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[发明专利]薄膜电容元件用组合物、高电容率绝缘膜、薄膜电容元件和薄膜叠层电容器-CN02821471.4有效
发明人：坂下幸雄;舟洼浩 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2002-08-26 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明是在基板4上依次形成下部电极6、电介质薄膜8和上部电极10的薄膜电容器2。电介质薄膜8由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi₂O₂)²⁺ (A_m－1B_mO_3m+1)^2－或Bi₂A_m－1B_mO_3m+3表示，上述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。电容率的温度特性优良，同时即使变薄也具有较高的电容率且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，表面平滑性也优良。
薄膜电容元件组合绝缘电容器

[发明专利]陶瓷绝缘件及其制备方法-CN200310106507.7无效
发明人：虞育号;周飞 -专利权人：南京智达电气有限公司
申请日： 2003-12-03 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种敞开式干式变压器的陶瓷绝缘件及其制备方法，该陶瓷绝缘件，主要由以下各重量比的原料制成：铝钒土38－45％、长石20－25％、粘土30－42％。本发明一种制备方法采用球磨，制泥，真空练泥后成型，初次中高温烧制，超高压水射流切割，二次烧成等方法生产。另一种制备方法采用球磨，制泥，真空练泥后热压成型技术，经高温不上釉烧成后喷涂环氧树脂。本发明的陶瓷绝缘件电气性能好，局部放电低，不受潮，环保性能好，成本显著降低，外形美观。
陶瓷绝缘及其制备方法

[发明专利]电介质陶瓷组合物和陶瓷电容器-CN200410008291.5有效
发明人：水野洋一;静野寿光;斋藤贤二;河本康信 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2001-07-02 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：因陶瓷电容器的小型大容量化，坯片形成薄层化时，出现单位厚度所承受的电压增加，电介质层的寿命时间缩短，层积陶瓷电容器的可靠性降低的问题。本发明系将含有如下成分的烧结体作为陶瓷电容器的电介质层的材料使用，该烧结体中Ba及Ti的氧化物换算成BaTiO₃时为100摩尔份，Re(Re为选自Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Y中的一种或两种以上)的氧化物换算成Re₂O₃时为0.25～1.5摩尔份，Mg的氧化物换算成MgO时为0.2～1.5摩尔份，选自Mn、V及Cr的一种或两种以上元素的氧化物分别换算成Mn₂O₃，V₂O₅，Cr₂O₃时，含有0.03～0.6摩尔份、Mo和W中至少一种的氧化物分别换算成MoO₃、WO₃时为0.025～0.25摩尔份，还含有一定比例的SiO₂或含SiO₂的玻璃成分。
电介质陶瓷组合电容器

[发明专利]电介质瓷器组合物及利用所述组合物的电介质谐振器-CN200410008685.0有效
发明人：宫内泰治;岚友宏 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-03-16 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供可控制相对介电系数εr和温度系数τf的、具有例如适合于准毫米波以及毫米波频带的相对介电系数εr以及接近零的温度系数τf的电介质瓷器组合物。通过在MgTiO₃中加入Mg₂SiO₄，控制相对介电系数εr。例如，当MgTiO₃的摩尔比为a，Mg₂SiO₄的摩尔比为b时，通过a+b＝1、0.5≤b≤1，实现小于等于12的相对介电系数εr。另一方面，通过在MgTiO₃中加入CaTiO₃，控制温度系数τf。例如，当MgTiO₃的摩尔比为a，CaTiO₃的摩尔比为c时，通过a+c＝1、0≤c≤0.15，实现±55ppm/K的温度系数τf，通过0.03≤c≤0.08，实现±30ppm/K的温度系数τf。而且，温度系数τf控制在零附近。
电介质瓷器组合利用谐振器

[发明专利]介电陶瓷组合物和单块陶瓷电容器-CN00121712.7有效
发明人：冈松俊宏;中村友幸;堀宪治;畠宏太郎;佐野晴信 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2000-07-19 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：一种介电陶瓷组合物，包括含钛酸钡Ba_mTiO₃主要组分，RO_3/2、CaO、MgO和SiO₂次要组分的复合氧化物，R是至少一种选自Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb的元素；该复合氧化物满足关系100Ba_mTiO₃+aRO_3/2+bCaO+cMgO+dSiO₂，以摩尔计0.990≤m≤1.030，0.5≤a≤6.0，0.10≤b≤5.00，0.010≤c＜0.900，0.05≤d＜1.50。该介电陶瓷组合物的静电容量与温度关系满足JIS和EIA标准，具有大的CR乘积。含有这种组合物组成的介电陶瓷层的单块陶瓷电容器具有高的可靠性。
陶瓷组合电容器

[发明专利]高频介电陶瓷组合物、介电共振器、介电滤波器、介电双工器和通讯装置-CN00132921.9有效
发明人：立川勉;高木齐 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2000-10-12 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：可以获得具有介电常数(ε_r)为30～50、在1GHz时的Q值为15000或更高以及共振频率的温度系数(ιf)可以任意控制在0(ppm/℃)附近的高频介电陶瓷组合物。该组合物是以钙钛矿型晶体相为主的晶体，并且可以通过表达式为(1-x)MeTi_aO_1+2a-xLn(Ma_1/2Mb_1/2)_bO_(3+3b)/2来表示，其中Ln是一种稀土元素、Ma是选自包括Mg和Zn中的至少一种、Mb是选自包括Sn和Zr中的至少一种、以及Me是选自包括Ca和Sr中的至少一种，x为摩尔分数以及0.950≤a≤1.050、0.900≤b≤1.050和0.300≤x≤0.500。
高频陶瓷组合共振器滤波器双工器通讯装置

[发明专利]压电陶瓷材料以及使用该材料的整体式压电转换器-CN00128839.3无效
发明人：林宏一;中道晃洋;安藤阳 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2000-09-07 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：一种含W的烧结压电陶瓷材料以及使用该材料的压电转换器，W化合物或W氧化物在这种材料中的分离受到抑制。该陶瓷材料含有钛酸铅作为主组分；含Mn氧化物或含Mn化合物、含W化合物或含W氧化物作为辅助组分；含Si氧化物或含Si化合物作为添加组分，其中，钛酸铅的15％摩尔或更少、但是大于0％摩尔的Pb被至少一种选自镧、钕或铈的元素取代，其中，以主组分为基准的重量百分数计，所述含Mn氧化物或含Mn化合物的加入量为0.1-5.0％重量，按折算为MnO计，含W氧化物或含W化合物的加入量为0.1-5.0％重量，按折算为WO₃计；以所述主组分和辅助组分总量为基准，含Si氧化物或含Si化合物的加入量为2.0％重量或更少，但不包括0％重量，按折算成SiO₂计。或者，该压电陶瓷材料包括含PbTiO₃和Pb(Mn_yW_(1-y))O₃的主组分和添加的SiO₂或PbSiO₃。
压电陶瓷材料以及使用材料整体转换器

[发明专利]低温烧结用电介质组合物和电子器件-CN200410006131.7有效
发明人：大渕武志;小田切正 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2004-03-02 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种介电常数εr大、能够保持高的无载荷Q值、并且能够保持低共振频率温度系数τf的低温烧结用电介质组合物。该低温烧结用电介质组合物中，相对于100重量份具有以下组成：x·BaO－y·TiO₂－z1·Nd₂O₃－z2·La₂O₃－z3·Sm₂O₃－t·Bi₂O₃(式中x+y+z1+z2+z3+t＝1；0.070≤x≤0.300；0.385≤y≤0.844；0.010≤z1≤0.130；0.000≤z2≤0.120；0.000≤z3≤0.120；0.075＜t≤0.185)的主成分组合物，还混合有大于等于0.05重量份小于等于20重量份的含有大于等于0.1重量％B₂O₃的玻璃成分。或者，相对于所述主成分组合物100重量份，含有大于等于0.05重量份小于等于10重量份的B₂O₃。
低温烧结用电介质组合电子器件

[发明专利]电介质陶瓷组合物和陶瓷电容器-CN01122364.2有效
发明人：斋藤贤二;森田浩一郎;水野洋一;河本康信;冲野喜和;神津典之;茶园广一 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2001-07-02 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：近年来，从未停止过提高电子器材性能的要求，因此，制造业对于电子零件的特性要求亦日趋严苛。而对陶瓷电容器的电特性也要求日严，特别是要求具有更优良温度特性与产品寿命的产品。本发明系可作为陶瓷电容器电介质层材料使用的电介质陶瓷组合物的发明，其特征为由BaTiO₃为主成分的陶瓷粒子的烧结物所构成，该烧结物含有芯·壳结构的陶瓷粒子，该具有芯·壳结构的陶瓷粒子由芯部与包围芯部的壳部所构成，该芯部由近乎纯的BaTiO₃所构成，而该壳部由以BaTiO₃为主成分的固溶体所构成，该烧结物的截面上，该芯·壳结构陶瓷粒子的粒子数比例为形成该烧结物的全部陶瓷粒子的粒子数的15％以上。
电介质陶瓷组合电容器

[发明专利]不对称构型电介质层的约束烧结方法-CN03138189.8无效
发明人： C·B·王;K·W·杭;C·R·S·尼德斯 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 2003-05-30 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：一种生产无变形不对称低温共烧陶瓷结构的方法，该结构包含至少一层含玻璃的内约束带和至少一层含玻璃的主带，其中内约束带和主带层合形成不对称层合物，且其中在层合物的至少一个表面上沉积剥离层从而形成一种组件，其中所述表面对着层合的诸层的最大不对称位置且其中组件经热处理生产出一种显示相互抑制x，y收缩能力的结构。
不对称构型电介质约束烧结方法

[发明专利]一种新型灯头绝缘材料-CN02150946.8无效
发明人：吴贺然 -专利权人：上海纯青实业有限公司
申请日： 2002-12-09 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型灯头绝缘材料，这种新型灯头绝缘体材料以瓷粉为主体添加5～10％硅酸钠和碱性胶乳经搅拌均匀，并经压制而成，代替熔制过程中耗能高的玻板绝缘体和价格昂贵的环氧树脂玻纤板，并可使工艺简化，改善工人劳动强度。
一种新型灯头绝缘材料

[发明专利]加热丝用绝缘材料及其制备方法和其应用-CN02153443.8有效
发明人：秦光荣;尉秀英;詹锋;杜军;蒋利军;苑鹏;王志刚;郑强;朱京;王磊 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2002-11-27 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：一种加热丝用绝缘材料及其制备方法和其应用。绝缘材料的组成和含量为：SiO₂30－70wt％、Al₂O₃ 5－35wt％、Na₂O 5－20wt％、CaO 5－25wt％、P₂O₅ 3－15wt％、B₂O₃ 3－15wt％。该方法和其应用包括：(1)用CaCO₃、Al(OH)₃、石英沙、P₂O₅、H₃BO₃、纯碱为原料，进行配料；(2)熔炼均匀透明的液态材料，加料温度为1250℃－1500℃，淬成颗粒；(3)球磨成粉末，即获得绝缘材料。(4)将制得的粉末制成选悬浮液，涂覆在加热丝上；(5)在氢气炉中进行析晶处理，温度为850℃－1200℃ 10－50分钟，随炉冷却，便制得该绝缘材料涂层；(6)在涂层上再施加金属功能材料。该加热丝用绝缘材料与内加热丝及功能材料三者之间具有良好的结合强度，并完全满足功能材料元件对绝缘材料物化性能的需要。
加热绝缘材料及其制备方法应用

[发明专利]微波电介质瓷器组合物和电介质谐振器-CN01819249.1有效
发明人：水井敏博;板仓一久;樽谷拓哉 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2001-03-02 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及具有高的Qu等优良的介电特性的微波电介质瓷器组合物，此外，还涉及即便是大型也具有高的Qu的电介质谐振器。本发明的微波电介质瓷器组合物，含有可用xCaTiO₃－(1－x)REAlO₃(其中，0.54≤x≤0.82)表示的，RE为La、Nd和Sm之中的至少La是主成分。此外，本发明的微波电介质瓷器组合物，含有可以用组成式xCa_aTi_bO₃－(1－x)Ln_cAl_dO₃ (其中，0.54≤x≤0.82)表示的，Ln为Y、La、Nd、Sm等之中的至少一种的主成分，和在设该主成分为100重量份的情况下，用Na₂O换算的0.02～0.5重量份的Na。此外，本发明的电介质谐振器，由上述微波电介质瓷器组合物构成。
微波电介质瓷器组合谐振器

[发明专利]介电陶瓷组合物、使用该组合物的多层陶瓷片状电容器及该电容器的制备方法-CN02157839.7无效
发明人：朴海成;许康宪;金佑燮;金俊熙;金钟翰 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2002-12-20 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明制备了多层陶瓷片状电容器，其满足X5R特性(－55－85℃，ΔC＝±15％)要求，并与还原氛烧结条件相适应，从而可使用贱金属如镍和镍合金作为内电极。所述的多层陶瓷片状电容器包含交替层压的介电陶瓷层和内电极层，其中介电陶瓷层中含有BaTiO₃和其他成分，且每100摩尔BaTiO₃，其他成分的量为MgCO₃：0.2－3.0摩尔；选自Y₂O₃、Ho₂O₃、Dy₂O₃和Yb₂O₃的至少一种：0.05－1.5摩尔；Cr₂O₃：0.1－1.5摩尔；BaxCa(1－x)SiO₃(假设0≤x≤1)：0.2－3.0摩尔；和Mn₂V₂O₇：0.01－1.5摩尔。本发明的多层陶瓷片状电容器介电常数高，满足X5R特性，可以在1200－1250℃的低温下烧结。
陶瓷组合使用多层片状电容器制备方法

[发明专利]介电陶瓷组合物及其制造方法、以及层压电容器-CN03120586.0有效
发明人：矢野博嗣;冈田一成;儿岛昌造 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2003-03-14 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：一种介电陶瓷组合物，是由通式xRe2O3－yBaO－zTiO2(其中，Re是选自Nd、La、Pr、Ce、Sm的至少一种稀土类元素，且x+y+z＝100)表示的介电陶瓷组合物，所述x、y、z设定在所定摩尔组成范围内，且相对于100wt％的通式组成，分别添加有不足0.3wt％的Nb2O5(不含0wt％)、3wt％以下的SiO2(不含0wt％)、3wt％以下的MnO(不含0wt％)。根据本发明，可以在不损害温度系数和高温负荷下的绝缘电阻的情况下，降低短路不良率，并提高材料利用率。
陶瓷组合及其制造方法以及层压电容器