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[发明专利]激光光源及其制造方法-CN202310322944.X在审
发明人：竹田英明;出岛范宏;高鹤一真;山下利章;行本晃 -专利权人：日亚化学工业株式会社;古河电气工业株式会社
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01S5/02253 文献下载
摘要：在抑制用于固定透镜部件的接合材料向透镜部件的光入射面的附着这一点上存在改善的余地。激光光源具备：基座；半导体激光元件，其固定于基座，具有射出激光的光射出面；透镜部件，其具有激光入射的光入射面、及从光入射面向侧方扩展的接合面；支承部件，其将透镜部件和基座连接，使透镜部件的光入射面与半导体激光元件的光射出面对置；无机接合层，其将透镜部件的接合面和支承部件接合。透镜部件在光入射面和接合面之间具有向与光入射面及接合面分别交叉的方向扩展的面。
激光光源及其制造方法

[发明专利]萤光部件、萤光部件的制造方法以及发光装置-CN202310335114.0在审
发明人：三浦创一郎;江藤和也 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01S5/0225 文献下载
摘要：提供一种能够有效率地输出光的萤光部件。萤光部件包括萤光部及包围部，萤光部具有第1面与第2面，包围部连接于第1面的外缘并连接于第2面的外缘，在垂直于第1面的平面视下，第1面是具有朝着第1方向，垂直于第1方向的第2方向的宽度变宽的第1区域的形状，第2面的第2方向的最大宽度大于第1面的第2方向的最小宽度并小于最大宽度。
萤光部件制造方法以及发光装置

[发明专利]激光器-CN202310875792.6在审
发明人：田新团;李建军 -专利权人：青岛海信激光显示股份有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/02253 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光器，属于光电技术领域。所述激光器包括：底板；管壳；底板与管壳一体成型且形成容置空间，在容置空间内，多行多列激光器芯片和反射棱镜均贴装在底板上；光线依次经过反射棱镜、密封透光层、准直透镜结构后出射；其中，环状的上盖，固定于管壳上；支撑框，具有一个镂空区域，镂空区域远离底板的一侧覆盖有透光密封层；支撑框的四周边缘固定于上盖；准直透镜结构，包括多个一体成型的准直透镜；贯穿所述管壳的侧壁的导电引脚，所述管壳与所述导电引脚在底板上的正投影位于底板的四周边缘，底板的四周边缘与底板的中间区域的连接处至少形成一个台阶。本申请解决了激光器的底板平整度较低的问题。本申请用于发光。
激光器

[发明专利]VCSEL晶圆及其VCSEL集成芯片-CN202310811936.1在审
发明人：林珊珊;李念宜;刘赤宇 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明公开了一种VCSEL晶圆及其VCSEL集成芯片。所述VCSEL集成芯片包括：至少一VCSEL发光点与所述VCSEL发光点相间隔的至少一光电二极管，以及，在晶圆级别上集成于所述VCSEL发光点的热电制冷结构，所述VCSEL发光点和所述光电二极管共用衬底层；所述热电制冷结构包括多个热电偶对，每一热电偶对包括相互电连接的P型结构和N型结构。
vcsel 及其集成芯片

[发明专利]VCSEL集成晶圆及其制造方法-CN202310811939.5在审
发明人：林珊珊;李念宜;刘赤宇 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：公开了一种VCSEL集成晶圆及其制造方法。所述VCSEL集成晶圆包括：至少一VCSEL芯片和与所述VCSEL芯片相间隔的至少一光电二极管芯片。每一VCSEL芯片包括至少一VCSEL发光点和在晶圆级别上集成于所述VCSEL发光点的光学调制部，每一所述VCSEL发光点包括VCSEL主体，以及，电连接于所述VCSEL主体的VCSEL正电极和VCSEL负电极，每一所述VCSEL主体包括衬底层、N‑DBR层、有源区、具有限制孔的限制层和P‑DBR层，所述光学调制部对应于所述限制孔。每一所述光电二极管包括至少一二极管主体、电连接于所述二极管主体的二极管正电极和二极管负电极，每一所述二极管主体包括所述衬底层、N型掺杂半导体层、内耗尽层、P型掺杂半导体层和防反射层，所述VCSEL主体和所述二极管主体共用所述衬底层。
vcsel 集成及其制造方法

[发明专利]一种VCSEL芯片的制备方法及VCSEL芯片-CN202310672523.X在审
发明人：王朝成;田志伟;王圣允 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，具体为一种VCSEL芯片的制备方法，包括形成半导体的外延结构，且所述外延结构自下而上依次包括衬底层、N‑DBR层、有源区、P‑DBR层以及高掺杂层；在所述高掺杂层上沉积形成用以保护外延结构不受环境中水汽影响的钝化层；蚀刻部分钝化层以裸露出部分的高掺杂层，然后再沉积P型电接触层，所述P型电接触层形成电导通图案；氧化所述外延结构以形成出光孔；对外延结构进行研磨减薄，然后在衬底层底部沉积形成N型电接触层。
一种 vcsel 芯片制备方法

[发明专利]VCSEL集成芯片和VCSEL晶圆-CN202310811945.0在审
发明人：林珊珊;李念宜;刘赤宇 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：公开了一种VCSEL集成芯片和VCSEL晶圆。所述VCSEL集成芯片包括：至少一VCSEL发光点、与所述VCSEL发光点相间隔的至少一光电二极管，以及，在晶圆级别上集成于所述VCSEL发光点的光调制部。每一所述VCSEL发光点包括VCSEL主体，以及，电连接于所述VCSEL主体的VCSEL正电极和VCSEL负电极，每一所述VCSEL主体包括衬底层、N‑DBR层、有源区、具有限制孔的限制层和P‑DBR层，所述光调制部对应于所述限制孔；每一所述光电二极管包括二极管主体、电连接于所述二极管主体的二极管正电极和二极管负电极，每一所述二极管主体包括所述衬底层、N型掺杂半导体层、内耗尽层、P型掺杂半导体层和防反射层，所述VCSEL主体和所述二极管主体共用所述衬底层。
vcsel 集成芯片晶圆

[发明专利]发光模块-CN202310754651.9在审
发明人：高鹤一真;桥本卓弥 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/02345 文献下载
摘要：本发明提供发光模块，其具备：第一发光装置，其具备多个第一半导体激光元件、载置沿一个方向排列的多个第一半导体激光元件的第一封装；第二发光装置，其具备多个第二半导体激光元件、载置沿一个方向排列的多个第二半导体激光元件的第二封装；安装基板，其具有安装面，该安装面设有安装第一发光装置的第一连接图案、安装第二发光装置的第二连接图案；搭载于第二发光装置的多个第二半导体激光元件的数量比搭载于第一发光装置的第一半导体激光元件多一个，第一封装和第二封装为外形相同的封装，第一封装和第二封装分别具有凹部、形成于该凹部的内侧面的台阶部、设于该台阶部的上表面并分别与第一和第二半导体激光元件电连接的金属膜。
发光模块

[发明专利]封装方法、封装器件及探测设备-CN202310798161.9在审
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/02315 文献下载
摘要：本申请提供一种封装方法、封装器件及探测设备，涉及半导体技术领域，其中，该方法包括：倒置预先设置的支撑模具；在所述支撑模具的凹槽内填充支撑材料；在光学芯片上，对所述支撑模具内的所述支撑材料进行固化并脱模，得到支撑结构；在所述支撑结构远离所述光学芯片的一侧，设置透光组件；将所述光学芯片与基板进行引线键合；根据管壳对所述光学芯片进行封盖。本申请提供的技术方案，通过在预先设置的支撑模具中填充支撑材料，并对支撑材料进行固化分离，得到支撑结构，无需通过图形化刻蚀的方式生成支撑结构，简化了生成支撑结构的步骤，减少了生成支撑结构所花费的时间，可以提高制备支撑结构的效率，从而可以提高对光学芯片进行封装的效率。
封装方法器件探测设备

[发明专利]VCSEL集成晶圆及其制造方法-CN202310811940.8在审
发明人：林珊珊;李念宜;刘赤宇 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：公开了一种VCSEL集成晶圆及其制造方法。所述VCSEL集成晶圆包括：至少一VCSEL芯片、与所述VCSEL芯片相间隔的至少一光电二极管芯片，以及，在晶圆级别上集成于所述VCSEL芯片的热电制冷结构，每一VCSEL芯片包括至少一VCSEL发光点和在晶圆级别上集成于所述VCSEL发光点的光调制部；所述VCSEL芯片和所述光电二极管芯片共用衬底层；所述热电制冷结构包括多个热电偶对，每一热电偶对包括相互电连接的P型结构和N型结构。
vcsel 集成及其制造方法

[发明专利]VCSEL晶圆及其VCSEL集成芯片-CN202310811948.4在审
发明人：林珊珊;李念宜;刘赤宇 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：公开了一种VCSEL晶圆及其VCSEL集成芯片。所述VCSEL集成芯片包括：至少一VCSEL发光点、在晶圆级别上集成于所述VCSEL发光点的光调制部、与所述VCSEL发光点相间隔的至少一光电二极管，以及，在晶圆级别上集成于所述VCSEL发光点的热电制冷结构，所述VCSEL发光点和所述光电二极管共用衬底层；所述热电制冷结构包括多个热电偶对，每一热电偶对包括相互电连接的P型结构和N型结构。
vcsel 及其集成芯片

[发明专利]一种半导体微球的制备方法-CN202310836101.1在审
发明人：李小朋 -专利权人：苏州苏纳光电有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/02253 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体微球的制备方法。所述半导体微球的制备方法包括：使用喷墨打印方式将墨水施加在半导体基底表面，形成墨水液滴微球；使所述墨水液滴微球干燥，以在所述半导体基底表面形成胶球；对所述胶球及半导体基底表面进行刻蚀，从而在所述半导体基底表面形成半导体微球。本发明制备方法使用喷墨打印技术，通过控制墨水材料，墨水与基底的接触角，墨水体积等因素，可以直接得到需要的胶球，不需再经过回流工艺，将外界因素对工艺的影响降到最低，进而保证光刻胶微球的品质，从而提高最终半导体微球质量。
一种半导体制备方法

[发明专利]激光器及其制备方法-CN202310844757.8在审
发明人：封飞飞;王道泳;郭栓银;戴磊;宋杰;陈辉;李含轩 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/02315 文献下载
摘要：本申请涉及一种激光器及其制备方法，其中激光器包括安装单元、基板单元、准直透镜和扩束透镜，基板单元、准直透镜和扩束透镜依序设置，基板单元和准直透镜为一体成型，安装单元上设有芯片，芯片和部分安装单元均位于基板单元的内部；本申请的激光器，相较于现有将准直透镜粘贴在基板单元上的结构，通过使基板单元和准直透镜一体成型，可减少零件数量，简化组装方法，节约了陶瓷基板的物料成本以及基板单元和准直透镜的组装成本，并使基板单元和准直透镜的结合力得到极大提升。
激光器及其制备方法

[发明专利]基于波导结构的真空压缩态光子产生系统-CN202311136792.0在审
发明人：刘洋 -专利权人：武汉中科锐择光电科技有限公司
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于波导结构的真空压缩态光子产生系统，包括泵浦激光器、激光分束器、信号光产生装置、压缩态产生集成波导装置、泵浦光调控装置及压缩态测量装置，激光分束器将待测激光脉冲拆分为第一初始泵浦光及第二初始泵浦光；压缩态产生集成波导装置基于波导集成技术并根据第二初始泵浦光与信号光、以产生连续可变的待测泵浦光及待测真空压缩态光子；泵浦光调控装置探测待测泵浦光的相位是否在目标相位范围内，若否，则控制压缩态产生集成波导装置对第二初始泵浦光进行延时和相位调节、以获得目标真空压缩态光子。通过将所有光路集成在波导装置上，可以提高量子运算单元的体积，以获得大规模集成电路量子计算能力。
基于波导结构真空压缩光子产生系统

[实用新型]一种具有限位机构的激光器-CN202321124335.5有效
发明人：李妙琴;陈娟;万汉军 -专利权人：深圳市梅曼光电科技有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/02253 文献下载
摘要：本实用新型属于激光器技术领域，且公开了一种具有限位机构的激光器，包括主体、透镜座、底座、固定架、限位组件和调节组件，所述透镜座位于所述主体的端部，所述固定架套设在所述主体上，所述底座位于所述主体的下方，所述限位组件位于所述主体上，所述限位组件用于限制所述透镜座相对于所述主体转动，所述调节组件位于所述主体与所述底座之间，所述调节组件用于调节所述主体的作用方向，本实用新型设有限位组件，限位环受限位块限制无法转动，压缩弹簧推动限位环沿限位槽的方向移动，推动锁环直至凸块配合孔，限位块嵌入锁环内，锁环受限无法转动，透镜座受凸块的限制无法转动，用于防止激光器在使用时透镜座移动光斑会变。
一种具有限位机构激光器