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[实用新型]一种具有双面光伏电池片的太阳能发电光热组件-CN202021178501.6有效
发明人：宫昌萌 -专利权人：南京联高新能源科技有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有双面光伏电池片的太阳能发电光热组件，包括座板、反光镜一和反光镜二，所述座板上端两侧设置有连接座一，所述连接座一朝向所述座板中部的斜壁上端设置有所述反光镜一，所述反光镜一远离所述连接座一一侧设置有固定座，所述固定座之间设置有连接座二，所述连接座二上端设置有所述反光镜二，所述固定座两内壁上设置有绝缘导热片，所述绝缘导热片之间设置有导电导热片。有益效果在于：本实用新型通过设置连接座一、连接座二、反光镜一和反光镜二，使组件可对多个角度的太阳光照进行利用，从而使双面光伏电池片被光照射的强度的到增强，时间得到增长，使组件能够更高效的进行光热、光电转换。
一种具有双面电池太阳能发电光热组件

[发明专利]可调电压源-CN201610829033.6有效
发明人： D·富尔曼;W·古特;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2016-09-18 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：一种可调电压源，其具有：数量为N的相互串联连接的部分电压源，部分电压源构造为半导体二极管，部分电压源中的每一个具有一个半导体二极管，半导体二极管具有p‑n结，每个半导体二极管具有p掺杂的吸收层，p吸收层被p掺杂的钝化层钝化，p掺杂的钝化层具有比p吸收层的带隙更大的带隙，半导体二极管具有n吸收层，n吸收层被n掺杂的钝化层钝化，n掺杂的钝化层具有比n吸收层的带隙更大的带隙；在每两个彼此相继的部分电压源之间构造有一个隧道二极管，隧道二极管具有多个半导体层，多个半导体层具有比p/n吸收层的带隙更高的带隙；部分电压源和隧道二极管单片地集成在一起且共同构成具有上侧和下侧的第一堆叠，且部分电压源的数量N大于等于2。
可调电压

[发明专利]TOPCon太阳能电池及其制造方法-CN202010874903.8在审
发明人：张津燕;汪训忠;马哲国;吴科俊;陈金元 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明提供TOPCon太阳能电池及其制造方法。所述制造方法包括以下步骤：(a).提供用于TOPCon太阳能电池的N型硅片；(b).将所述硅片进行制绒并在其第一面上进行扩散形成PN结；(c).在所述硅片的与第一面相对的第二面上依次形成氧化硅层、微晶硅籽晶层、掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层；(d).将所述硅片进行晶化退火处理使微晶硅和/或非晶硅晶化成多晶硅；(e).在硅片的第一面和第二面上分别形成第一减反钝化膜和第二减反钝化膜；以及(f).在硅片的第一面和第二面上分别形成第一电极和第二电极。本发明能有效解决掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层达到一定厚度会爆膜的问题，能有效减少漏电流，并有利于提升TOPCon电池的开压、填充因子和转换效率。
topcon 太阳能电池及其制造方法

[实用新型]一种串联型钙钛矿晶硅太阳能电池-CN202020557304.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳黑晶光电科技有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种串联型钙钛矿晶硅太阳能电池，该太阳能电池包括从下到上依次设置的：底电池、隧穿层和顶电池；所述底电池包括从下到上依次设置的金属底电极、底电极开孔钝化层、p型重掺杂层、p型硅、n型发射极和发射极钝化层。本申请串联型钙钛矿晶硅太阳能电池制作成本低廉，太阳光的寄生吸收少，光转换效率高，非常具有较好的商业化前景。
一种串联型钙钛矿晶硅太阳能电池

[实用新型]一种单晶N形双面光伏组件-CN202020514771.3有效
发明人：赵卫东;徐进;陶杰;顾彬;王志强;张天品 -专利权人：江苏东鋆光伏科技有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶N形双面光伏组件，涉及光伏组件技术领域。本实用新型包括N型硅片，N型硅片正面和背面分别设有P+层和N+层；P+层远离N型硅片一表面设有正面SiNX镀层；N+层远离N型硅片一表面设有背面SiNX镀层；正面透光玻璃与背面透光玻璃相对面且位于N型硅片两表面阵列均设有透光玻璃棒；透光玻璃棒为三角形结构；透光玻璃棒靠近N型硅片两侧面均设有反光膜。本实用新型通过在三角透明玻璃靠近N型硅片两侧设置有反光膜，光线经正面SiNX镀层和背面SiNX镀层反射后，部分光线经反射膜再次反射在N型硅片表面，避免光线直接反射出透光玻璃，增加了光线的照射，提高了双面光伏板的发电效率，实用性较强。
一种双面组件

[实用新型]一种PERC双面电池-CN202020538365.0有效
发明人：尹丙伟;张忠文;孙俊;杨蕾;丁士引;余波;王涛 -专利权人：通威太阳能（合肥）有限公司;通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开一种PERC双面电池，若干所述背面栅线呈横向间隔分布，所述背面栅线由若干背银栅线和若干背铝栅线交替连接而成形成PERC双面电池的背面结构。本实用新型双面电池正面采用无主栅设计，降低了银浆的使用量，背面采用新的栅线结构设计，仅仅在电池背面的焊线接触位置使用银栅线，其余不与焊线接触的区域均采用铝栅线进行制作得到PERC双面电池，这样可以大大降低了PERC电池的浆料成本。
一种 perc 双面电池

[实用新型]一种减少背激光损伤的PERC太阳能电池结构-CN202020514525.8有效
发明人：李律;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种减少背激光损伤的PERC太阳能电池结构。它从上到下的结构包括背银电极、外层铝背场、背面钝化层、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正银电极，其特征在于：所述P型硅和背面钝化层之间印刷有若干呈平行栅线状分布的内层铝背场，背面钝化层上通过激光开设有开槽，开槽的图形走向与内层铝背场的印刷图案上下对应，开槽贯通背面钝化层使外层铝背场与内层铝背场形成接触。本实用新型可减少或避免了激光开槽对硅基体的损伤，利于减少能级复合中心的引入，益于提高载流子的存活率，从而提高了太阳能电池转换效率。
一种减少激光损伤 perc 太阳能电池结构

[发明专利]多结太阳能电池-CN201980015689.6在审
发明人： D·富尔曼;G·凯勒;R·范莱斯特 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明涉及一种堆叠状的多结太阳能电池(MJ)，所述多结太阳能电池包括由最下方的子电池(C1)、至少一个中间子电池(C2)和最上方的子电池(C3)组成的堆叠(ST)，其中，每个子电池(C1，C2，C3)具有发射极(E1，E2，E3)和基极(B1，B2，B3)，至少所述最上方的子电池(C3)由III‑V族半导体材料组成或包括III‑V族半导体材料，所述最上方的子电池(C3)的发射极(E3)包括超晶格(SL)。
太阳能电池

[发明专利]发电器件及其电压提升方法、自驱动电子设备-CN201910259266.0在审
发明人：杨亚;季云 -专利权人：北京纳米能源与系统研究所
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种发电器件及其电压提升方法、自驱动电子设备，该方法包括：制备发电器件活性层，其具有相对的两个表面，分别为第一表面和第二表面；在第一表面上制备至少两个第一电极，相邻的任意两个第一电极之间存在间隔；在第二表面上制备至少两个第二电极，相邻的任意两个第二电极之间存在间隔，每个第二电极与每个第一电极相对设置形成一组对电极；将各组对电极通过如下方式进行电连接：其中每组对电极中的第一电极与相邻组对电极中的第二电极相连，位于首、末端的对电极中的第一电极或第二电极空置，作为发电器件的输出端。显著提升了输出电压，同时制备工艺简单，成本低。将发电器件作为电子器件的供能装置，形成的自驱动电子设备具有高集成度。
发电器件及其电压提升方法驱动电子设备

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN202010699451.4在审
发明人：徐孟雷;杨洁;张昕宇;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本申请提供了一种太阳能电池及其制作方法，涉及太阳能电池的制备技术领域。该太阳能电池的制作方法，包括以下步骤：在半导体衬底的第一表面形成电介质层；在电介质层的下表面形成多晶硅层；在多晶硅层的第一区域和第二区域分别进行掺杂处理，在半导体衬底的第二表面进行掺杂处理；对半导体衬底的第一表面和第二表面进行退火处理，退火完成后，在半导体衬底的第一表面分别形成第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层，且第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层的极性相反，在半导体衬底的第二表面形成第二表面扩散层；对退火处理后的半导体衬底进行后处理以获得所述太阳能电池。本发明能够简化太阳能电池的制作工艺，提高效率，降低生产成本。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]堆叠状的单片的正置变质的地面式的聚光太阳能电池-CN202010199946.0在审
发明人： D·富尔曼;W·古特;M·莫伊泽尔 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：一种堆叠状的、单片的、正置变质的、地面式的聚光太阳能电池，其具有恰好五个子电池且具有变质缓冲层，其中，第一子电池具有第一晶格常数G1，并且由锗组成，第二子电池具有第二晶格常数，并且具有GaInAs，第三子电池具有第二晶格常数G2，并且具有GaInAs，第四子电池具有第二晶格常数G2，并且具有InP，所述第五子电池具有第二晶格常数G2并且具有InP，G1G2适用于所述晶格常数，变质缓冲层布置在第一子电池和第二子电池之间，并且在面向第一子电池的下侧上具有第一晶格常数G1，并且在面向第二子电池的上侧上具有第二晶格常数G2，聚光太阳能电池的布置在第一子电池上方的所有半导体层均在各个位于前面的子电池上外延产生。
堆叠单片变质地面聚光太阳能电池

[发明专利]一种新型多层隧穿结及其在双结叠层电池的应用-CN202010558374.0在审
发明人：寿春晖;曾俞衡;叶继春;闫宝杰;郑晶茗;卢琳娜;廖明墩;杨熹;盛江 -专利权人：浙江浙能技术研究院有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型多层隧穿结及其在双结叠层电池，包括：晶硅衬底、第一超薄介质层、第一层重掺杂硅薄膜、第二超薄介质层和第二层重掺杂硅薄膜；在新型多层隧穿结内部，从上至下依次为:第二层重掺杂硅薄膜、第二超薄介质层、第一层重掺杂硅薄膜、第一超薄介质层和晶硅衬底；所述晶硅衬底为n型晶体硅或p型晶体硅。本发明的有益效果是：基于硅衬底‑介质层‑第一层硅薄膜的结构是一种名为钝化隧穿的晶硅电池技术。该技术具有良好的硅片表面钝化效应和载流子收集效应，采用该钝化接触结构可以实现全表面的载流子收集，无需借助金属电极，从而使得整个硅片表面的载流子复合速率非常低。
一种新型多层隧穿结及其双结叠层电池应用

[实用新型]一种硅基阵列叠层太阳能电池-CN202020169954.6有效
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;魏青竹;倪志春;洪学鹍;钱洪强 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基阵列叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底表面刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构四周设置SiO2绝缘层，在n型单晶硅衬底中间及纳米孔内壁制备p型掺杂层，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极，TiO2薄膜层层叠于SiO2绝缘层和p型掺杂层之上并填充嵌入纳米孔内。本实用新型通过利用硅孔阵列优异的光捕获能力，同时利用TiO2填充硅孔阵列提高载流子的收集效率，在提高光子吸收效率的同时提高光电流密度。
一种阵列太阳能电池

[发明专利]一种太阳能电池-CN201910137619.X在审
发明人：李华;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池，包括：p型硅基底；自其正面向外依次设置的n型掺杂层、正面钝化减反射膜和正面电极；以及自背面向外设置的背面钝化膜和背面电极；p型硅基底的背面和背面钝化膜之间设置有若干p型掺杂区域，p型掺杂区域的掺杂浓度大于p型硅基底的掺杂浓度；背面电极与p型掺杂区域接触。本发明提供的太阳能电池，通过在p型硅基底背面掺杂浓度较高的p型掺杂区域，使得载流子的浓度大为提高，使得p型掺杂区域的电阻率下降，因此增加了电流的收集能力。同时，可以增加背面电极中含铝电极之间的间距，以减少电极与p型掺杂区域的接触面积，进而降低了金属电极和半导体接触区域的载流子复合速率，最终提高了电池的效率。
一种太阳能电池

[发明专利]一种叉指型背接触太阳电池结构及其制造方法-CN201910635917.1在审
发明人：高嘉庆;宋志成;郭永刚;屈小勇;吴翔;马继奎;张博 -专利权人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本专利提供了一种叉指型背接触太阳电池结构及其制造方法，包括N型单晶硅片为基体，所述单晶硅片前表面设置有硼掺杂层，所述单晶硅片前表面硼掺杂层上设置有AL2O3钝化层，在所述单晶硅片前表面AL2O3钝化层上设置有SiNx减反射层；所述单晶硅片背表面场为磷掺杂层，所述单晶硅片背面发射极为硼掺杂层，所述单晶硅片背表面设置有SiO2钝化层，所述单晶硅片背面发射极表面设置有AL2O3钝化层，所述单晶硅片背面场表面设置有SiNx钝化层，电池前表面采用FFE浮动结结构在有效降低表面载流子复合的同时可提供背表面场的宽度比例，降低工艺难度；可有效降低电池正反面的少子复合率，进而提升电池转换效率。
一种叉指型背接触太阳电池结构及其制造方法