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- [实用新型]一种双面曝光机的单向移动曝光机构-CN202320295297.3有效
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陈铁玉;倪沁心;陈建明;杨大昆
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广东华恒智能科技有限公司
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2023-02-23
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2023-08-15
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G03F7/20
- 本实用新型公开了一种双面曝光机的单向移动曝光机构，设在双面曝光机的机架上，机架上设菲林模块，菲林模块包括上菲林组件、下菲林组件、若干推板组件和若干顶板组件，菲林模块的Z向两侧设有光源模块，光源模块包括上光源组件和下光源组件。本实用新型将上菲林组件设为固定结构，将下菲林组件设为活动部件，工作时只需移动下菲林组件即可实现上下菲林板与基板的紧密压合，避免机构相对移动错位导致的基片转印线路歪斜、边界模糊的问题，且传动结构简单，机构成本较低，降低曝光设备制造成本；并可满足不同规格尺寸的菲林模块的压紧需要，确保清晰转印；通过设置若干限位件和翻转组件，可避免造成设备部件的损坏，并降低操作人员的劳动强度。
- 一种双面曝光单向移动机构
- [实用新型]一种半导体激光曝光制网机-CN202222786462.3有效
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唐志根
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深圳市富雅深科技有限公司
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2022-10-22
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2023-08-15
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G03F7/20
- 本实用新型涉及制网机技术领域，且公开了一种半导体激光曝光制网机，包括工作台，所述工作台的顶部固定连接有上机壳，所述上机壳的内部设置有传动装置，所述传动装置包括固定连接于上机壳内左侧壁与内右侧壁之间的横梁，所述横梁的上表面滑动连接有两个滑轮，所述滑轮的正面转动连接有连接板，所述连接板的左右两侧固定连接有连接块，所述连接块的正面固定连接有固定块，所述固定块的底部转动连接有辅助轮，所述连接板的正面固定连接有激光头，所述连接板的顶部固定连接有驱动电机。该半导体激光曝光制网机，通过传动装置对印花部件的横向位移进行精准的调控，从而应对不同长度的网板，从而避免因精度过差而影响图案品质的问题。
- 一种半导体激光曝光制网机
- [发明专利]自动开合框的方法-CN202310480822.3在审
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陈志特;王华;冯明瑞
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广东科视光学技术股份有限公司
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2023-04-28
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2023-08-11
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G03F7/20
- 本申请涉及曝光机开合框技术领域，尤其涉及一种自动开合框的方法，驱动装置带动装载台离开曝光区向上下料区移动，由驱动装置提供动力，装载台在移动过程中开合框装置对装载台进行开框。驱动装置带动装载台离开上下料区向曝光区移动，由驱动装置提供动力，装载台在移动过程中开合框装置对装载台进行合框。通过驱动装置提供动力，既完成对下载物台的搬运，又完成对装载台的开框与合框，而无需引入额外的动力以及复杂的结构，并且无需占用额外的开合框时间，下载物台在移动过程中即完成装载台的开合框。如此，降低设备成本，降低设备能耗，优化控制系统，减少设备运转时的时间损耗、提高生产效率。
- 自动开合框方法
- [发明专利]基于承载台的套刻精度修正方法-CN202310580502.5在审
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袁海文;尹鹏腾;秦利鹏
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上海华力微电子有限公司
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2023-05-22
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2023-08-11
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G03F7/20
- 本发明提供一种基于承载台的套刻精度修正方法，包括：获取承载台表面的历史翘曲度数据及与其对应的基板在承载台上光刻后的历史套刻精度数据；构建历史翘曲度数据与历史套刻精度数据的映射关系，映射关系包括由承载台的翘曲度在基板的不同区域获得不同的套刻精度；检测承载台的翘曲度，根据映射关系，获得置于承载台上基板的不同区域的预测套刻精度，并基于预设套刻精度在基板上的不同区域选择相应的套刻精度补偿。本发明中，通过检测承载台翘曲度，利用映射关系对光刻时基板不同区域进行套刻精度补偿，不仅提高光刻工艺时的套刻精度，还可使载物台的使用寿命相对延长，以此降低成本及提高机台利用率。
- 基于承载精度修正方法
- [发明专利]曝光头、校准系统以及描绘装置-CN202180081663.9在审
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菅原雅史
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英视股份有限公司
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2021-04-14
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2023-08-11
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G03F7/20
- 提供一种曝光头等，其不会使描绘装置大型化，而能够随时对扫描基板的曝光用的光束的强度进行校准。曝光头是用于对在规定的方向上输送的基板使曝光用的光束一边一维地扫描一边照射的曝光头，具备：多面反射镜，其具有多个反射面，可旋转地设置；光学元件，其构成为使从光源射出并成形为光束状的光束入射到多面反射镜；成像光学系统，其构成为使由多面反射镜反射的光束在基板上成像；反射镜，其可插拔地设于向上述光学元件入射的光束的光路，构成为在插入到该光路的期间将光束向与上述光路不同的方向反射；以及受光元件，其被配置于由该反射镜反射的光束能够入射的位置，能够检测光束的强度。
- 曝光校准系统以及描绘装置
- [发明专利]光刻设备部件和方法-CN202180082155.2在审
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M·A·布劳;R·德金德瑞
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ASML荷兰有限公司
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2021-11-10
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2023-08-11
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G03F7/20
- 本发明提供一种用于光刻设备的掩模版平台，所述掩模版平台包括：至少一个光学元件，所述至少一个光学元件具有待清洁的区域；辐射束目标；以及控制系统，所述控制系统被配置成将辐射束引导至辐射束目标，其中，所述辐射束与气体的相互作用产生光学元件清洁用等离子体，其中，所述辐射束目标被定位成将所述光学元件清洁用等离子体提供至所述至少一个光学元件以清洁所述光学元件，并且其中，所述至少一个光学元件是不同于所述辐射束目标的元件，优选地，其中热敏性元件是基准件。也描述一种用于光刻设备的包括至少一个弯曲边缘的基准件、一种包括所述掩模版平台或基准件的光刻设备、以及一种清洁掩模版平台的光学元件的方法。
- 光刻设备部件方法
- [发明专利]半导体试样的电属性的预测-CN202180083994.6在审
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O·阿丹
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应用材料以色列公司
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2021-11-01
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2023-08-11
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G03F7/20
- 提供一种方法和一种系统，其被配置成获得具有半导体试样的多个结构性参数的信息的计量数据D计量，获得具有所述结构性参数的至少一些与所述试样的一个或多个电属性之间的关系的信息的模型，利用所述模型和D计量针对所述试样的至少一个给定电属性确定根据影响标准影响所述给定电属性的所述多个结构性参数中的一个或多个给定结构性参数，以及产生用于检验工具的配方，其中所述配方使得对具有所述一个或多个给定结构性参数的信息的数据的第一采集率与对具有所述多个结构性参数中的其他结构性参数的信息的数据的第二采集率之间的比例能够符合标准。
- 半导体试样属性预测
- [发明专利]一种环形图案的光学邻近效应校正方法-CN202110034006.0有效
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杨尚;韦亚一;张利斌
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中国科学院微电子研究所
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2021-01-11
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2023-08-11
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G03F7/20
- 本发明公开了一种环形图案的光学邻近效应校正方法，方法包括：将设计版图源文件转化为数字图像；判断数字图像中是否有封闭的环形图案；若有，则获取环形图案的外轮廓对应的外轮廓图案以及环形图案的内轮廓对应的内轮廓图案；对外轮廓图案和内轮廓图案进行光学邻近效应校正；将校正后的外轮廓图案和校正后的内轮廓图案写入版图文件并进行组合。通过分离出环形图案的外轮廓图案和内轮廓图案进行校正，由于外轮廓图案和内轮廓图案均为非环形图案，因此在将校正后的外轮廓图案和内轮廓图案写入gds格式的版图文件中时，不会由于坐标顺序的问题出现写入错误的问题，最后在版图文件中，通过对外轮廓图案和内轮廓图案进行组合，以得到校正后的环形图案。
- 一种环形图案光学邻近效应校正方法
- [发明专利]一种改善蚀刻均匀性的曝光方法-CN202010147136.0有效
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洪文庆
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浙江晶引电子科技有限公司
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2020-03-05
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2023-08-11
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G03F7/20
- 本发明公开了一种改善蚀刻均匀性的曝光方法，涉及到蚀刻曝光方法技术领域，a、设备调试：准备曝光机，进行曝光前，需针对使用的曝光机以test模式各别做出不同曝光能量时间及各别焦距的矩阵图形，用以确认此曝光机单次曝光时，适用的能量时间及可用之焦距景深范围找出其适用曝光能量与中心焦距；b、进行曝光：确认适用曝光能量及中心焦距后可开始进行曝光；c、设定曝光区域：设定4寸芯片半径为50um，在设定的曝光条件下，划为3块区域，第一区域为中心至半径25um处；第二区域为半径25um处至半径40um处；第三区域为半径40um处至半径50um处；显影制程：完成曝光后，将完成曝光Sapphire wafer退出进行后续显影制程，具有均匀性更佳的特点。
- 一种改善蚀刻均匀曝光方法
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