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[发明专利]电子部件、电介质陶瓷组合物及其制造方法-CN200610059224.5无效
发明人：伊东和重;佐藤阳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-01-20 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：一种电介质陶瓷组合物，其特征在于包含：含有Ba、Ca和Ti，且含有具有通式ABO₃所表示的钙钛矿型结晶结构的化合物的主成分；和含有Zr化合物的第4副成分，并且相对于100摩尔的上述主成分，以Zr换算，上述第4副成分的含量大于0摩尔、不足5摩尔。优选上述电介质陶瓷组合物具有偏析相，且在上述偏析相中，含有Zr化合物。
电子部件电介质陶瓷组合及其制造方法

[发明专利]掺杂有镁和硅的介电陶瓷粉末,制造其的方法及含有其的电容器-CN200610003022.9有效
发明人： P·J·施密特;奥利弗·施泰戈尔曼;巴比·S·施奈乌马赫尔;德特勒尔·亨宁斯;杰奎琳·梅里基维 -专利权人：国巨股份有限公司
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种介电陶瓷粉末，所述粉末的颗粒具有一显示芯－壳结构的组成，且在环绕所述芯的所述壳中包括至少两种掺杂金属，其中所述掺杂金属选自至少由Mg和Si组成的群组，其特征在于Mg和Si是以胶体相形式提供，所述胶体相的粒径小于所述芯颗粒的粒径。本发明还涉及一种制造胶体状Mg₂SiO₄的方法，且涉及包含本发明的经掺杂介电陶瓷粉末的电容器，具体而言是多层陶瓷电容器。
掺杂陶瓷粉末制造方法含有电容器

[发明专利]电介质陶瓷的溶胶组合物和电介质陶瓷及多层陶瓷电容器-CN200510008630.4无效
发明人：金容锡;申孝顺;金亨镐;秋昊成;李政右 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2005-02-28 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：公开在此的是一种用于超薄电介质陶瓷薄膜的溶胶组合物，和使用其制备的电介质陶瓷和多层陶瓷电容器。由作为主要成分的BaTiO₃和辅助成分组成的溶胶组合物，包括具有BaTiO₃的金属前体溶液和有机溶剂的聚合物溶胶，和溶解于有机溶剂中以用作辅助成分的有机添加剂，其中，有机添加剂的量相应于电介质陶瓷的辅助成分所需的量。此外，由溶胶凝胶法制备的超薄电介质陶瓷薄膜包括辅助成分，因此，存在这样的优点：使低温烧结成为可能和具有高的介电常数、高烧结密度和符合EIA标准的X5R的TCC特性。
电介质陶瓷溶胶组合多层电容器

[发明专利]介电材料及其制备方法-CN200410090684.5有效
发明人：李文熙;苏哲仪;杨义丰 -专利权人：国巨股份有限公司
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种新颖的钛酸锌(ZnTiO₃)系统的介电材料，其组成具有如下通式：(Zn_1－aMg_a)(Ti_1－b－cMn_bD_c)_dO₃，其中，D为五价以上的元素，0≤a≤0.5，c≤b≤0.1，0＜c≤0.1，1≤d≤1.5，其具有超低温烧结、高品质因子、高可靠度及高耐压特性，并可用于制造具有高绝缘电阻值的低电容的积层陶瓷电容器。本发明还涉及该新颖钛酸锌系统的介电材料的制备方法。
材料及其制备方法

[发明专利]铁电膜、半导体装置、铁电膜的制造方法及其制造装置-CN200480003650.6无效
发明人：大见忠弘;高桥一郎;山田敦彦;樱井弘之 -专利权人：东京毅力科创株式会社;大见忠弘
申请日： 2004-02-03 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明目的在于降低Sr₂ (Ta_1－xNb_x)O₇ (0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。本发明是一种铁电膜的制造方法，具有膜形成工序和加热工序，在膜形成工序中，在处理室的至少目标物周边的内侧表面由与目标物同样的构成材质形成的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而产生的目标原子沉积在衬底上，从而形成铁电膜；在加热工序中，加热所述铁电膜并进行氧化。
铁电膜半导体装置制造方法及其

[发明专利]低温共烧陶瓷材料和使用该材料的多层配线板-CN200510080911.0有效
发明人：宫内泰治;岚友宏 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明的目的是提供具有受控的线性热膨胀系数且具有高介电常数的低温共烧陶瓷材料，并且在即使烧制产品在其中不同组成的玻璃－陶瓷混合层被层叠的多层配线板中具有非对称层叠结构时也能减小其翘曲。根据本发明的低温共烧陶瓷材料包括：基于SiO₂－B₂O₃－Al₂O₃－碱土金属氧化物的玻璃、氧化铝、氧化钛和堇青石；玻璃、氧化钛和堇青石；或者玻璃、氧化钛和莫来石。当多层配线板由该低温共烧陶瓷材料制成时，调节基板材料中堇青石或莫来石的含量，以将基板材料中的层间的线性热膨胀系数差控制为不大于0.25×10^－6/℃。
低温陶瓷材料使用材料多层线板

[发明专利]电介质瓷器组合物以及层叠陶瓷部件-CN200510081306.5无效
发明人：梅本卓史;野野上宽 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质瓷器组合物，是含有用组成式a·Li₂O－b·(CaO_1－X－SrO_X)－c·R₂O₃－d·TiO₂ (其中，x满足0≤x＜1，R是从稀土元素中选择的至少一种，a、b、c和d满足0≤a≤20mol％、0≤b≤45mol％、0＜c≤20mol％、40≤d≤80mol％、以及a+b+c+d＝100mol％。)表示的电介质成分的电介质瓷器组合物，其特征在于，在烧成之后，存在具有钙钛矿构造的主相和含有稀土元素的针状相。
电介质瓷器组合以及层叠陶瓷部件

[发明专利]电介质陶瓷以及层叠陶瓷基板-CN200510081307.X无效
发明人：昌原镐;野野上宽 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质陶瓷，将氧化铝粉末，和作为主要成分含有SiO₂、CaO和MgO的结晶性玻璃粉末，以及作为主要成分含有SiO₂、B₂O₃和Na₂O的非晶质玻璃粉末用作原料，并将该原料烧成而得到，其特征在于，在烧成之后，包含氧化铝结晶相、透辉石结晶相(Ca(Mg，Al)(Si，Al)₂O₆)、和镁氧尖晶石结晶相(MgAl₂O₄)，且通过水银压入法测定的空隙率为2.2％以下。
电介质陶瓷以及层叠

[发明专利]电介质瓷器组合物和其制造方法以及层叠陶瓷部件-CN200510079043.4无效
发明人：梅本卓史;野野上宽 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-06-21 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质瓷器组合物，是将含有用组成式a·Li₂O－b·(CaO_1－X－SrO_X)－c·R₂O₃－d·TiO₂ (其中，x满足0≤x＜1，R是从稀土元素中选择的至少一种，a、b、c和d满足0≤a≤20mol％、0≤b≤45mol％、0＜c≤20mol％、40≤d≤80mol％、以及a+b+c+d＝100mol％。)表示的电介质成分和玻璃成分的混合物进行烧成而得到的电介质瓷器组合物，其特征在于，电介质成分是通过对原料进行煅烧而调制的；作为玻璃成分，至少含有铋系玻璃；在烧成后的X射线衍射中，含有稀土元素的第2相的峰强度相对于具有钙钛矿构造的主相即第1相的峰强度的比(第2相/第1相)为20％以下。
电介质瓷器组合制造方法以及层叠陶瓷部件

[发明专利]强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法-CN200380101906.2有效
发明人：木岛健;滨田泰彰;名取荣治;大桥幸司 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-10-23 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：一种由AB_1－XNb_XO₃的通式表示的氧化物形成的强电介质膜。A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W、Hf、和Ta中至少一中以上构成。并且，该强电介质膜在0.05≤x＜1的范围内含有Nb。该强电介质膜也可用于1T1C、2T2C和单纯矩阵型强电介质存储器任一中。
电介质电容器存储器压电元件半导体制造方法

[发明专利]电介质瓷器组合物以及使用该组合物的叠层陶瓷部件-CN200510009049.4无效
发明人：梅本卓史;青柳伦太郎;野野上宽;胁坂健一郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-02-17 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质瓷器组合物，其特征是：含有电介质材料，所述电介质材料，是令在由a·Li₂O－b·(CaO_1－X－SrO_X)－c·R₂O₃－d·TiO₂ (其中，x满足0≤x＜1，R是从包含La、Y的稀土类元素中选择出的至少一种，且a、b、c以及d满足，0≤a≤20mol％、0≤b≤45mol％、0＜c≤20mol％、40≤d≤80mol％)表示的电介质组成中，含有属于周期表4族以及14族的金属元素的氧化物之中的至少一种来构成的。
电介质瓷器组合以及使用陶瓷部件

[发明专利]电介质瓷器组合物以及使用该组合物的叠层陶瓷部件-CN200510009061.5无效
发明人：梅本卓史;青柳伦太郎;野野上宽;胁坂健一郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-02-17 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质瓷器组合物，含有电介质材料和玻璃，其特征是：所述电介质材料是由组合式a·Li₂O－b·(CaO_1－X－SrO_X)－c·R₂O₃－d·TiO₂ (其中，x满足0≤x＜1，R是从包括La、Y的稀土类元素中选出的至少一种，且a、b、c以及d满足，0≤a≤20mol％、0≤b≤45mol％、0＜c≤20mol％、40≤d≤80mol％、以及a+b+c+d＝100mol％)表示的电介质材料，且所述玻璃是含有Bi₂O₃在30重量％以上的玻璃。
电介质瓷器组合以及使用陶瓷部件

[发明专利]基于钛酸钡的介电材料组合物-CN03810808.9无效
发明人： D·汉宁斯;B·施雷内马彻尔;U·马肯斯 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-05-19 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及基于在钙钛矿结构中与Ba(Zn_1/3Nb_2/3)O₃共存的钛酸钡的介电材料组合物，该介电材料组合物的平均粒度d₅₀为0.2μm－0.5μm，微晶粒度d₁₀＜ 0.3μm。
基于钛酸钡材料组合

[发明专利]非还原介电陶瓷和使用它的陶瓷电子元件-CN200510003977.X有效
发明人：内藤正浩 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2002-01-10 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：一种非还原介电陶瓷，它包含：钨青铜型晶相，它至少是BaRE₂Ti₄O₁₂型晶相和BaRE₂Ti₅O₁₄型晶相之一；以及烧绿石晶相，它是RE₂Ti₂O₇型晶相，其中RE是Nd、La和Sm中至少之一，并且其中0.10≤b/(a+b)≤0.90，a是经X射线衍射而得到的钨青铜型晶相的最大峰值强度，b是经X射线衍射而得到的烧绿石型晶相的最大峰值强度。一种陶瓷电子元件，包括由所述非还原介电陶瓷构成的电子元件主体以及与该非还原介电陶瓷相接触的导体。
还原陶瓷使用电子元件

[发明专利]介电陶瓷组合物和采用其的陶瓷电子部件-CN200410070353.5无效
发明人：胜村英则;齐藤隆一;加贺田博司 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：介电陶瓷含有主要组分和相对于主要组分为0.05～2重量％的次要组分。主要组分在xBiO_3/2－yCaO－zNbO_5/2表示的三元组成图中的特定四角形区域内。次要组分是至少含有SiO₂、Li₂O、MO(其中M是Ca、Sr、Ba中的至少一种或以上)的玻璃组合物。将以该介电陶瓷为介电体层、以银为主要组分的导体层同时烧结得到的陶瓷电子部件的Q值降低小，并且微波特性优良。
陶瓷组合采用电子部件