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[发明专利]弹性表面波元件用基板及其制造方法-CN201780002895.4有效
发明人：佐桥家隆;笹俣武治;大桥秀树;仓知雅人;八木透;东浩之;梶谷尚史 -专利权人：株式会社山寿瑟拉密克斯
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明的弹性表面波元件用基板的特征在于，由镁铌酸锂单晶或镁钽酸锂单晶构成，所述镁铌酸锂单晶中，Li与Nb的原子比为0.9048≤Li/Nb≤0.9685，Mg的含有比例为1摩尔％～9摩尔％，所述镁钽酸锂单晶中
弹性表面波元件用基板及其制造方法

[发明专利]一种大尺寸X轴或Y轴掺镁铌酸锂单晶极化装置及方法-CN202210001980.1有效
发明人：夏钰坤;夏宗仁;夏文英;张婷 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种大尺寸X轴或Y轴掺镁铌酸锂单晶极化装置，包括：极化炉，用于掺镁铌酸锂单晶的极化；坩埚，内置于极化炉，作为极化容器；弧形负电极、弧形正电极，相对设置且分别连接有引出线引出至极化炉外；掺镁铌酸锂单晶，立放于坩埚内且处于弧形负电极、弧形正电极所围的柱面空间内；所述坩埚、弧形负电极、弧形正电极、掺镁铌酸锂单晶之间填充LN晶粉。本发明采用立放的方式取代现有的卧放方式，避免了极化过程中可能出现的各种极化失败的风险，使得掺镁铌酸锂单晶单畴化完全，成功率高。
一种尺寸轴掺镁铌酸锂单晶极化装置方法

[发明专利]一种高纯度大尺寸镁单晶的生长装置及方法-CN202310506625.4在审
发明人：刘博宇;马欣金;郑芮;李玖章;单智伟 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高纯度大尺寸镁单晶的生长装置及方法，涉及单晶生长技术领域。本发明提供的镁单晶生长装置包括加热炉、置料管、控流滤杂板和坩埚，加热炉包括界定密封炉腔的炉体和加热室的炉管，炉体内沿炉管设温度调控系统，炉体上设气氛调控系统和水冷循环系统；坩埚和置料管置于炉管中，控流滤杂板设在坩埚内壁和置料管内壁交界处该镁单晶生长装置可以使多晶镁原料在熔化区受热熔化为熔融液体，以熔滴的形式滴落在坩埚中形核、结晶并沿着稳定的液相薄层生长。该镁单晶生长方法通过对关键过程进行针对性控制，解决了现有技术中生长高纯度大尺寸镁单晶面临的周期长、能耗大、成本高等问题，具有极大的推广价值和广阔的应用前景。
一种纯度尺寸镁单晶生长装置方法

[发明专利]一种镁掺杂金属‑有机框架DMMg0.5Mn0.5F单晶材料及其制备方法-CN201510101752.1有效
发明人：徐煌;王顺利;李培刚;吴小平;沈静琴 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： C07F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种镁掺杂金属‑有机框架DMMg0.5Mn0.5F单晶材料及其制备方法,镁掺杂金属‑有机框架DMMg0.5Mn0.5F单晶材料是由尺寸为1.5×1.5×1.5～2.0×2.0×2.0 mm3，并且化合物中镁离子和锰离子的摩尔百分比为11的DMMg0.5Mn0.5F单晶组成。所用试剂为商业产品，无需繁琐制备；利用水热法和液相法相结合获得新型金属‑有机框架单晶材料以及尺寸更大的单晶；工艺可控性强，易操作，制得的产物纯度高。本发明所得的镁掺杂DMMnF单晶材料，有望在新型金属‑有机框架半导体、信息存储和光学器件方面得到广泛的应用。
一种掺杂金属有机框架 dmmg sub 0.5 mn 材料及其制备方法

[发明专利]一种镁掺杂金属‑有机框架DMMg0.5Co0.5F单晶材料及其制备方法-CN201510101737.7有效
发明人：陈谦 -专利权人：陈谦
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： C07F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种镁掺杂金属‑有机框架DMMg0.5Co0.5F单晶材料及其制备方法,镁掺杂金属‑有机框架DMMg0.5Co0.5F单晶材料是由尺寸为2.0×2.0×1.0～2.5×2.5×1.5 mm3，并且化合物中镁离子和钴离子的摩尔百分比为11的DMMg0.5Co0.5F单晶组成。所用试剂为商业产品，无需繁琐制备；利用水热法和液相法相结合获得新型金属‑有机框架单晶材料以及尺寸更大的单晶；工艺可控性强，易操作，制得的产物纯度高。本发明所得的镁掺杂DMCoF单晶材料，有望在新型金属‑有机框架半导体、信息存储和光学器件方面得到广泛的应用。
一种掺杂金属有机框架 dmmg0 co0 材料及其制备方法

[发明专利]一种热处理法制备大尺寸镁或镁合金单晶的方法-CN201811489324.0有效
发明人：戴庆伟;郭晓蒙;张鹏;陈钰臻 -专利权人：重庆科技学院;戴庆伟
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种热处理法制备大尺寸镁或镁合金单晶的方法，包括将镁或镁合金进行四级热处理的步骤。本发明以合理的热处理工艺制备出了大尺寸的镁或镁合金单晶，并且本发明的制备工艺简单，成本低廉，在加热炉尺寸允许的情况下可以制备出大尺寸(几厘米至数米尺寸)的镁或镁合金单晶。
一种热处理法制尺寸镁合金方法

[发明专利]直拉式单晶炉的副炉-CN201110455233.7无效
发明人：汤仁兴 -专利权人：汤仁兴
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及直拉式单晶炉的副炉，属于单晶硅的生产制造设备领域。一种直拉式单晶炉的副炉，其特征在于：它包括副炉本体（1），所述副炉本体（1）包括内壁（2）和外壁（3），所述内壁（2）和外壁（3）之间设有水夹层（4），所述内壁（2）和外壁（3）的上下两端分别连有上法兰（5）和下法兰（6），外壁（3）上开设有镁棒接口（7），所述镁棒接口（7）与水夹层（4）相连通。这种直拉式单晶炉的副炉在外壁上开设了镁棒接口，镁棒接口与内壁与外壁之间的水夹层相连通，镁棒接口中插入镁棒后，将代替内壁和外壁上的铁与自来水中的氯离子发生反应，使得氯离子不会对炉壁产生腐蚀。
直拉式单晶炉

[发明专利]一种大尺寸镁或镁合金单晶的制备方法-CN201811489321.7在审
发明人：戴庆伟;郭晓蒙;张鹏 -专利权人：重庆科技学院;戴庆伟
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C30B1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸镁或镁合金单晶的制备方法，包括对镁或镁合金进行弹性变形处理或变形量5％以内的塑性变形处理以及三级热处理的步骤。本发明以合理的热处理工艺与微形变工艺的结合，制备出了大尺寸的镁或镁合金单晶，并且本发明的制备工艺简单，成本低廉，在加热炉尺寸允许的情况下可以制备出大尺寸(几厘米至数米尺寸)的镁或镁合金单晶。
镁合金单晶制备加热炉热处理工艺热处理塑性变形制备工艺变形量微形变

[发明专利]一种高温高压下钛掺杂和高含水镁铬铁矿单晶的制备方法-CN202211624594.4在审
发明人：代立东;胡海英 -专利权人：中国科学院地球化学研究所
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B29/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温高压下钛掺杂和高含水镁铬铁矿单晶的制备方法，所述方法包括：以固态的碱式碳酸镁粉末、固态的碱性乙酸铬结晶粉末、液态的四异丙基钛酸酯、固态的草酸粉末、固态的水镁石粉末、固态的氢氧化铬粉末和液态的稀硝酸作为起始原料制备出圆柱体镁铬铁矿样品；采用重量比4:1的水镁石粉末和氢氧化铬粉末作为水源制备出水源片；将两片水源片放置在圆柱体镁铬铁矿样品两端并一起放入双囊结构样品仓进行高温高压反应得到钛掺杂和高含水镁铬铁矿单晶；解决了目前的高温高压条件下钛掺杂的和高含水的镁铬铁矿大颗粒单晶的制备技术空白，获取大颗粒的钛掺杂的和高含水的镁铬铁矿单晶的实验样品。
一种高温压下掺杂含水铬铁矿制备方法

[实用新型]单晶炉副炉结构-CN200920039694.4无效
发明人：潘燕萍;潘国强 -专利权人：潘燕萍;潘国强
申请日： 2009-04-20 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及熔炼单晶炉，特别是一种单晶炉副炉结构。单晶炉副炉结构，具有中空型的炉体，炉体的两端分别设有法兰，炉体上具有抽取真空的真空抽口，炉体内设有夹层，炉体的上侧壁设有出水孔座，下侧壁设有进水孔座，出水孔座、进水孔座与夹层相连通，所述炉体的下侧壁设有镁孔接口，镁孔接口与所述夹层相连通。本实用新型通过对炉体夹层设置镁棒接口，从镁棒接口中放入镁棒来防止冷却水中的氯离子在焊缝处产生缝隙腐蚀，延长副炉的使用寿命。
单晶炉副炉结构

[发明专利]一种在高温高压下合成钛铁矿-镁钛矿固溶体单晶的方法-CN202310846405.6在审
发明人：范大伟;许金贵;周文戈 -专利权人：中国科学院地球化学研究所
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B1/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种在高温高压下合成钛铁矿‑镁钛矿固溶体单晶的方法，属于矿物单晶合成技术领域，以氧化镁粉末、三氧化二铁粉末、二氧化钛粉末和碳粉为原料，按化学计量摩尔比(1‑x)∶(x/2)∶1∶(x/4)(0≤x≤1)研磨混合均匀，制成圆柱形产品，然后装入铂金管中，两端密封，组装在高温高压合成组装块中，放置在六面顶压机中进行高温高压反应，反应完成后，得到钛铁矿‑镁钛矿固溶体单晶。本发明方法环境纯净，试样处于密封环境中，不与杂质接触，得到的钛铁矿‑镁钛矿固溶体单晶为纯净物，化学稳定性好，解决了目前钛铁矿‑镁钛矿固溶体大颗粒单晶样品生长困难的技术问题。
一种高温压下合成钛铁矿镁钛矿固溶体方法

[实用新型]富氢水生成装置及富氢水容器-CN201820258557.9有效
发明人：李毅 -专利权人：李毅
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C02F1/68 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种富氢水生成装置，其包括外壳和容纳在所述外壳内的高纯单晶镁片，其中所述外壳为圆柱状，所述外壳上分布有通孔，容纳在所述外壳内的高纯单晶镁片为冶金和金属加工方法制成的厚度为1mm‑5mm的高纯单晶镁片
水生装置富氢水容器

[实用新型]单晶炉的下炉体-CN200920039690.6无效
发明人：潘燕萍;潘国强 -专利权人：潘燕萍;潘国强
申请日： 2009-04-20 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉制造单晶硅用设备领域，尤其是用于制造单晶装置的下炉体。单晶炉的下炉体，该炉体为中空圆柱状炉体，炉体的两端分别设置有法兰，炉体内壁具有夹层，炉体外壁具有与夹层相连通的进水口座和出水口座，炉壁上设置有用于插接镁棒的镁棒接口，该镁棒接口与夹层相连通。
单晶炉下炉体

[发明专利]一种镁基单晶合金颗粒的制备方法-CN201711358304.5在审
发明人：杜宇雷;卢晓阳 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2017-12-17 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明属于材料制备领域，涉及一种镁基单晶合金颗粒的制备方法，具体包括以下步骤：(1)通过铜模快淬预制出特定直径的镁基合金棒，表面经抛光打磨后置入相应内径的管式坩埚中；(2)通过感应线圈加热使管式坩埚内的预制镁基合金棒材完全熔融为合金液，后通过抽拉杆带动管式坩埚沿轴向向下以一定速度匀速没入冷却介质中，获得具有大晶粒尺寸的镁基合金棒材；(3)最后对棒材通过机械破碎研磨与机械筛分获得粒度分布在50～150μm之间的镁基单晶合金颗粒。本发明制备的镁基单晶合金颗粒内部不存在晶界缺陷，消除了晶间腐蚀的根源，解决了镁基合金在储氢应用中晶间腐蚀的问题。
单晶合金镁基合金镁基棒材管式坩埚制备晶间腐蚀预制材料制备领域感应线圈机械破碎晶界缺陷颗粒内部冷却介质粒度分布抛光打磨研磨抽拉杆大晶粒合金液储氢后置快淬熔融铜模轴向加热应用

[发明专利]一种镁铝榴石单晶体及其制备方法-CN201911263743.7有效
发明人：罗首其 -专利权人：罗首其
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开一种镁铝榴石单晶体及其制备方法，由高纯度、纳米级轻质MgO、γ‑Al2O3和SiO2制成，经溶胶分散及有序混合、机械搅拌、脱水处理后经HPHT工艺进行高温高压合成，所得样品经红酸除杂处理，即可得到呈无色透明状的、粒度均匀的高品质镁铝榴石单晶体。本发明所得该镁铝榴石单晶体具有高温稳定性及耐强酸腐蚀性，可望像钇铝榴石一样用于激光窗口元件，以及用于高温工作的特殊半导体材料领域，并增加其在珠宝饰品上的商业价值。本发明首次提出了镁铝榴石的人工合成方法，并填补了以HPHT工艺合成镁铝榴石单晶体的技术空白。
一种镁铝榴石单晶体及其制备方法

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