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[发明专利]用于制造具有两个基板的检测装置的方法及该检测装置-CN201810882833.3有效
发明人：帕特里克·勒迪克 -专利权人：原子能和替代能源委员会
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造用于检测电磁辐射的装置(1)的方法。该方法包括以下步骤：提供第一基板(400)，所述第一基板(400)包括读出电路(340)、至少两个第一接触插塞(343，344)和围绕第一接触插塞(343，344)的至少一个第一环形接合元件(345)；提供第二基板，所述第二基板包括帽盖(210)、环形侧壁和检测结构(100)，环形侧壁与帽盖(210)形成腔室，腔室中填充有牺牲材料，检测结构(100)容置在所述腔室中。该方法进一步包括如下步骤：将第二基板(200)接合在第一基板(400)上；在第二基板(200)中布置至少一个开口(212)；选择性地去除牺牲材料；在至少初级真空下封闭所述开口(212)。
用于制造具有两个检测装置方法

[发明专利]一种用于光通信的LED及其制备方法-CN202210569337.9在审
发明人：李国强;雷蕾;姚书南;柴华卿;朱子赫 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/147 文献下载
摘要：本发明提供一种用于光通信的LED及其制备方法，该LED包括从下到上依次连接的导电衬底、金属键合层、金属反射层、n型GaN‑1层、i‑GaN层、p型GaN层、多量子阱层、n型GaN‑2层和绝缘层。在p型GaN层上方增加p‑i‑n结构GaN基光电器件，能够在探测紫外光的同时为p型GaN层提供更多的空穴，提高载流子注入效率，实现更平衡的载流子浓度，有利于载流子复合效率的提升，可用于可见光通信领域。
一种用于光通信 led 及其制备方法

[发明专利]X射线装置及其制造方法-CN202010691039.8在审
发明人：王豑莹;吴智濠 -专利权人：睿生光电股份有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L31/14 文献下载
摘要：本揭示提供一种X射线装置，其包括阵列基板、闪烁体层、第一黏着层、功能膜以及第二黏着层。闪烁体层设置在阵列基板上。第一黏着层设置在闪烁体层与阵列基板之间。功能膜设置在阵列基板上。第二黏着层设置在功能膜与阵列基板之间。功能膜覆盖闪烁体层。
射线装置及其制造方法

[发明专利]一种上转换光发射光电晶体管及其制备方法和用途-CN201910459232.6有效
发明人：孙小卫;张楠;王恺;徐冰 -专利权人：深圳扑浪创新科技有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L31/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种上转换光发射光电晶体管及其制备方法和用途。所述晶体管包括依次连接的第一透明导电电极、空穴阻挡层、红外吸收层、介电层、金属层、第二透明导电电极、空穴注入层，空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和第三透明导电电极。所述制备方法包括从第一透明导电电极开始制备或者从第三透明导电电极开始制备。本发明提供的上转换光发射光电晶体管在外加电压的作用下，可以实现红外光信号到可见光信号的转换，具有器件效率高，生产成本低廉，器件发光对比度高的优点。
一种转换发射光电晶体管及其制备方法用途

[发明专利]光转换元件-CN201910344351.7在审
发明人：吴孟奇;廖均浩;汪湘惠 -专利权人：吴孟奇;晶元光电股份有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L31/14 文献下载
摘要：一种光转换元件，包含发光单元、光电转换单元及导电接合层。所述光电转换单元在接受逆偏压时，能将光信号转换成电信号。所述导电接合层设置在所述发光单元与所述光电转换单元之间。所述发光单元为顺向偏压而所述光电转换单元为逆向偏压时，外部光照射所述光电转换单元，从而使所述发光单元产生调变光，其中，所述调变光的频率不同于所述外部光的频率。分别制作完成所述发光单元与所述光电转换单元，再使用覆晶技术以所述导电接合层连接所述发光单元与所述光电转换单元的同一型区，便可完成所述光转换元件，其光转换元件不需要繁琐的异质外延结构，也不需要高温高压的晶片熔融接合过程。
转换元件

[发明专利]一种红外可视化装置-CN201911111469.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京科易达知识产权服务有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L31/14 文献下载
摘要：本发明提供一种红外可视化装置，由红外像素探测薄膜化器件和可见光发光薄膜化器件层叠组成；所述红外像素探测薄膜化器件依次由透明导电膜、红外光敏电阻膜、金属导电膜层叠组成；所述可见光发光薄膜化器件由金属薄膜电极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和透明电极层叠组成。本发明基于原位驱动转换的红外可视化技术概念和器件结构，在成像透镜焦平面上，通过原位驱动转换的红外可视化器件结构，直接将不可见的红外线转换成人眼可见的可见光。比较现有红外探测与成像的优势是：不需要复杂、昂贵的红外成像仪就可以实现红外探测与成像，可以实现低成本和轻量化红外探测与成像。
一种红外可视化装置

[发明专利]光学检测像素单元、电路、光学检测方法和显示装置-CN201810782411.9有效
发明人：丁小梁;董学;王海生;刘英明;郑智仁;王鹏鹏;韩艳玲;刘伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L31/14 文献下载
摘要：本发明提供一种光学检测像素单元、电路、光学检测方法和显示装置。所述光学检测像素单元包括光感元件和检测晶体管，其中，所述光感元件的第一极与光电压端连接，所述光感元件的第二极与所述检测晶体管的栅极连接；所述光感元件用于在所述光电压端的控制下，检测光信号；所述检测晶体管的第一极与检测电压线连接，所述检测晶体管的第二极与读取线连接。本发明采用的晶体管数目少，利于大阵列集成。
光学检测像素单元电路方法显示装置

[实用新型]单光子雪崩二极管、主动式淬灭电路、脉冲式TOF传感器以及成像装置-CN201920051759.0有效
发明人：徐渊;王育斌;陈享;陈志芳;潘安;黄志宇 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L31/14 文献下载
摘要：本申请提供单光子雪崩二极管、主动式淬灭电路、脉冲式TOF传感器以及成像装置，单光子雪崩二极管包括：P型衬底；深n阱，其形成于P型衬底的上方；第一N阱区形成于深n阱的上方；第一P+离子区形成于第一N阱区的上方；P阱区，其环绕第一N阱区和第一P+离子区设置于深n阱内；第二N阱区，其环绕P阱区设置在深n阱内，第二N阱区延伸到P型衬底上；第一N+离子区，其形成与第二N阱区；以及第二P+离子区，其环绕第二N阱区设置于P型衬底上。本申请能够升了反向击穿电压，避免了二极管的提前击穿，从而提升了探测效率，还能够加快完全淬灭器件雪崩效应的速度，抑制单光子雪崩二极管在恢复探测状态的时候再次被触发。
离子区深n阱衬底单光子雪崩二极管环绕淬灭反向击穿电压二极管成像装置探测效率探测状态雪崩效应脉冲式主动式传感器触发击穿申请电路延伸恢复

[发明专利]单光子雪崩二极管、主动式淬灭电路、脉冲式TOF传感器以及形成方法-CN201910024188.6在审
发明人：徐渊;王育斌;陈享;陈志芳;潘安;黄志宇 -专利权人：深圳技术大学(筹)
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L31/14 文献下载
摘要：本申请提供单光子雪崩二极管、主动式淬灭电路、脉冲式TOF传感器以及单光子雪崩二极管的形成方法，单光子雪崩二极管包括：P型衬底；深n阱，其形成于P型衬底的上方；第一N阱区形成于深n阱的上方；第一P+离子区形成于第一N阱区的上方；P阱区，其环绕第一N阱区和第一P+离子区设置于深n阱内；第二N阱区，其环绕P阱区设置在深n阱内，第二N阱区延伸到P型衬底上；第一N+离子区，其形成与第二N阱区；以及第二P+离子区，其环绕第二N阱区设置于P型衬底上。本申请能够升了反向击穿电压，避免了二极管的提前击穿，从而提升了探测效率，还能够加快完全淬灭器件雪崩效应的速度，抑制单光子雪崩二极管在恢复探测状态的时候再次被触发。
单光子雪崩二极管离子区深n阱衬底淬灭环绕脉冲式主动式传感器电路反向击穿电压二极管探测效率探测状态雪崩效应触发击穿申请延伸恢复

[发明专利]基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法-CN201710240402.2有效
发明人：李欣;王永进;施政;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L31/147 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片和N型掺杂硅晶片，所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物和位于顶层氮化物下部的硅衬底层，硅衬底层部分掏空，形成悬空部位，悬空部位上方的顶层氮化物和镍/金电极构成薄膜LED蓝光发光器件，N型掺杂硅晶片顶层设置有适用于蓝光波段的光电传感器件，所述N型掺杂硅晶片为本征硅晶片掺杂磷元素。本发明器件设备体积小，能够实现水下高性能高速双向可见光通信。
基于异质键合微型水下可见光通信双工器件制备方法

[发明专利]集光电极和微电极一体的生物神经芯片及其制备方法-CN201810332745.6在审
发明人：张佰君;梁捷智;温耀辉 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L31/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的技术领域，更具体地，涉及集光电极和微电极一体的生物神经芯片及其制备方法。该芯片的具体结构包括光电极部分以及微电极部分，光电极部分利用发光二极管发出470nm的光，刺激神经细胞产生神经电流信号，再由光电极附近的微电极部分接收神经信号电位变化，从而探测外加信号对神经细胞的影响，进而研究生物行为。光电极部分包括氮化镓基发光二极管、金属电极、透明导电层、温度传感器、金属线路和PAD电极；微电极部分包括透明薄膜电极或金属电极、金属线路和PAD电极。本发明将光电极和微电极集成一体，具有尺寸小、测试精度高、转换效率高、易植入生物体内等特点，实现了对神经细胞进行光刺激的同时进行神经电位的测量。
微电极光电极电极神经细胞金属电极金属线路神经芯片集光制备氮化镓基发光二极管透明薄膜电极电位半导体器件发光二极管透明导电层温度传感器电位变化集成一体神经电流神经信号外加信号研究生物转换效率光刺激植入探测测量体内芯片测试神经刺激

[发明专利]集成模块及其形成方法-CN201410722539.8有效
发明人：陈书履 -专利权人：光澄科技股份有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L31/14 文献下载
摘要：一种集成模块及其形成方法，集成模块包含至少两个单元，其中一第一单元包含在第一面的一光元件及电接垫及一相对的一第二面，一第二单元具有电接垫且该第二单元藉由匹配第一单元的电接垫而和第一单元接合。一光信号自一外部介质经由一部分蚀刻开口，一蚀穿开口，或一位于该第一单元的第二面的抗反射层而进入光元件。该部分蚀刻开口可在第一单元以使光信号由相对第一面的第二面表面入射到光元件；该蚀穿开口可在第二单元，以使光线经由第二单元一部分而入射到光元件。在将第一单元接合到第二单元时，可使用突起/凹陷成对结构以增加对准精确度。
光元件集成模块开口电接蚀刻接合第二面入射成对结构抗反射层外部介质凹陷突起匹配对准

[发明专利]无线能量传输发光系统及其芯片级发光装置的制备方法-CN201410758310.X有效
发明人：詹腾;马骏;王钦金;伊晓燕;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L31/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种无线能量传输发光系统，该系统包括：无线能量发送装置和无线能量接收及发光装置，其中：无线能量发射装置用于将电能转换为可在空间范围内自由传播的自由能量，并利用无线能量传输方式将所述自由能量发射出去；无线能量接收及发光装置用于接收在空间范围内自由传播的自由能量，并将接收到的自由能量转换为发光器件可用的电能后驱动发光器件发光。本发明利用无线能量传输技术，规避了传统芯片工艺技术中的金属电极工艺，可以实现将芯片设计尺寸大大减小后，依然能够进行很好的无接触式电注入。无论在芯片研究或是应用技术领域，本发明无线电力驱动芯片技术将会具有很大的发展空间。
无线能量传输发光系统及其芯片级装置制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510278644.1在审
发明人：山口直 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L31/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。公开了具有改进的性能的半导体器件。在半导体器件中，在半导体基板的主表面之上形成绝缘膜部分以覆盖光电二极管，在与光电二极管的中心重叠的部分中的绝缘膜部分的上表面中形成凹形部分，并且在绝缘膜部分之上形成透射膜以闭合凹形部分。通过凹形部分和透射膜形成空间，并且该空间被布置为在平面图中与光电二极管的中心重叠。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具备波长转换功能的有机/无机混合光学放大器-CN201180050192.1无效
发明人：班大燕;吕正红;陈俊 -专利权人：班大燕;吕正红;陈俊
申请日： 2011-08-16 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L31/14 文献下载
摘要：本文介绍了一种可将红外光转换为可见光的有机/无机混合光放大器器件及其制造方法。该器件集成了一个无机异质结光电晶体管(HPT)，一个具备光学反射镜和电荷注入电极两种功能的嵌入式金属电极镜和一个有机发光二极管(OLED)。集成的光学放大器能够放大入射光并产生比入射光信号更强的反射光。该发明的第二点，光学放大器能够检测到入射的红外电磁波，并将其转换成可见光波。该光学器件具有光功率放大和光子能量上转换两种功能。光学放大器器件中将基于InGaAs/InP的HPT结构作为光电探测器，镀金金属作为内置反光镜，外加一个顶部发光OLED。此外，还可以通过制备有机/无机混合光学放大器的焦平面获得新型光学上转换成像器件。上转换成像器件响应快，在实际应用(如夜视、主动监测、半导体晶圆检测和人眼安全红外成像)中可进行监管。更重要的一点，上转换成像设备特别适用于对超低强度红外环境进行检测。
具备波长转换功能有机无机混合光学放大器

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