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[发明专利]降低相位噪声的晶体振荡器和含晶体振荡器的半导体芯片-CN202110564854.2在审
发明人：郑在洪;金元康;金昇辰;吴承贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：提供了一种降低相位噪声的晶体振荡器和含晶体振荡器的半导体芯片。所述晶体振荡器包括：跨导电路，电连接到晶体；负载电容器，连接到跨导电路；反馈电阻电路，连接在跨导电路的输入端子与跨导电路的输出端子之间，反馈电阻电路被配置为提供反馈电阻；和可变电阻控制器，被配置为生成用于控制反馈电阻的电阻控制信号，电阻控制信号使得反馈电阻在第一时段中具有第一值并且在第二时段中具有第二值，第一值小于第二值，第一时段对应于时钟信号的周期的第一部分，并且第二时段对应于所述周期的与第一部分不同的第二部分。
降低相位噪声晶体振荡器半导体芯片

[发明专利]一种气密性芯片级微声器件阵列式封装装置及方法-CN202011062528.3有效
发明人：米佳;罗毅文 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种气密性芯片级微声器件阵列式封装装置，包括夹具底座、定位框及夹具上板，夹具底座上端面设有与定位框外沿形状相匹配的定位框安装槽，定位框上端面设有网格状的封盖定位槽，每个封盖定位槽对应一个封盖，夹具底座上端面还设有定位销，夹具上板下端面设有与定位销对应的定位孔，夹具底座与夹具上板通过螺纹连接件相连并压紧。还公开了对应的气密性芯片级微声器件阵列式封装方法。能够满足小型化SAW的封装需求，提高了封装效率并且保证了封装质量。
一种气密性芯片级器件阵列封装装置方法

[发明专利]体声波谐振器-CN202111522299.3在审
发明人：林瑞钦 -专利权人：武汉衍熙微器件有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括衬底，依次设于所述衬底上的反射结构、下电极、压电层和上电极；所述压电层包括中心区以及环绕所述中心区设置的调整区，所述中心区的中心轴与所述压电层的谐振区的中心轴重合；所述中心区与所述调整区的声阻抗不同，且所述中心区与所述调整区的第一交界面相对于所述衬底的上表面呈倾斜状。本发明能够将侧向波转变为纵向波，以提高纵向波能量。
声波谐振器

[发明专利]一种以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器制备方法-CN201810722065.5有效
发明人：张树民;陈海龙;王国浩;汪泉 -专利权人：杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提出一种以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器制备方法，具体包括如下步骤：图形化衬底硅片，在所述衬底硅片的第一表面形成凹陷区域和凸起区域；制备二氧化硅覆盖层，覆盖所述衬底硅片的第一表面；平整化所述衬底硅片的第一表面，露出所述凸起区域；在所述凸起区域的上表面制备压电三明治结构；蚀刻所述凸起区域，形成空气隙。本发明采用二氧化硅作为器件的支撑结构，二氧化硅作为绝缘材料，在射频下损耗较小，因此本发明可以选择高阻硅片也可以选择普通硅片，在成本上能够降低；本发明的压电三明治结构生长于衬底硅片本身的单晶硅上，因此晶格匹配较好，有利于生长性能更好的下电极和压电薄膜，有利于改善薄膜体声波谐振器器件性能。
一种牺牲薄膜声波谐振器制备方法

[实用新型]一种具有空气隙的BAW谐振器-CN202122308677.X有效
发明人：代丹;王为标;陆增天;杜杰;窦韶旭 -专利权人：无锡市好达电子股份有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有空气隙的BAW谐振器，涉及MEMS器件制造领域，该BAW谐振器包括由下而上依次设置的基底、非晶硅、布拉格反射栅、下电极层、压电层和上电极层，下电极层边缘与布拉格反射栅之间形成有空气隙。该BAW谐振器通过在布拉格反射栅上表面的下电极边界处形成空气隙，起到了声波限制边界的作用，从而减小谐振器的插入损耗，提高谐振器Q值。
一种具有空气 baw 谐振器

[实用新型]一种体声波谐振器以及电子器件-CN202122369478.X有效
发明人：刘海瑞;赖志国;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种体声波谐振器，包括：基底；叠层结构，该叠层结构位于基底上，从下至上依次包括下电极、压电层以及上电极，压电层包括中间区域以及周边区域，中间区域的材料是第一压电材料，周边区域的材料是非压电的介电材料或压电系数小于第一压电材料的第二压电材料；声反射结构，该声反射结构位于叠层结构下方，形成在基底中或形成在叠层结构和基底之间；上电极、压电层以及下电极三者位于声反射结构上方的重叠区域构成叠层结构的有效区，其中，有效区在水平方向上的第一投影与压电层中间区域在水平方向上的第二投影重合或落入该第二投影内。本实用新型还提供了一种电子器件。实施本实用新型可以有效降低器件的横波损耗。
一种声波谐振器以及电子器件

[发明专利]调谐共振器的方法、形成共振器的空腔的方法及滤波器-CN201710018327.5有效
发明人：张家达;魏君如;翁国隆 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种调谐共振器的方法、形成共振器的空腔的方法及滤波器，形成体声波共振器的空腔的方法，包括以下步骤：形成一牺牲磊晶结构台面于一化合物半导体基板之上；形成一绝缘层于牺牲磊晶结构台面以及化合物半导体基板之上；以一化学机械平坦化制程研磨绝缘层以形成一抛光表面；形成一体声波共振结构于抛光表面之上，其中体声波共振结构位于牺牲磊晶结构台面之上，其中包括以下步骤：形成一底电极层于抛光表面之上；形成一压电层于底电极层之上；以及形成一顶电极层于压电层之上；以及蚀刻牺牲磊晶结构台面以形成一空腔，其中空腔位于体声波共振结构之下。
调谐共振器方法形成空腔滤波器

[发明专利]具有系绳支撑的隔膜的横向激励的薄膜体声波谐振器-CN202110876168.9在审
发明人：温切斯拉夫·扬捷切夫 -专利权人：谐振公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：一种声波谐振器装置包括基板和压电板。压电板的第一部分附接到基板。压电体的第二部分形成悬挂在基板中的空腔上方的隔膜。叉指换能器(IDT)在压电板的表面上形成，IDT包括设置在第一部分上的第一和第二母线以及设置在隔膜上的交错的IDT指状物。多个系绳将隔膜支撑在空腔上方，每个系绳在交错的IDT指状物中的对应一个IDT指状物与第一和第二母线中的一个之间提供电连接。
具有系绳支撑隔膜横向激励薄膜声波谐振器

[发明专利]带声学解耦层的体声波谐振器组件及制造方法、滤波器及电子设备-CN202010785118.5在审
发明人：庞慰;张巍;张孟伦 -专利权人：诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种体声波谐振器组件，包括：基底；至少两个谐振器，所述至少两个谐振器为体声波谐振器且在基底的一侧在基底的厚度方向上叠置，所述至少两个谐振器包括第一谐振器和第二谐振器，第二谐振器在第一谐振器的上方，第一谐振器具有第一顶电极、第一压电层、第一底电极和第一声学镜，第二谐振器具有第二顶电极、第二压电层、第二底电极和第二声学镜，其中：第一顶电极与第二底电极之间设置有空腔形式的声学解耦层，所述声学解耦层作为所述第二声学镜；至少一个电极沿对应谐振器的有效区域的边界设置有声学边界结构。本发明还涉及一种体声波谐振器组件的制造方法，一种滤波器以及一种电子设备。
声学解耦层声波谐振器组件制造方法滤波器电子设备

[发明专利]带声学解耦层的体声波谐振器组件、滤波器及电子设备-CN202010785148.6在审
发明人：庞慰;张巍;张孟伦 -专利权人：诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种体声波谐振器组件，包括：基底；至少两个谐振器，所述至少两个谐振器为体声波谐振器且在基底的一侧在基底的厚度方向上叠置，所述至少两个谐振器包括第一谐振器和第二谐振器，第二谐振器在第一谐振器的上方，第一谐振器具有第一顶电极、第一压电层、第一底电极和第一声学镜，第二谐振器具有第二顶电极、第二压电层、第二底电极和第二声学镜。第一顶电极与第二底电极之间设置有空腔形式的声学解耦层，所述声学解耦层作为所述第二声学镜；所述空腔的边界在水平方向上处于第一底电极的非电极连接端的外侧；且所述空腔的边界在水平方向上处于第二顶电极的非电极连接端的外侧。本发明还涉及一种滤波器以及一种电子设备。
声学解耦层声波谐振器组件滤波器电子设备

[发明专利]气隙型薄膜体声波谐振器-CN202110301636.X在审
发明人：高庸熏;金炳宪;韩相瀷 -专利权人：天津威盛电子有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：公开了一种气隙型薄膜体声波谐振器(FBAR)，包括：衬底，包括气隙部分，所述气隙部分具有衬底腔并且形成在顶部表面中；下电极，形成在所述衬底上方；压电层，形成在所述下电极上方；以及上电极，形成在所述压电层上方，并且其一侧的电极边缘被形成为与所述气隙部分的侧壁的垂直虚拟边界邻近。其中，所述压电层包括形成在所述电极边缘下方的压电腔。
气隙型薄膜声波谐振器

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器、制备方法及薄膜体声波滤波器-CN202111267910.2在审
发明人：于海洋;易宇;张恒;倪烨;闫鑫;张智欣;陈长娥;胡扬端瑞;张倩;王君;陈晓阳 -专利权人：北京航天微电科技有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜体声波谐振器、制备方法及薄膜体声波滤波器，薄膜体声波谐振器包括图形化后的第二电极层、图形化后的压电层、图形化后的第一电极层，以及衬底；图形化后的第二电极层、图形化后的压电层、图形化后的第一电极层和衬底依次层叠设置；衬底上布设多个散热盲孔，每个散热盲孔内填充有散热材料；衬底上设有凹槽结构，图形化后的第一电极层覆设在所有散热盲孔的开口，以及覆设在凹槽结构的开口上，并在每个散热盲孔内填充散热材料，使本申请的一种薄膜体声波谐振器，在维持原本高Q值的同时，还解决传统薄膜体声波谐振器因导散热能力不足而产生的温度影响。
一种薄膜声波谐振器制备方法滤波器

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器、制备方法和薄膜体声波滤波器-CN202111267917.4在审
发明人：于海洋;张恒;易宇;倪烨;袁燕;张智欣;闫鑫;陈长娥;段英丽;时鹏程;陈晓阳 -专利权人：北京航天微电科技有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜体声波谐振器、制备方法和薄膜体声波滤波器，薄膜体声波谐振器包括：依次层叠设置的图形化后的第二电极层、图形化后的压电层、图形化后的第一电极层和衬底；衬底上布设多个散热盲孔，每个散热盲孔内填充有导热散热材料，并在每个散热盲孔内的导热散热材料的上方填充高阻材料，形成全反射结构，图形化后的第一电极层覆设在所有散热盲孔的开口上。在衬底上进行全反射结构的制备，并在每个散热盲孔内填充导热散热材料和高阻材料，使本申请的一种薄膜体声波谐振器，在维持原本高Q值的同时，还解决传统薄膜体声波谐振器因导散热能力不足而产生的温度影响，且结构可靠性强，利于集成，制备工艺简单。
一种薄膜声波谐振器制备方法滤波器

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器和薄膜体声波滤波器-CN202111268160.0在审
发明人：于海洋;张智欣;孙伟彬;闫鑫;陈长娥;倪烨;陈晓阳 -专利权人：北京航天微电科技有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜体声波谐振器和薄膜体声波滤波器，薄膜体声波谐振器包括依次层叠设置的第二电极层、压电层、第一电极层和衬底，在衬底上进行全反射结构的制备，并在每个散热盲孔内填充导热散热材料和高阻材料，使本申请的一种薄膜体声波谐振器，在维持原本高Q值的同时，还解决传统薄膜体声波谐振器因导散热能力不足而产生的温度影响，且结构可靠性强，利于集成，且制备工艺简单。
一种薄膜声波谐振器滤波器

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器、制备方法及薄膜体声波滤波器-CN202111268238.9在审
发明人：闫鑫;张智欣;陈长娥;于海洋;倪烨 -专利权人：北京航天微电科技有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜体声波谐振器、制备方法及薄膜体声波滤波器，薄膜体声波谐振器包括衬底、底电极、压电层、顶电极和钝化层，其中，底电极与顶电极的材质为二维材料如石墨烯、金属硫化物等；二维材料具有良好的电学性能，因此，用其制备的电极厚度极薄，不但能够减小电极损耗，提升Q值，而且还可以极大减小“三明治”结构的厚度，增加压电层的占比，进而提高薄膜体声波谐振器的谐振频率，增大有效机电耦合系数，有利于高频宽带滤波器产品的开发。
一种薄膜声波谐振器制备方法滤波器