应电极层的电极材料不同的填充材料，形成了一种新型的体声波谐振器结构，且具有较好的性能。
声波谐振器制作方法半导体器件

[发明专利]水晶振子及其制造方法-CN201780054691.5有效
发明人：井原木洋;开田弘明 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：具备：水晶振动元件(10)，其具有水晶片(11)、在水晶片(11)的两主面(12a、12b)相互对置地设置的一对激励电极(14a、14b)、以及与激励电极(14a、14b)电连接的连接电极(16a、16b)；基座部件(30)，其在表面搭载有水晶振动元件(10)；以及盖部件(20)，其经由接合部件(40)而与基座部件(30)的表面(32a)接合，在基座部件(30)的表面(32a)上将水晶振动元件(10)收容于内部空间(26)，在从基座部件(30)的表面(12a)的法线方向俯视时，接合部件(40)中的覆盖突起部(38、39)的部分与盖部件(20)的侧壁部(22)抵接，以限制盖部件(20)的动作。
水晶及其制造方法

[实用新型]一种MEMS谐振器-CN202222859384.5有效
发明人：雷永庆;谢国伟;李明 -专利权人：麦斯塔微电子（深圳）有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及微机电系统技术领域，公开了一种MEMS谐振器，其通过在等截面悬臂梁的自由端开设孔、表面设置凸起部及其结合，使得悬臂梁的面积减小或者悬臂梁的外轮廓周长增加，来提升悬臂梁几何结构的线面比，进而提升悬臂梁等效质量对工艺偏差的敏感度，最终使得悬臂梁频率对工艺偏差不敏感，减小频率偏差，提升悬臂梁式谐振器可制造性。
一种 mems 谐振器

[实用新型]一种谐振器和滤波器-CN202222996602.X有效
发明人：高超;邹杨;蔡耀;詹道栋;曲远航;王雅馨;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请提供一种谐振器和滤波器，涉及谐振器技术领域，谐振器包括衬底，在衬底上依次设置有层叠的下电极、压电层和上电极，由此，形成谐振器的基础结构，其中，下电极、压电层和上电极三者在衬底的正投影的交叠区域可以作为谐振器的有效工作区域。在压电层和衬底之间还设置有IPD，并且将IPD与下电极连接，可以无需单独对IPD设置引出电极，以此将IPD集成于谐振器内部，能够通过IPD实现对应用该谐振器的滤波器进行性能调节、带宽调节等，也有助于降低器件整体的占用空间，有利于器件的微型化，同时能够有效提高器件的电学性能，降低封装成本。
一种谐振器滤波器

[发明专利]表面声波装置-CN202211088385.2在审
发明人：垣尾省司;木村悟利 -专利权人：株式会社压电工作室;国立大学法人山梨大学
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种表面声波装置包括由Ca3Ta(Ga1‑xAlx)3Si2O14单晶形成的压电基板以及在所述压电基板形成的表面上形成并且由Al形成的叉指电极。所述叉指电极被配置为在所述压电基板的表面上产生洛夫波型SH波。通过用所述叉指电极的膜厚度除以所述洛夫波型SH波的波长而获得的归一化膜厚度为0.16以下。
表面声波装置

[发明专利]一种谐振器阵列结构-CN202211526742.9在审
发明人：雷永庆;李明;吴振云 -专利权人：麦斯塔微电子（深圳）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种谐振器阵列结构，属于微机电系统技术领域。该谐振器阵列结构包括多个谐振器子单元，每个谐振器子单元包括一个振子和至少一个弹性耦合粱，弹性耦合粱的第一端连接同一个谐振器子单元的振子，弹性耦合粱的第二端连接另一个谐振器子单元的振子或弹性耦合粱的第二端，以将多个谐振器子单元依次连接在一起，并形成预设几何形状，预设几何形状为阶梯状环形或十字相连对称图案。本申请的技术方案，其可在有限的面积内尽可能多地增加谐振器阵列结构中谐振器子单元的数量，以有效增大本谐振器阵列结构的感测面积，提升动态阻抗，进而有助于增强本谐振器阵列结构的感测信号。
一种谐振器阵列结构

[发明专利]谐振器组、滤波器、电子设备及谐振器制作方法-CN202111033255.4在审
发明人：郝龙;庞慰;马晓丹;徐洋 -专利权人：诺思(天津)微系统有限责任公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种谐振器组、滤波器、电子设备及谐振器制作方法。谐振器制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成由层叠设置的声学镜、底电极、压电层、顶电极和导电层构成的层叠结构，其中，导电层覆盖顶电极的部分区域；在层叠结构上通过一次图形化形成引线开口结构，引线开口结构包括至少延伸至导电层的第一开口和延伸至底电极的第二开口；形成容设在第一开口内的顶电极引线和容设在底电极开口内的底电极引线。本发明能够降低谐振器的制作成本。
谐振器滤波器电子设备制作方法

[实用新型]具有梯型滤波器的弹性波器件-CN202222549640.0有效
发明人：吉田直人 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有梯型滤波器的弹性波器件，可抑制在将分割并联臂谐振器并联连接而合成后的谐振器特性中产生纹波。在将第1并联臂谐振器(P2a)和串联臂(6)的连接点设为第1连接点(CP1)，将第2并联臂谐振器(P2b)和串联臂(6)的连接点设为第2连接点(CP2)时，从第1连接点(CP1)经由第1并联臂谐振器(P2a)到达接地端子(4b)的路径(X)的布线长度比从第1连接点(CP1)经由第2连接点(CP2)以及第2并联臂谐振器(P2b)到达接地端子(4b)的路径(Y)的布线长度短，第1并联臂谐振器(P2a)的IDT的电极指间间距(D1)大于第2并联臂谐振器(P2b)的IDT的电极指间间距(D2)。
具有滤波器弹性器件

[发明专利]体声波谐振器组件的制造方法-CN202110181699.6在审
发明人：马晓丹;庞慰;郝龙;黄源清 -专利权人：诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种体声波谐振器组件的制造方法，所述体声波谐振器组件包括设置在同一基底上的多个体声波谐振器，所述多个体声波谐振器包括第一谐振器和第二谐振器，所述第一谐振器和第二谐振器具有不同频率，所述方法包括步骤：对设置在基底上方的预定膜层的与第一谐振器对应的待修整部分执行修整；以及在所述预定膜层的与第一谐振器和第二谐振器对应的位置同时沉积一层沉积膜层。
声波谐振器组件制造方法

[发明专利]一种声表面波谐振装置及其形成方法、声表面波滤波装置-CN202211490761.0在审
发明人：黄烜;邹雅丽;汤正杰;杨新宇 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种声表面波谐振装置及其形成方法、声表面波滤波装置，方法包括：提供衬底；在衬底上形成叉指电极结构；在衬底上形成温度补偿结构，所述温度补偿结构顶部表面为平整表面，形成温度补偿结构包括形成温度补偿层和介电层，所述介电层通过旋转涂布玻璃技术形成，所述温度补偿层位于所述衬底上，且覆盖所述叉指电极结构，所述介电层位于所述温度补偿层上，或者，所述介电层位于所述衬底上，且覆盖所述叉指电极结构，所述温度补偿层位于所述介电层上。所形成的声表面波谐振装置流程得到优化，性能得到提升。
一种表面波谐振装置及其形成方法滤波

[发明专利]滤波器及其制造方法-CN202180031948.1在审
发明人：朴南信;张成号;李光日;高坰勋;金丁会;朴龙真 -专利权人：株式会社KMW
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及滤波器及其制造方法，尤其，包括：射频(RF)连接器，构建规定的电信号线；滤波器主体，在内部形成用于设置上述射频连接器的至少一个阻抗整合空间；相关印刷电路(PCB)板，安装固定上述射频连接器的一端部，紧贴结合在上述滤波器主体的一侧面；以及环形垫圈，用于屏蔽上述滤波器主体的一侧面与上述相关印刷电路板之间的信号泄漏，上述滤波器主体的一侧面中的附着上述环形垫圈的表面以增加附着面积的方式加工有凹凸部，从而可提高附着垫圈的附着部位的粘结力。
滤波器及其制造方法

[发明专利]体声波谐振器-CN202210533826.9在审
发明人：韩源;李华善;李文喆;柳廷勳;金泰润;尹湘基;金龙石;金正训;李泰京;吉宰亨 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括：板；谐振部，包括设置在所述板上的第一电极、压电层和第二电极；以及温度补偿层，设置在所述谐振部上，其中，所述温度补偿层包括利用电介质形成的温度补偿部和利用与所述温度补偿部的材料不同的材料形成的损耗补偿部，并且其中，所述温度补偿部和所述损耗补偿部中的每个包括多个线性图案，并且所述温度补偿部的所述线性图案和所述损耗补偿部的所述线性图案交替地设置。
声波谐振器

[发明专利]基于声表面波操控导电微粒集群的电路板选通装置及方法-CN202211504915.7在审
发明人：汪延成;盘何旻;梅德庆;许诚瑶;韩硕;李鑫 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了基于声表面波操控导电微粒集群的电路板选通装置及方法。选通电极沿着电路板周向间隔布置在电路板上表面的外周，操控边框位于电路板上表面的中部且放置在选通电极上，操控边框中间的空心部分为用于放置导电微粒的操控腔室，压电片放置在操控边框上，四个叉指电极沿着压电片的周向均匀间隔排布地粘合在压电片的下表面，方法包括在任意两个叉指电极中输入外部电信号，外部电信号使得压电片中产生声表面波，声表面波驱动导电微粒向声表面波的波谷位置处聚集，调控输入外部电信号的相位使得电路连通。本发明能够实现复杂电路板的灵活选通与电极电阻值灵活调控等功能，具有可重构性、稳定性强、操作简便、设备简单以及精度高等特点。
基于表面波操控导电微粒集群电路板装置方法

[发明专利]设置铍铝合金膜的多层压电基片及其制备方法-CN201811552537.3有效
发明人：肖学峰;张学锋;雷顺京;张欢;韦海成 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提出一种设置铍铝合金膜的多层压电基片，包括依次设置的压电基体层、导电层，所述导电层为铍铝合金膜，本发明采用铍铝合金作为溅射膜，铍为六方晶系，易于与相同晶格结构的压电基体层结合，而合金中的铝则可以作为传声的材料，提高其传声效率，如此利用铍解决了铝膜与压电基片之间由于晶格结构不同而导致的结合不良的问题；并且，合金膜与铝膜均为金属膜，二者依靠金属键结合，结合状态良好，不易脱落。
设置铝合金多层压电及其制备方法