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[发明专利]一种芯片及其时间同步方法-CN202310330927.0在审
发明人：闯小明;马学韬;郑瀚寻;杨龚轶凡;李晨 -专利权人：苏州仰思坪半导体有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/3312 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片及其时间同步方法，该芯片包括：成网格状通讯连接的多个时钟模块，每个时钟模块包括彼此连接的多个子时钟；每个子时钟设有寄存器，各寄存器用于从多个时钟模块中，配置其中一个为全局时钟模块，配置剩余为本地时钟模块；全局时钟模块基于外部时钟值更新全局时钟值，并传输至与其连接的各个本地时钟模块；本地时钟模块基于上一级时钟模块传输的时钟值更新自身时钟值，并传输至下一级时钟模块。本申请通过在每个子时钟内设置寄存器，可以动态配置全局时钟模块和本地时钟模块。
一种芯片及其时间同步方法

[发明专利]一种基于K折交叉验证集成学习模型的GAAFET电容特性预测方法-CN202211582911.0在审
发明人：王树龙;陈思宇;张旭艳;陈栋梁;李宇航;刘伯航;马兰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：一种基于K折交叉验证集成学习模型的GAAFET电容特性预测方法，通过TCAD仿真软件建立GAAFET器件模型；通过改变设计参数，得到多条不同设计条件下的电容‑电压特性曲线，以相同的电压间隔，从每条曲线中取出N个数据点作为训练集成学习模型的数据集，按比例划分成训练集、交叉验证集和测试集，并通过K折交叉将训练集划分为K个子集；集成学习模型的输入为一组设计参数，输出为GAAFET器件电容特性；利用数据集训练集成学习模型，满足要求的模型用于不同参数以及不同工作条件下的GAAFET器件电容特性预测。本发明能够快速准确地预测GAAFET特性，解决传统方法所存在的耗时长、效率低、受人工因素等缺点。
一种基于交叉验证集成学习模型 gaafet 电容特性预测方法

[发明专利]缓冲电路解耦方法、储能装置的等效电路模型及建模方法-CN202211439211.6在审
发明人：尹平平;余东旭;卢艳华;梁李柳元;涂青 -专利权人：宁德时代未来能源（上海）研究院有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/3323 文献下载
摘要：本申请涉及一种LC缓冲电路的解耦方法、储能装置的等效电路模型及建模方法。所述LC缓冲电路包括电感与某器件串联后与电容并联结构，所述LC缓冲电路的解耦方法包括：所述电容拆分为相并联的第一电容和第二电容，其中，第一电容的电容值根据所述电感的电感值以及数字电磁暂态计算的步长确定；将所述第一电容和所述电感构成的电路进行解耦，等效为第一端口等效电路和第二端口等效电路；对所述第二电容进行等效。
缓冲电路方法装置等效电路模型建模

[发明专利]基于紧耦合内存的信息打印方法及装置、硬件验证方法-CN202310577480.7在审
发明人：窦枭栋;赵磊 -专利权人：南京芯驰半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于紧耦合内存的信息打印方法及装置、硬件验证方法，所述方法包括：在待验SOC硬件处于仿真环境的情况下，将目标程序数据存储至所述待验SOC硬件的紧耦合内存的指定地址空间；当通过监视器检测到所述目标程序数据对应的数据结束标志时，通过后门访问所述指定地址空间，读取所述目标程序数据；将所述目标程序数据打印至目标文件；其中，所述指定地址空间用于存储打印相关信息，所述目标程序数据为所述打印相关信息之一，应用本方法，能够实现仿真环境中信息的快速打印。
基于耦合内存信息打印方法装置硬件验证

[发明专利]基于数学拟合的SiC MOSFET模型的建立方法-CN202211731261.1在审
发明人：刁绅;陈宏;刘洋;皮彬彬;郭亚楠 -专利权人：江苏易矽科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/3323 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于数学拟合的SiC MOSFET模型的建立方法，根据SiC MOSFET的输出特性、体二极管正向导通特性、电容特性，将器件等效为压控电流源和压控电压源以及电容电阻配合的方式，对SiC MOSFET进行特性建模，根据其测试数据的曲线形式，确定不同等效元件的计算表达式基础。通过添加不具有实际物理意义的数学参数的方式，进一步修正仿真曲线形态变化范围，从而提升拟合的准确性。在数据范围内，将仿真曲线与测试曲线相贴合，完成了对SiC MOSFET特性的准确且快速的表征。
基于数学拟合 sic mosfet 模型建立方法

[发明专利]一种基于SystemC的虚拟仿真验证方法及系统-CN202211100767.2在审
发明人：宋春伟;陶永超;李超鹏 -专利权人：深圳航天科技创新研究院
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SystemC的虚拟仿真验证方法及系统，包括：判断是否发生拖拽事件，如是，则生成相应的电路配置信息；后端仿真模型根据电路配置信息，动态选取虚拟设备组件库中的虚拟设备组件，完成虚拟电路的搭建；当接收到启动指令和第一运行指令后，启动后的后端仿真模型，根据接收到的第一运行指令，输出一仿真指令给虚拟CPU；虚拟CPU输出第二运行指令给虚拟外设设备；虚拟外设设备执行相应的仿真动作，产生相应的仿真数据，并将仿真数据传送给前端；前端根据接收到的仿真数据，显示相应仿真的结果。本发明达到了通过网页即可实现虚拟仿真验证，并且可对仿真设备进行动态配置的目的。
一种基于 systemc 虚拟仿真验证方法系统

[发明专利]一种光刻热点检测方法、装置、存储介质及设备-CN202080103715.3在审
发明人：王佩瑶;张锐;陈成 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻热点检测方法、装置、存储介质及设备，应用于半导体技术领域。该方法包括：首先获取待检测的光刻版图，并提取出表征其图案信息的典型图案特征，然后将该典型图案特征输入至预先构建的光刻热点检测模型(包括卷积层、全连接层和输出层)，得到光刻版图中的光刻热点。可见，由于本申请是通过将表征待检测的光刻版图图案信息的典型图案特征输入至预先构建的光刻热点检测模型进行检测，使得模型的检测过程充分考虑了光刻版图包含的典型图案特征(即光刻版图中走线布局的几何特征)，克服了现有的基于版图密度等特征进行检测时容易丢失光刻版图其他图案特征而导致检测结果不够准确的问题，进而能够有效提高检测结果的准确性。
一种光刻热点检测方法装置存储介质设备

[发明专利]时序报告生成方法和设备-CN202310350907.X有效
发明人：杜泽杰;冯春阳 -专利权人：深圳鸿芯微纳技术有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/3312 文献下载
摘要：本申请提供了一种时序报告生成方法和设备，其中，该方法包括：获取目标逻辑电路的时序报告生成请求，时序报告生成请求中包括：目标路径类型，根据目标路径类型，从第一缓存区域中取出预先缓存的针对目标逻辑电路的目标路径类型的至少一个第一时序路径，依次从第二缓存区域中取出预先缓存的至少一个第一时序路径的时序数据，每个第一时序路径的时序数据包含每个第一时序路径上逻辑单元的输入输出端对应的信号到达时间，根据依次取出的至少一个第一时序路径的时序数据，生成至少一个第一时序路径的时序报告。通过第一缓存区域和第二缓存区域避免阻塞，充分利用计算机资源，减少了生成时序报告所耗费的时间，提升了时序报告生成效率。
时序报告生成方法设备

[发明专利]一种辐射环境下CPU失效仿真方法-CN202010454765.8有效
发明人：唐樟春;梁堃;李顺;李征泰;谢葭;杨宗承;李贵杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：该发明公开了一种辐射环境下CPU失效仿真方法，属于可靠性实验、建模仿真与计算技术领域。解决了迫于试验周期和经济成本等因素的制约，整个评估体系将面临电源系统组件未能完全失效、试验对象数量有限、退化数据样本较少等一系列问题。本发明通过simulink仿真出驱动SIP电路中CPU板在辐射环境下的失效模型，通过误码率来度量其失效的过程，为解决在辐射环境这种苛刻条件下的实验时条件不足，数据缺乏等问题提供了更多的可行性和操作性，也为其他电路源件在特殊环境下的工作和失效机理的模型仿真研究提供了一些思路。
一种辐射环境 cpu 失效仿真方法

[发明专利]半导体器件建模方法-CN202010686667.7有效
发明人：蒋盛烽 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件建模方法，包括建立原生晶体管模型和寄生晶体管模型，原生晶体管模型衬底连接至寄生晶体管模型基极，并通过衬底电阻接地；原生晶体管模型的漏极和寄生晶体管的集电极均通过漏端电阻连接至半导体器件的漏端；原生晶体管模型的源极和寄生晶体管的发射极均连接至半导体器件的源端。其中，本发明的半导体器件建模方法的原生晶体管模型和寄生晶体管模型均包括碰撞电离电流公式，设置两个碰撞电离电流公式可以保障衬底电压的抬升，保障寄生晶体管模型的开启，保障对骤回现象的仿真模拟，确保ESD器件的参数获取，且模型简单、收敛性好、仿真速度快。
半导体器件建模方法

[发明专利]基于版图的ROM代码提取验证方法及装置-CN202011198507.4有效
发明人：孟庆龙;刘志哲;刘宝光;郑维维 -专利权人：拓维电子科技（上海）有限公司
申请日： 2020-10-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/3323 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了基于版图的ROM代码提取验证方法、装置、设备和计算机可读存储介质。所述方法包括将待提取验证的ROM版图转化为电路网表；获取二进制数据‘0‘对应的存储单元电路结构和/或二进制数据‘1‘对应的存储单元电路结构，同所述电路图表中各存储单元的电路结构进行文本对比；将各存储单元的对比结果作为所述电路图表对应的ROM代码；将所述ROM代码与样本ROM代码进行验证，得到验证结果。以此方式，可以快实现ROM代码的快速提取与验证。
基于版图 rom 代码提取验证方法装置

[发明专利]一种存储器电路的验证方法和装置-CN202310382888.9有效
发明人：杨兵;毕金琼;杨壮;庞永震 -专利权人：北京燧原智能科技有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种存储器电路的验证方法和装置。该验证方法包括：获取存储器电路对应的验证激励；将验证激励输入至存储器电路，通过验证激励对存储器电路进行前门访问，得到前门访问数据；将验证激励输入至预先生成的可修改的电路层次，生成完整层次结构，通过后门访问模块根据完整层次结构对存储器电路进行后门访问，得到后门访问数据；通过电路验证模块根据前门访问数据和后门访问数据，对各类存储器电路进行验证；其中，后门访问模块和电路验证模块，根据存储器电路对应的需求规格书设计得到；电路层次根据存储器电路以及存储器电路对应的电路规格书预先配置得到。本发明实施例提供的存储器电路的验证方法和装置，能够提高验证效率。
一种存储器电路验证方法装置

[发明专利]模拟量子电路-CN201780094629.9有效
发明人： E·P·D·佩德诺尔特;J·贡内尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：一种计算机实现的方法，包括：接收量子电路的数字描述；将所述量子电路的数字描述划分为多个量子子电路，其中所述多个量子子电路中的每个量子子电路包括一个或多个量子门；确定针对所述多个量子子电路的子电路依赖性；根据所述子电路依赖性来模拟所述多个量子子电路，以产生针对所述多个量子子电路中的每个量子子电路的模拟结果，其中所述多个量子子电路中的第一量子子电路和第二量子子电路各自包含被应用于公共量子位的一个或多个门，以及其中所述第一量子子电路和所述第二量子子电路使用纠缠张量指数而被独立地模拟。本文还公开了对应的计算机系统和计算机程序产品。
模拟量子电路

[发明专利]基于数据比较进行时钟门控的触发单元-CN202210107334.3有效
发明人：宋卫权;陈向东 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本申请公开了基于数据比较进行时钟门控的触发单元。该触发单元包括：边沿触发器和时钟门控电路，时钟门控电路根据输入数据和输出数据的数据比较结果启用或屏蔽第一时钟信号以产生第二时钟信号，第二时钟信号提供边沿触发器的触发边沿，时钟门控电路在输入数据翻转的时钟周期中，将第一时钟信号复制为第二时钟信号，在输入数据维持不变的时钟周期中，将第二时钟信号维持为预定电平。该触发单元仅在输入数据翻转的时钟周期中启用边沿触发器的时钟翻转，因而可以提高电路性能和降低功耗。
基于数据比较进行时钟门控触发单元

[发明专利]一种高数值精度量子隧穿器件模拟方法-CN201910304860.7有效
发明人：张玮;陆宏波;李欣益;李戈 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G06F30/337 文献下载
摘要：本发明公开了一种高数值精度量子隧穿器件模拟方法，针对不同对象的网格优化与偏微分方程组求解交替进行，将网格优化分成通用网格优化与隧穿网格优化两个过程，提高了非局域量子隧穿关联项的数值计算精度，具体思想是依据量子隧穿器件中能带曲率、晶格温度曲率与内建电场分布情况，通过选择合适的不同的网格离散控制标准与控制函数，先后在不同区域进行网格重整，重新分布能带区域与晶格温度区域数值高和量子隧穿区域的网格分布，使得网格分布即能够充分保证电荷分布、载流子输运与晶格温度分布数值精度，又能使得能带之间、能带与深能级缺陷之间量子隧穿几率的数值精确度大大提高。
一种数值精度量子器件模拟方法