“H01B3/12”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果257个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种微波陶瓷材料及用该材料制成的介质谐振器-CN202011097434.X有效
发明人：薛凌 -专利权人：南京新智电子材料科技有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种微波陶瓷材料及用该材料制成的介质谐振器，按重量百分比包含以下组分：氧化钡45.0‑65.0％、氧化锌5.0‑10.0％、五氧化二钽35.0‑40.0％、二氧化锆0.01‑3.0％、二氧化锡0.01‑3.0％、三氧化二铁0.01‑1.0％、三氧化二镧0.01‑1.0％、氧化钴0.01‑1.0％、氧化锶0.01‑3.0％、三氧化二镓0.01‑3.0％、三氧化二铝0.01‑3.0％、氧化镍0.01‑1.0％、氧化铜0.01‑1.0％、二氧化钛0.01‑3.0％，各组分的质量百分比之和为100％。本发明通过不同金属氧化物的配比来制得性能优异、超高品质因数的微波陶瓷材料及介质谐振器，来匹配5G通讯需求的微波介质材料以及5G通讯所用到的介质谐振器等元器件产品。
一种微波陶瓷材料材料制成介质谐振器

[发明专利]一种介质陶瓷材料的制备方法-CN202111440799.2有效
发明人：田德辉 -专利权人：无锡市惠丰电子有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷材料技术领域，公开了一种介质陶瓷材料的制备方法，包括将原材料三氧化二钐、碳酸锂、三氧化二钕、二氧化钛、碳酸钙与去离子水混合，用球磨机磨成浆料，再过滤脱水、烘干并破碎成粉料，随后预烧结，再次球磨得到二次浆料，继续加入粘合剂并搅拌进行造粒、模压成型、加热排塑，最后将成型材料送至烧结炉中烧结。这种方法制得的介质陶瓷材料拥有较高的品质因数和介电常数、较低的烧结温度，频率温度系数也几近于0，可适用于小型化和集成化的无线通讯系统。
一种介质陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种铝酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法-CN202110850519.9有效
发明人：宋小强;雷文;吕文中;付明;王晓川;梁飞;汪小红;范桂芬 -专利权人：华中科技大学温州先进制造技术研究院
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝酸盐基低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法，其中微波介质陶瓷的主晶相具有石榴石型晶体结构，具体化学组成为(2+x)CaO‑0.5Ln2O3‑(2‑y)ZrO2‑(x+y)MO2‑1.5Al2O3，Ln为Y、La、Lu、Gd或其它镧系元素，M为Hf、Sn或Ti，0≤x≤0.5，0≤y≤2.0。微波介质陶瓷的介电常数为10.81～13.52，品质因数为72441GHz～121930GHz，谐振频率温度系数为+0.50ppm/℃～‑35.48ppm/℃。在制备过程中陶瓷材料预烧条件为1300℃保温5小时，烧结条件为1500℃～1600℃保温10小时。本发明中制备得到的微波介质陶瓷具有低介电常数、高品质因数、谐振频率温度系数可调控至近零的特点，适合用于制备介质基板、介质谐振器、介质天线等微波通讯器件。
一种铝酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种微波介质材料及其制备方法-CN202111527364.1有效
发明人：马才兵;刘潮锋;殷旺 -专利权人：广东国华新材料科技股份有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种微波介质材料，化学式为：Sr(1+2x)La2.03(1‑x)[Al(1‑x)Tix]2O7.045，其中，x＝0.05～0.8。本发明提供的微波介质材料的介电常数在25～35之间，Qf值大于80000GHz，温漂‑0～+30ppm/C之间，强度大于200MPa，原材料成本低廉，制备工艺简单。填补了微波介质材料材料在30附件没有低成本、高强度介质材料的空白，极大的丰富了微波介质材料的应用，同时也提供一种新的提高微波介质材料Q值得制备方法。
一种微波介质材料及其制备方法

[发明专利]一种低温烧结改性NiO-Ta2-CN202111292700.9有效
发明人：邢孟江;曲明山;杨鸿宇;孙成礼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体为一种低温烧结改性NiO‑Ta2O5基微波介质陶瓷材料及其制备方法。是以离子掺杂改性为指导依据，不仅考虑到以相近半径的离子进行取代，如Zn2+取代Ni2+离子，V5+取代Ta5+离子；同时选择的掺杂氧化物仍具有低熔点的性质。因此可以实现改善NiO‑Ta2O5基陶瓷材料微波介电性能的同时仍能降低适宜的烧结温度。在本发明中，通过调节各原料的摩尔含量，直接一次合成了具有低温烧结、温度稳定且微波介电性能优异的NiO‑Ta2O5基陶瓷材料，可广泛应用于LTCC技术领域。
一种低温烧结改性 nio ta base sub

[发明专利]一种巨介电常数、低损耗和高电阻率的BaTiO3-CN202111585249.X有效
发明人：李甜;郑兴华;刘杰;戴书云;张欢;朱培树 -专利权人：福建贝思科电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种巨介电常数、低损耗和高电阻率的BaTiO3基细晶陶瓷，由包括以下摩尔份数组分的原料和MAS制备而成：BaTiO3 100份；Ln2O3 0.2份～2份；MnO2 0.2份～2份；MgO 0.05份～2份；所述Ln2O3为Y2O3、H2O3、Dy2O3和Sm2O3中的一种或多种；所述MAS的含量为BaTiO3的0.5wt％～3wt％。与现有技术相比，本发明提供的巨介电常数、低损耗和高电阻率的BaTiO3基细晶陶瓷采用特定含量组分，实现整体较好的相互作用，得到的产品克服了大多数介电陶瓷材料存在的介电常数较低、晶粒过大、电阻率低等问题，具有应用于MLCC领域的巨大潜力；本发明制备的陶瓷表现出了优异的性能：相对介电常数104，介电损耗0.01～0.05，电阻率109Ω·cm，晶粒细小(粒径350nm)，属于环境友好型电子材料，可以满足小型化、轻量化的多层陶瓷电容器MLCC实际应用要求。
一种介电常数损耗电阻率 batio base sub

[发明专利]一种具有高温度稳定性的介电陶瓷材料-CN202011617860.1有效
发明人：仪凯;李洋;张庆猛;孙竹叶;杨志民;杨剑 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明属于高压陶瓷材料领域，尤其涉及一种具有高温度稳定性的介电陶瓷材料的制备方法。本发明以Bi2O3、La2O3、TiO2、CaCO3为原料，按照配比要求，采用固相烧结合成工艺合成。由上述介电材料制成的陶瓷电容器，具有如下电气性能：温度变化率|△ε|/ε25≤1％(‑40℃～70℃)，介电常数ε25≥130，损耗角正切值tgδ≤0.3％，击穿电压VBAC≥5kV/mm，适合用于电子式电压互感器用电容器。
一种具有温度稳定性陶瓷材料

[发明专利]一种介电常数大于12000的介电材料及制备方法-CN202110985922.2有效
发明人：杜正明 -专利权人：四川特锐祥科技股份有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开一种介电常数大于12000的介电材料及制备方法，包括钛酸钡、改性锆酸钙、锡酸铋和助溶剂；所述钛酸钡、改性锆酸钙、锡酸铋之间的重量比为(0.8～0.9)：(0.1～0.15)：(0.01～0.05)；助溶剂的重量为钛酸钡、改性锆酸钙、锡酸铋重量和的1％～8％。本发明的材料介电常数大于12000，抗电强度大于4.5KV(AC)/mm，温度系数同时还能满足现有2E4材料的要求。
一种介电常数大于 12000 材料制备方法

[发明专利]具有超高Q值的低介微波介质陶瓷及其LTCC材料-CN202210503765.1有效
发明人：杜康;汪胜祥;朱维;周偲 -专利权人：武汉纺织大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有超高Q值的低介微波介质陶瓷及其LTCC材料，通过将化学式为xCaO‑ySnO2‑zAl2O3的化合物用于制备低介微波介质陶瓷，制得的低介微波介质陶瓷中不含易变价元素、主相成分稳定且适合批量生产。另一方面，将上述化合物与烧结助剂在961℃以下混合烧结，可进一步得到能够作为LTCC材料的LTCC微波介质陶瓷，利用上述方式制得的LTCC微波介质陶瓷具有优异的品质因数、较低的低介电常数、对环境无污染及原材料价格低廉的优势，是一种极具应用前景的新型LTCC材料。
具有超高微波介质陶瓷及其 ltcc 材料

[发明专利]碳化硅增韧微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202011612951.6有效
发明人：冒旭;黄庆焕;顾国治;王津;艾晨霞;梁小健 -专利权人：无锡市高宇晟新材料科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明适用于介质陶瓷生产技术领域，公开了一种碳化硅增韧微波介质陶瓷材料，包括以下重量份的原料组分：氧化镁48‑57份、氧化硅33‑42份、氧化铝5‑10份、氧化锆0.3‑0.5份、氧化铈0.2‑0.6份以及碳化硅0.02‑0.1份。还提供了一种制备所述碳化硅增韧微波介质陶瓷材料的方法。能显著提高陶瓷材料的抗弯强度和热震性能，减少陶瓷材料在实际使用环境中因温度变化对材料性能所造成的影响；且制备工艺简单，陈本低廉，适用于工业化大规模生产。
碳化硅微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种Ba-Mg-Co-Ta基微波介质陶瓷-CN202111651641.X有效
发明人：况一民;蒋学鑫;王韶晖 -专利权人：安徽壹石通材料科技股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料领域，具体涉及一种Ba‑Mg‑Co‑Ta基微波介质陶瓷，原料组成为BaCO3、MgO、CoO和Ta2O5，化学通式为Ba[(Mg1‑xCox)1/3Ta2/3]O3，其中0.1≤x≤0.3，所述微波介质陶瓷的介电常数为22.0～22.6，谐振频率温度系数为‑3.1ppm/℃～+2.5ppm/℃，品质因数为30000～60000GHz。本发明采用一步法煅烧合成Ba(Mg1/3Ta2/3)O3，再采用分步法煅烧合成Ba(Co1/3Ta2/3)O3，最后将Ba(Mg1/3Ta2/3)O3和Ba(Co1/3Ta2/3)O3进行混合烧结，得到的Ba[(Mg1‑xCox)1/3Ta2/3]O3基微波介质陶瓷。由图1可知采用分步法煅烧Ba(Co1/3Ta2/3)O3可以促进其成相，减少第二相的生成。由图2可知，采用分步法煅烧的Ba(Co1/3Ta2/3)O3原料与Ba(Mg1/3Ta2/3)O3混合烧结后没有第二相产生。由表3可知，将两种原料粉末按一定比例混合烧结可以改善谐振频率温度系，得到近零谐振频率温度系数的微波介质陶瓷。
一种 ba mg co ta 微波介质陶瓷

[发明专利]低温环境下低损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料及其制备方法-CN202111157600.5有效
发明人：张建花;郭斯琪;卢文敏;陈子成;王大伟;郭向阳;郝嵘;雷志鹏;李媛媛;田慕琴 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开一种低介电损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料及其制备方法。本陶瓷材料的组成为Ca1‑xLaxCu3Ti4O12+0.5x(0x1)。该粉体用溶胶凝胶法合成。具体工艺为：以硝酸铜、硝酸钙、硝酸镧、钛酸四丁酯为原料，按照计量比进行称量配料；以无水乙醇为溶剂；将上述溶胶置于水浴锅中，不断搅拌至形成干凝胶；利用电炉和马弗炉除去干凝胶中的有机物，形成CLCTO前驱体粉末；之后进行加胶、研磨、压片，制成陶瓷胚体，再把胚体放入马弗炉内烧结；在炉内自然冷却至室温，得到CLCTO介电陶瓷。该陶瓷的介电损耗可在20℃降低至0.008，在低温环境下（‑100℃），50 Hz时介电损耗更是可以降低至0.003以下，在低温环境下具有广泛的应用前景。
低温环境损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]低温烧结温度稳定型介质波导用微波介质陶瓷及制备方法-CN202011567479.9有效
发明人：吉岸;王晓慧;金镇龙 -专利权人：无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温烧结温度稳定型介质波导用微波介质陶瓷，其包括主成分和烧结助剂，该主成分的物相包括MgTiO3、CaTiO3和Li0.5Nd0.5TiO3，该微波介质陶瓷是以MgO、TiO2、CaCO3、Li2CO3、Nd2O3为原料，MgO的摩尔比为a，TiO2的摩尔比为b，CaCO3的摩尔比为c，Li2CO3的摩尔比为d，Nd2O3的摩尔比为e，0.20≤a≤0.30，0.5≤b≤0.7，0.03≤c≤0.05，0.02≤d≤0.04，0.05≤e≤0.15，a+b+c+d+e＝1。该微波介质陶瓷的介电常数为20左右，损耗低，温度稳定性好，烧结温度较低，可以满足介质波导器件材料的要求。
低温烧结温度稳定介质波导微波介质陶瓷制备方法

[发明专利]一种中介电常数电子陶瓷材料及其制备方法-CN202210019481.5有效
发明人：方豪杰;贺亦文;张晓云;曾雄;张斗;黄荣厦;龙莹 -专利权人：湖南省美程陶瓷科技有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种中介电常数电子陶瓷材料及其制备方法，由主晶相、烧结助剂和复合粉体组成；所述主晶相为BaSm2Ti4O12；所述烧结助剂由CuTa2O6、Eu2O3、氟化物组成；所述复合粉体为多孔Al2O3吸附纳米SnO2和纳米CeO2，本发明所制备电子陶瓷材料的介电常数在45.20‑45.37之间，稳定性高，介电损耗小，品质因子高，谐振频率温度系数无限接近于零，漂移程度小，可以保证工作稳定性，且能够满足5G通信基站建设所用。
一种介电常数电子陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]脉冲储能陶瓷材料及其制备方法-CN202110033110.8有效
发明人：唐斌;陈菁菁;赵鹏;杨成韬;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种脉冲储能介质陶瓷材料及制备方法，属于电子元器件材料领域。本发明由K0.5+xLayBi0.5(Mg0.5Zr0.5)yTiO3(0≤x≤0.05，0.05≤y≤0.15)主晶相和改性添加剂组成。所述改性添加剂为：CeO2、Nb2O5、Nd2O3、ZnO、MnCO3、SiO2中的一种或几种。其制备方法包括配料、球磨、造粒、成型、烧结。所述脉冲储能介质陶瓷材料有较高的储能密度，在200kV/cm(交流)下为2.0J/cm3，抗电强度为130～200kV/cm(交流)，储能效率为73％～75％，性能稳定，适于制作脉冲电容器介质材料。制备方法具有简单、易控、环保和成本低廉的特点。
脉冲陶瓷材料及其制备方法