专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于二维光栅结构的少模层间耦合器-CN202310851298.6在审
  • 王希斌;车远华;孙士杰;谢宇航;王菲;张大明 - 吉林大学
  • 2023-07-12 - 2023-10-10 - G02B6/124
  • 一种基于二维光栅结构的少模层间耦合器及其制备方法,属于平面光波导器件及其制备技术领域。本发明由硅片衬底、在硅片衬底上制备的二氧化硅下包层、在二氧化硅下包层上制备的聚合物层间耦合层、在聚合物层间耦合层和二氧化硅下包层上制备的聚合物上包层组成,聚合物层间耦合层被包覆在聚合物上包层之中;上层氮化硅直波导芯由上层氮化硅直波导和上层二维光栅波导组成,下层氮化硅直波导芯层由下层二维光栅波导和下层氮化硅直波导组成。本发明充分发挥了氮化硅波导传输损耗低、透明窗口宽、热稳定性高的优势,以及聚合物材料种类多、制备工艺简单等优势,并且这两种材料还具备工艺成熟、相互兼容的特点,适合大规模制备生产,具有重要的应用前景。
  • 一种基于二维光栅结构少模层间耦合器
  • [发明专利]一种模式可选择调制的四模波导光开关及其制备方法-CN202310303703.0在审
  • 王希斌;孙士杰;车远华;王菲;张大明 - 吉林大学
  • 2023-03-27 - 2023-07-07 - G02B6/125
  • 一种模式可选择调制的四模波导光开关及其制备方法,属于平面光波导器件技术领域。由硅片衬底、聚合物下包层、条形结构的聚合物光波导芯层、聚合物上包层和加热电极组成。本发明的光开关利用了非对称Y分支结构和MMI光波导结构简单和有机聚合物材料热光系数大的优势,通过对MMI结构加热实现对四个光学模式进行开关;通过对不同的加热电极进行加热,既可以对四个模式中的两个实现开关功能,也可以对四个模式同时实现开关功能;另外,采用聚合物材料使得器件的制备工艺更加简单,只需要旋涂、光刻、湿法刻蚀等常规工艺,有效降低了生产成本,提高了器件的生产效率且有利于大规模批量生产,使得该模式光开关能够应用到实际当中。
  • 一种模式可选择调制波导开关及其制备方法
  • [发明专利]一种基于MZI结构的多模光衰减器-CN202211052669.6有效
  • 王希斌;孙士杰;车远华;张大明 - 吉林大学
  • 2022-08-30 - 2023-06-20 - G02B6/12
  • 一种基于MZI结构的模式不敏感的多模光衰减器,属于聚合物集成光学技术领域,可用于模分复用系统。从下至上依次由硅衬底、聚合物下包层、聚合物波导芯层、聚合物上包层和加热电极层组成;沿光的传播方向,聚合物波导芯层依次由输入少模直波导、输入锥形波导、第一输入弯曲波导、第二输入弯曲波导、第一调制臂波导、第二调制臂波导、第一输出弯曲波导、第二输出弯曲波导、输出锥形波导和输出少模直波导组成,在第一调制臂波导和第二调制臂波导上分别设置有第一加热电极和第二加热电极。该多模光衰减器利用干涉原理,通过调制使信号光干涉时产生更高阶的模式,再通过控制输出波导的尺寸使其无法传输更高阶的模式,以此实现光信号的衰减。
  • 一种基于mzi结构多模光衰减器
  • [发明专利]一种基于MMI结构的模式不敏感的可变光衰减器-CN202211044878.6有效
  • 王希斌;孙士杰;廉天航;车远华;张大明 - 吉林大学
  • 2022-08-30 - 2023-06-09 - G02B6/12
  • 一种用于模分复用系统的基于MMI结构的模式不敏感的可变光衰减器,属于集成光学技术领域。从下至上依次由硅衬底、聚合物下包层、聚合物波导芯层、聚合物上包层和调制电极组成;沿光的传播方向,聚合物波导芯层依次由输入少模直波导、输入锥形波导、多模波导、输出锥形波导和输出少模直波导组成;加热电极位于多模波导侧上方的聚合物上包层之上或位于多模波导3的侧方的聚合物上包层之中。当对加热电极进行调制时,光在多模波导中的干涉效果发生变化,在多模波导的输出端为基模和高阶模的混合光,由于高阶模无法通过输出少模波导输出,从而使得输出光功率发生衰减。该衰减器模式不敏感,在相同调制温度和波长下对两种模式的衰减相同。
  • 一种基于mmi结构模式敏感可变衰减器
  • [发明专利]一种双模式滤模器及其制备方法-CN202210953876.2有效
  • 王希斌;孙雪晴;廉天航;孙士杰;车远华;朱穆;张大明 - 吉林大学
  • 2022-08-10 - 2023-05-23 - G02B6/12
  • 一种双模式滤模器及其制备方法,属于平面光波导器件及其制备技术领域。本发明的目的是提供两种结构简单的、分别可以滤除E11模式和E12模式或E11模式和E21模式的双模式滤模器。由硅片衬底、聚合物波导包层、聚合物直波导芯层、金属直波导芯层组成,金属直波导芯层被包覆在聚合物直波导芯层之中,聚合物直波导芯层被包覆在聚合物波导包层之中;聚合物波导包层位于硅片衬底之上,金属直波导芯层位于聚合物直波导芯层内底面或左(右)内侧面的中间位置。本发明利用金属的吸收特性实现了器件对特定模式的衰减,并具有对光的偏振不敏感的功能,器件采用的直波导结构,结构简单,生产成本低、效率高,可实际应用的平面光波导滤模器。
  • 一种双模式滤模器及其制备方法
  • [发明专利]一种基于相变材料的硅基三维波导模式光开关-CN202210843138.2在审
  • 王希斌;朱穆;孙士杰;廉天航;孙雪晴;车远华;张大明 - 吉林大学
  • 2022-07-18 - 2022-09-02 - G02F1/35
  • 一种基于相变材料的硅基三维波导模式光开关,属于集成光电子学技术领域。该模式光开关由衬底、包层和芯层构成,芯层被包覆在包导之中;芯层分为下层芯层和上层芯层二部分,下层芯层为Core1单直波导结构,上层芯层为输入端和输出端带有S型弯曲的Core2和Core3双直波导结构,Core2和Core3位于同一平面内;Core2和Core3直波导部分的材料为硅及位于硅之上的相变材料GSST。通过设置不同的波导结构尺寸,可以分别实现TE0与TE21,TE0与TE12两对模式之间的复用/解复用。通过改变相变材料的晶相,可以实现模式光开关功能,本发明有着更加宽广的应用范围,并且器件尺寸更小,更利于集成化。
  • 一种基于相变材料三维波导模式开关
  • [发明专利]一种模式不敏感的光波导型光开关及其制备方法-CN202210079809.2在审
  • 王希斌;孙士杰;林柏竹;朱穆;廉天航;车远华;孙雪晴;张大明 - 吉林大学
  • 2022-01-24 - 2022-03-08 - G02B6/12
  • 一种模式不敏感的光波导型光开关及其制备方法,属于平面光波导光开关及制备技术领域。本发明采用硅片作为衬底,以有机聚合物材料作为波导的下包层和上包层、以热光系数较大的有机聚合物材料作为波导的芯层,制备得到了模式不敏感的光波导型光开关。本发明充分利用了有机聚合物材料种类多样、加工性强和热光系数大的优势,通过改变调制臂的温度来改变调制臂的折射率,进而改变调制臂中光的相位,达到改变光的输出端口的目的;通过反应离子刻蚀来调整调制臂的厚度,使得不同模式的有效折射率几乎相同,进而使得不同的光学模式所需的调制温度相同,以达到模式不敏感的目的。本发明成本低廉、制备效率高,适合于批量生产实际应用的平面光波导光开关。
  • 一种模式敏感波导开关及其制备方法

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